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毛伟

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇耿氏二极管
  • 3篇二极管
  • 2篇电子发射
  • 2篇压电极化
  • 2篇位错
  • 2篇环形电极
  • 2篇SIC衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇氮化镓
  • 1篇地址译码
  • 1篇地址译码器
  • 1篇电荷
  • 1篇预充
  • 1篇升压
  • 1篇太赫兹
  • 1篇太赫兹波
  • 1篇可调
  • 1篇控制单元
  • 1篇赫兹

机构

  • 4篇西安电子科技...

作者

  • 4篇毛伟
  • 2篇何寒冰
  • 2篇杨林安
  • 2篇郝跃
  • 1篇李博
  • 1篇刘艳
  • 1篇韩根全
  • 1篇周久人

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
本发明公开了一种基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决了现有耿氏器件结构输出功率低、散热不佳等问题。该二极管从下到上分别为SiC衬底、AlN成核层、n<Sup>+</Sup>GaN欧姆接触层、电子发...
杨林安毛伟何寒冰郝跃
文献传递
输出动态范围可调的电荷域SRAM存算一体阵列系统
本发明公开了输出动态范围可调的电荷域SRAM存算一体阵列系统，系统包括：升压存算阵列、行控制单元、地址译码器、时钟控制单元、移位寄存器与预充单元。移位寄存器与行控制单元以及升压存算阵列连接；地址译码器与升压存算阵列连接；...
李富翼毛伟 李晓茜 朱星宇 杨鹏城李博 丁一洝周久人刘艳韩根全
基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
本发明公开了一种基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决了现有耿氏器件结构输出功率低、散热不佳等问题。该二极管从下到上分别为SiC衬底、AlN成核层、n<Sup>+</Sup>GaN欧姆接触层、电子发...
杨林安毛伟何寒冰郝跃
氮化镓太赫兹耿氏器件外延生长研究
随着社会的不断发展，人们对于高频、大功率固态器件的需求也不断增加。但是由于第一代半导体和第二代半导体材料本身的限制，已经越来越无法满足这些需求。因此人们将目光转向了第三代半导体——宽禁带半导体，以GaN作为典型代表。Ga...
毛伟
关键词：氮化镓耿氏二极管太赫兹波
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