王圣来
- 作品数：109 被引量：231H指数：11
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 大尺寸KDP晶体切削开裂效应数值模拟分析研究被引量：6
- 2011年
- 大尺寸KDP(KH2PO4)晶体在切割过程中容易出现开裂现象,为了研究大尺寸KDP晶体切割过程中开裂机制并提出合理切割方案,本文对大尺寸KDP晶体切削效应进行了研究。大尺寸KDP晶体切削过程中刀片与晶体之间的接触应力和切割引起的热应力是晶体切削过程中主要致裂因素,因此本文采用有限元计算方法对KDP晶体切削过程进行热力耦合数值仿真模拟。结果表明切割过程中KDP晶体与刀片之间的压力应小于4.1 MPa,切口处温差应控制在4.2℃之内,同时本文还得到了切削过程可控参数(车床推进力和刀片的线速度)的安全取值范围,该范围的提出对KDP晶体的切割技术具有十分重要的意义。
- 张宁张强勇王圣来孙云
- 关键词：KDP晶体热力耦合数值模拟
- 钛酸钡半导体陶瓷的低温介电特性被引量：1
- 1991年
- 在80—320K温度范围内,研究了两种组份BaTiO_3半导体陶瓷的介电特性,发现其介电常数温度曲线不再明显有反映不同铁电相变的两个介电峰,但介电常数实部和虚部的极大值位置分别与mm2—3m和4mm—mm2铁电相变的温度有关。这可能是由于其铁电相变高度弥散、mm2—3m铁电相变温度与Sr^(2-)的取代量基本无关以及4mm相出现PTCR效应的结果。
- 王圣来刘斯栋钟维烈张沛霖赵焕绥
- 关键词：钛酸钡陶瓷介电特性温度系数
- KDP晶体本征中性点缺陷的第一性研究被引量：7
- 2005年
- 用第一性原理研究了KH2PO4(KDP)晶体中性本征点缺陷的形成能并计算了常温下点缺陷的浓度。计算得到中性填隙氢原子的形成能为2.05 eV,进而得到298 K下的浓度约为1.21×10-17mol/L。由于填隙氢原子在带隙中形成缺陷能级,并使能隙降低了2.6 eV,因此消除填隙氢原子有利于提高晶体在355 nm附近的激光损伤阈值。计算得到的氧间隙、氧空位、钾空位和氢空位的形成能分别为0.60、5.25、6.50和6.58eV,常温下它们在晶体中也以较高的浓度存在。钾空位使晶胞体积增大约3.2%,并可能提高晶体电导率,从而降低光损伤阈值。P取代K的反位结构缺陷形成能尽管较低(4.1 eV),但由于晶体生长溶液中P是以PO4四面体的形式存在,故此点缺陷的存在几率很小。
- 王坤鹏张建秀房昌水于文涛王圣来顾庆天孙洵
- 关键词：KDP晶体点缺陷第一性原理
- Ca^(2+)离子对KDP晶体生长习性及性能的影响被引量：9
- 2007年
- Ca^(2+)是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和"点籽晶"快速生长法研究了Ca^(2+)离子对KDP晶体生长习性及性能的影响.实验表明,Ca^(2+)低浓度掺杂时对溶液的稳定性及生长过程没有明显的影响;高浓度时溶液稳定性有所降低,经常出现杂晶;快速生长时,晶体柱面易出现包藏,晶体的紫外透过呈下降趋势,晶体中散射颗粒密度随掺杂浓度的增加而增大.
- 牟晓明王圣来房昌水孙洵顾庆天李毅平
- 关键词：CA^2+KDP晶体晶体生长
- 添加剂EDTA对KDP晶体快速生长的影响研究被引量：1
- 2014年
- 在添加不同浓度（0～5×10-3）EDTA 的KDP饱和溶液中,采用“点籽晶”快速生长技术生长了KDP晶体,生长速度约20 mm/d.研究了不同浓度的EDTA对KDP晶体快速生长的影响.实验发现,随着溶液中EDTA添加量的增加,KDP 晶体（100）面的生长速度是先增加经过一个最大值然后减小；晶体宏观外形高宽比则是先减小经过一个最小值然后增加.在溶液中添加适量浓度的EDTA（5×10-5～5×10-4）可以有效地提高生长溶液的稳定性；而过量的添加 ED-TA（＞1×10-3）反而会破坏溶液的稳定性,当溶液中EDTA浓度增至5×10-3时,溶液甚至发生“雪崩”,晶体出现母液包藏、添晶和粉碎性裂纹等缺陷.结合KDP的晶体结构和EDTA的分子特点,对其影响机理进行了讨论.
- 朱胜军王圣来丁建旭刘光霞王端良刘琳顾庆天许心光
- 关键词：KDP晶体添加剂
- KDP晶体受激拉曼散射特性被引量：2
- 2014年
- 详细比较了磷酸二氢钾(KDP)晶体的自发拉曼散射和受激拉曼散射光谱,在受激拉曼散射(SRS)中观察到了自发拉曼散射中最强的振动模的三阶Stokes光(559.43,589.74,623.50nm),由于其他振动模的受激拉曼散射增益系数较小,其SRS光谱未观察到。另外,比较了传统生长的未退火和退火后的KDP晶体及快速生长的锥区和柱区KDP晶体的受激拉曼散射增益系数,结果表明生长方法和热退火对KDP晶体的受激拉曼散射增益系数无明显影响。
- 柴向旭朱启华李富全许心光王圣来孙洵周海亮张芳
- 关键词：KDP晶体受激拉曼散射增益系数
- 基片和温度对S-G法PbTiO<,3>膜晶化的影响
- 王圣来
- KDP晶体激光损伤机理研究被引量：11
- 2004年
- 大口径KDP晶体是唯一可用作激光约束核聚变(ICF)中Pockels盒和倍频器件的晶体材料,但是低的抗激光损伤阈值使其应用受到了限制。本文从电子 空穴对的产生及稳定机制、光伤实体的本质等方面总结了多年来人们对KDP晶体激光损伤机理的研究进展,尤其从多光子电离、碰撞电离、激光加热三个方面定性阐述了电子 空穴对的产生机制,而电子 空位对的稳定机制是探讨光损伤的关键步骤。另外从晶体生长过程及后处理两个方面初步讨论了提高光伤阈值和光学均匀性的途径。
- 王坤鹏房昌水张建秀王圣来孙洵顾庆天李义平
- 关键词：KDP晶体ICF晶体材料
- 一种用于测量KDP晶体结构应力分布的装置和方法
- 本发明提出一种用于测量KDP晶体结构应力分布的装置和方法。本发明装置包括：激光器，凸透镜，第一线偏振片，待测晶体样品，垂直升降台，水平位移台，第二线偏振片，CCD图像传感器，光屏，计算机；激光器，凸透镜，第一线偏振片，待...
- 王帅王圣来王开宇刘慧李祥琳李滟鸿吴天赐张太新代晓阳
- KDP晶体生长过程中溶液稳定性的研究被引量：11
- 2004年
- 在KDP晶体生长过程中,溶液的稳定性对KDP晶体的光学质量影响较大。溶液的稳定性是多种因素共同作用的结果。本文主要研究了过饱和KDP溶液中晶胚的分布情况、降温过程中晶体生长驱动力与降温速度之间的关系,并分析了KDP晶体实际生长过程中影响溶液稳定性的主要因素。我们认为,通过改善KDP晶体生长过程中溶液的稳定性,并与其它措施和技术相结合,是提高KDP晶体光学质量的有效途径。
- 李云南房昌水顾庆天孙洵王圣来李义平王坤鹏王波
- 关键词：KDP晶体稳定性晶胚
