杨洪东
- 作品数：22 被引量：9H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国防科技重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 硅基应变引入方法与MOS器件相关基础研究
- 器件特征尺寸逐渐接近其物理极限,给Moore定律的延续带来了巨大的挑战和技术危机。其中,通过改变能带结构的应变Si技术已成为后Si时代提高器件性能而维持Moore定律的一种有效手段。为此,本文针对在Si晶体中引入应变的方...
- 杨洪东
- 文献传递
- 一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法
- 一种具有高弛豫度(SiGe)缓冲层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及弛豫锗硅(SiGe)缓冲层的制备方法。该方法的特征是，采用离子注入的方法，在硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层界面形成一层具有黏性流动性的材料...
- 王向展于奇杨洪东王微
- 纵向环栅非均匀掺杂锗硅沟道CMOS器件
- 本发明提供的一种纵向环栅非均匀掺杂锗硅沟道CMOS器件，其特征是它包括：n－SiGe隔离层10、渐变n<Sup>+</Sup>→n<Sup>－</Sup>掺杂SiGe层11、δ型分布p<Sup>+</Sup>掺杂SiGe...
- 于奇杨洪东王向展李竞春杨谟华
- 文献传递
- HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变
- 2010年
- 为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽。
- 杨洪东于奇王向展李竞春罗谦姬洪
- 关键词：氮化硅
- 用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法
- 本发明制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法是涉及集成电路的制作，特别是通过等效应变记忆方法引入的应变技术，分别为互补金属氧化物半导体场效应晶体管CMOS中的NFET与PFET器件提供张应变与压应变。该发明提供的记忆方法...
- 于奇宁宁王向展杜江峰杨洪东李竞春
- 文献传递
- 一种应力放大的CMOS晶体管结构
- 本发明涉及应力放大的CMOS晶体管结构，一种具有应力放大特性的互补金属氧化物半导体CMOS晶体管结构，它的特征是在栅极中(30/32)引入应力集中因子(40/42)，从而放大沟道区的应力。该结构应与相关的应力引入方法配合...
- 王向展于奇杨洪东李竞春应贤炜
- 基于梳齿间距MEMS工艺误差的微传感器电容与静电力分布模型被引量：1
- 2010年
- 在理论分析与模拟仿真基础上,提出了由于梳齿微细加工误差所引起的电容和静电力概率分布模型。该模型表明电容和静电力均为类高斯分布,它们在一定区段出现的可能性可根据其准期望和准方差确定,且该准期望与无加工误差情况相比均有小于5%的微小偏移;同时,该准方差依赖于梳齿数目和梳齿加工误差程度,当梳齿数目由10增大到60时,电容与静电力分布准方差分别增大约2倍和1倍,而当梳齿加工误差程度从5%增大到20%时,则分别增大约3.5倍和2.5倍。该模型可望为一大类梳齿结构微传感器或执行器性能偏差的理论研究和工艺实现提供参考。
- 戴强于奇束平杨洪东张国俊
- 关键词：微传感器
- 基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理被引量：1
- 2010年
- 基于能量平衡条件,结合低温硅(LT-Si)剪切模量小于SiGe的实验结果,从螺位错形成模型出发,给出了基于LT-Si技术的赝晶SiGe应变弛豫机理.该机理指出,赝晶SiGe薄膜厚度小于位错形成临界厚度,可通过LT-Si缓冲层中形成位错释放应变;等于与大于临界厚度,位错在LT-Si层中优先形成,和文献报道中已观察到的实验结果相符合.同时,实验制备了基于LT-Si技术的弛豫Si0.8Ge0.2虚拟衬底材料.结果显示,位错被限制在LT-Si缓冲层中,弛豫度达到了85.09%,且在Si0.8Ge0.2中未观察到穿透位错,实验结果证实了赝晶Si0.8Ge0.2是通过在LT-Si缓冲层形成位错来释放应变的弛豫机理.
- 杨洪东于奇王向展李竞春宁宁杨谟华
- 关键词：位错理论
- 一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法
- 一种具有高弛豫度(SiGe)缓冲层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及弛豫锗硅(SiGe)缓冲层的制备方法。该方法的特征是，采用离子注入的方法，在硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层界面形成一层具有黏性流动性的材料...
- 王向展于奇杨洪东王微
- 文献传递
- 一种部分绝缘层上硅材料结构及制备方法
- 一种部分绝缘层上硅材料结构，包括三层，第一层为支撑硅片层，第三层为器件层，其特征是，它还包括起键合和导电作用的多晶硅中间层，多晶硅层中勘入了一层开有一个或多个窗口的纵向隔离介质层，器件层中可以包含一个或多个位于纵向隔离介...
- 谭开洲杨谟华刘勇徐世六冯建杨洪东于奇李竟春
- 文献传递
