沈天慧
- 作品数：21 被引量：44H指数：4
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学电气工程更多>>
- 化学汽相淀积技术（二十一）
- 1990年
- 沈天慧汪师俊
- 关键词：化学汽相淀积半导体工艺等离子体
- 微机电系统(MEMS)中的化学和材料问题
- 张寿柏丁桂甫沈天慧
- 关键词：微机电系统半导体
- 文献传递网络资源链接
- 铅蓄电池中 Pb-Sb 合金的正极腐蚀特性被引量：1
- 1999年
- 通过稳态恒电位极化曲线测量方法，发现Ｐｂ－Ｓｂ合金与纯Ｐｂ的恒电位腐蚀特性有着至关重要的差别：在ＰｂＯ２／ＰｂＳＯ４电极平衡电位附近区域，纯Ｐｂ表现出为人们所熟知的腐蚀反应活化现象，而Ｐｂ－Ｓｂ合金却仍能保持高度钝化状态，说明合金中的Ｓｂ能够有效地抑制该电位区Ｐｂ腐蚀反应活化的倾向；而在除此之外的宽广电位区间内，两者之间的差别远没有如此明显．该活化电位区两者腐蚀特性如此显著的差异决定了Ｐｂ－Ｓｂ合金在多数情况下耐腐蚀性会优于纯Ｐｂ．不同极化条件下Ｐｂ和Ｐｂ－Ｓｂ合金腐蚀速率的实验测试结果证实了上述观点．
- 杨春生丁桂甫沈天慧周伟舫
- 关键词：铅锑合金铅蓄电池正极
- VLSI技术中的金属化工艺
- 1991年
- 本文分析了纯铝作为集成电路互联线和引出线的一些缺点,指出了在VLSI 中引入多层金属化的必要和必然性.较详细地介绍了理想的接触和互连材料——难熔金属硅化物,及其各种形成方法.
- 沈天慧
- 关键词：VLSI难熔金属金属化
- CVD金刚石薄膜RIE掩模技术研究被引量：7
- 2001年
- 金刚石薄膜反应离子刻蚀 (RIE)必须选用硬掩模 ,基于掩模刻蚀选择比和掩模图形化加工特性考虑 ,镍和镍钛合金掩模是较好选择 ,其中 ,NiTi合金薄膜具有刻蚀选择比高、加工工艺简单、图形化效果好的优势 ,Ni掩模特别是电镀方法制作的Ni掩模以其精确的尺寸控制能力、理想的多层结构模式和适当的刻蚀选择比而特别适合于精细结构加工时使用。使用上述掩模对金刚石薄膜进行RIE ,可以获得线条整齐规则、侧壁平滑陡直的优异加工效果。
- 丁桂甫俞爱斌赵小林姚翔沈天慧
- 关键词：金刚石薄膜反应离子刻蚀掩模
- CVD金刚石薄膜RIE刻蚀的掩膜技术
- 金刚石薄膜RIE刻蚀必须选用硬掩膜,NiTi合金掩膜具有刻蚀选择比高、加工工艺简单、图形化效果好的优势,Ni掩膜特别是电镀方法制作的Ni掩膜以其精确的尺寸控制能力、理想的多层结构模式和适当的刻蚀选择比而特别适合于精细结构...
- 丁桂甫赵小林杨春生俞爱斌姚翔沈天慧
- 关键词：金刚石薄膜反应离子刻蚀掩膜
- 文献传递
- ＳｉＨ＃-[4]和Ｏ＃-[2]体系ＬＰＣＶＤ ＳｉＯ＃-[2]的设备及工艺
- 沈天慧李积和
- 关键词：氧化硅薄膜生长化学汽相沉积
- 镍钛合金形状记忆薄膜的化学刻蚀被引量：1
- 1999年
- 镍钛合金形状记忆薄膜的图形化技术曾是其实用化的主要障碍之一，现在，一种工作性能优越的化学刻蚀液可以实现薄膜的高精度图形化，该刻蚀液常温工作，性能稳定，刻蚀速率在１～５ 微米／分之间均可得到满意的刻蚀线条。常规制作的光刻胶掩模在该刻蚀液中非常稳定。该刻蚀液用于溅射态的形状记忆合金薄膜可得到与掩模图形完全一致的刻蚀结果，刻蚀线条光滑平直，刻蚀系数大于 １５。当用于热处理以后的薄膜时，刻蚀面有一定程度的粗糙化，只能用于刻蚀相对较粗的线条，这是热处理后薄膜中晶粒与晶界刻蚀速率不同所致。用该刻蚀液图形化的形状记忆合金薄膜驱动机构已成功用于微泵制造，所制作的微泵流量达到 ２００ 微升／分钟以上。
- 丁桂甫徐东赵小林张寿柏蔡炳初沈天慧
- 关键词：形状记忆合金微泵
- 光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅰ)光化学气相淀积氧化硅的工艺研究被引量：1
- 1993年
- 文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。
- 汪师俊蔡琪玉沈天慧
- 关键词：气相淀积氮化硅
- 电沉积纳米锌层的研究被引量：7
- 2004年
- 采用XRD研究和场发射电镜(FEG＿TEM)电沉积锌镀层纳米改性,分别观察并分析纳米镀锌层的结晶形态及其晶粒尺寸,根据镀层极化曲线和中性盐雾试验测定,结果表明,纳米镀锌层的抗腐蚀性能优于其它镀层.
- 曹莹沈天慧姚锦元丁桂甫
- 关键词：电沉积晶粒尺寸抗腐蚀性能家用轿车表面装饰技术镀锌钢板
