杨福军
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 纤锌矿AlN/Al_xGa_(1-x)N/AlN量子阱中界面光学声子对电子迁移率的影响
- 2013年
- 对三元混晶纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱,通过数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得二维电子气中电子的本征态和本征能级.利用雷-丁平衡方程,讨论该体系中界面光学声子对电子迁移率的影响.在计算中,对AlxGa1-xN中的体纵声子采用修正的无序元素等位移(MREI)模型,横光学声子则分别采用线性拟合(LF)和二次多项式拟合(QMF)方法,计算获得界面声子对电子的散射作用.结果表明,用LF方法获得的电子迁移率高于用QMF方法计算的值.随着Al组分的增加,两种方法之值均逐渐单调增加,且变化趋势类似.在适当的Al组分时,两种方法得到的电子迁移率都存在极值点.
- 王志强屈媛杨福军班士良
- 关键词：ALNALXGA1-XN电子迁移率
- 纤锌矿AlGaN/AlN/GaN异质结构中光学声子散射影响的电子迁移率被引量：4
- 2012年
- 对含有AlN插入层纤锌矿Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaN异质结构,考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势,同时计入自发极化和压电极化效应产生的内建电场作用,采用数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得二维电子气(2DEG)中电子的本征态和本征能级.依据介电连续模型和Loudon单轴晶体模型,用转移矩阵法分析该体系中可能存在的光学声子模及三元混晶效应.进一步,在室温下计及各种可能存在的光学声子散射,推广雷-丁平衡方程方法,讨论2DEG分布及二维电子迁移率的尺寸效应和三元混晶效应.结果显示:AlN插入层厚度和Al_xGa_(1-x)N势垒层中Al组分的增加均会增强GaN层中的内建电场强度,致使2DEG的分布更靠近异质结界面,使界面光学声子强于其他类型的光学声子对电子的散射作用而成为影响电子迁移率的主导因素.适当调整AlN插入层的厚度和A1组分,可获得较高的电子迁移率.
- 杨福军班士良
- 关键词：电子迁移率光学声子模
- 纤锌矿AlGaN 多层异质结构中声学声子散射下电子迁移率的三元混晶效应
- 矿AlGaN/GaN 单异质结构是GaN 基高迁移率晶体管(HEMT)的基本结构,此类体系中的强自发极化和压电极化效应在界面处诱生的高浓度二维电子气(2DEG)对HEMT 的电学特性有重要影响.实验研究表明,[1,2] ...
- 杨福军班士良
- 关键词：电子迁移率
- 声子散射下纤锌矿AlGaN多层异质结构中电子的迁移率
- 纤锌矿AlGaN/GaN异质结构是GaN基高迁移率晶体管(HEMT)采用的典型异质结构，其强自发极化和压电极化效应使得体系界面处产生高浓度的二维电子气(2DEG).调制纤锌矿三元混晶AlGaN的Al xGa1-xN/Al...
- 杨福军
- 关键词：电子迁移率纤锌矿尺寸效应
