桑丽华
- 作品数:13 被引量:13H指数:3
- 供职机构:北京师范大学物理学系更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金教育部高等学校骨干教师资助计划高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域:一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>
- 湿化学法测TI系超导体中组份及空穴浓度
- 1993年
- 该文用湿化学方法和质量分析精确测定了Tl-Ba-Ca-Cu-O样品中Tl和O的含量及其结构式,计算了样品中Cu的平均价态及铜氧层中有效空穴浓度.分析表明,样品的零电阻转变温度随空穴浓度的变化,存在一最佳的样品空穴浓度,对应的转变温度Tc最大.
- 彭志强孟宪仁涂清云林明柱林振金桑丽华沈德元刘振兴
- 关键词:超导体空穴湿法钛
- GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布
- 1999年
- 阐述了GaP∶NLPE片纵向载流子浓度分布的测量方法, 探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响。
- 李桂英刘荣寰杨锡震王亚非桑丽华
- 关键词:载流子发光效率
- Tl_2Ba_2CaCu_2O_y单晶在外加低直流磁场下的交流磁化率研究
- 1995年
- 该文用交流磁化率法对Tl-2212单晶样品在低场下进行了研究。在外场为零的情况下,改变交流场的频率,所得的交流磁化率实部的拐点温度Tm和虚部峰值温度Tp不发生明显改变:在外加直流磁场HD平行于单晶样品C轴情况下,得到的交流磁化率虚部峰值温度Tp和外加磁场HD的关系为:(1-Tp/Tc)∝HD0.
- 孟宪仁彭志强涂清云林明柱王益宽林振金桑丽华刘振兴
- 关键词:低磁场交流磁化率
- 玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱被引量:5
- 2003年
- 对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600~650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。
- 王引书郑东孙萍王一红刘惠民桑丽华王若桢
- 关键词:纳米晶体室温光致发光谱
- 半导体CdSSe量子点10K光致发光谱和光吸收谱研究被引量:4
- 2002年
- 在 10K温度下 ,通过光致发光和光吸收谱实验研究半导体CdSSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、量子点电子能级的温度效应。
- 吴畅书田强刘惠民王一红桑丽华
- 关键词:半导体量子点光致发光谱光吸收谱量子尺寸效应
- T1系单相超导材料的高氧压合成及压力对超导性的影响
- 1995年
- 系统地研究了在0~3MPa氧压下T1系超导材料的制备过程及其超导性质。结果表明:0.25~0.90MPa氧压下所制备的样品为纯2223相,T_(c0)最高可达125.3K;1.45~3.00MPa氧压下样品为纯2212相,T_(c0)在95~100K之间;0.90~1.45MPa氧压下样品为2223及2212两相共存。对两种单相样品的高压研究结果表明,2223相样品比2212相样品有着较强的压力效应,在0~0.52GPa压力下分别为4.0K/GPa及2.0K/GPa。
- 刘振兴孟宪仁沈德元林明柱涂清云林振金桑丽华彭志强
- 关键词:压力效应超导合金超导性
- Tl-Ba-Ca-Cu-O系超导体相结构和掺Mn影响的电镜研究
- 1989年
- Tl-Ba-Ca-Cu-O系超导体多相同时存在,多至6相,均属四方晶系钙钛矿结构,其中(2223)(2212)相共生,其衍射谱给出c≈33A的假象.加Mn可以部分取代Tl,但增加Mn的含量将失去高温超导性.
- 林明柱周善元李永良唐为华涂青云桑丽华刘振兴任燕如林振金孟宪仁
- 关键词:超导体电子衍射
- TI系超导体的T_c稳定性
- 1992年
- 本文报告对Tl系超导样品的T_c长期存放后的考察结果。结果表明,在一定工艺条件下,以TlBaCa_3Cu_3O_Y标称组分获得的多相超导体,T_c高,稳定性好,以Sn适量掺杂,或以Sn、或Al部分替代Tl也获得T_c高、稳定性好、毒性小的超导体。文中对超导电性不稳定的机理作了讨论、
- 林明柱孟宪仁涂清云林振金沈德元桑丽华刘振兴
- 关键词:稳定性超导体钛系
- 玻璃中半导体CdSSe量子点的界面态发光被引量:4
- 2003年
- 研究了玻璃中半导体 Cd SSe量子点的界面态发光 .在 10 K温度下 ,通过 PL 和吸收光谱实验 ,研究了半导体Cd SSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、温度对 PL 和吸收光谱的影响 .实验发现PL 谱中在 1.84e V和 1.91e V有两个尖锐的发光峰 ,且峰位不随量子点尺寸大小变化而漂移 ,这是来源于与量子点尺寸无关的界面态的发光 ;同时 ,界面态的发光强度应与量子点半径成反比 ,实验结果与之相符 .
- 吴畅书田强刘惠民王一红桑丽华
- 关键词:半导体量子点界面态光致发光谱光吸收谱
- In替代对Tl-Ba-Ca-Cu-O超导电性的影响被引量:1
- 1990年
- 在名义组份为 Tl_(1-x)In_xBaCa_3Cu_3O_y 的样品中,发现当 x≤0.7时,样品呈超导电性,T_c 较无 In 样品略低,但仍在100K 以上。X-射线衍射分析表明,起超导作用的为2223相。样品还含有不超导的 Cu_7In_4O_11相。当 x≥0.8时,超导电性遭到破坏。
- 孟宪仁任燕如林明柱林振金唐为华涂清云桑丽华
- 关键词:超导电性氧化物超导体TI