王峰祥
- 作品数：5 被引量：14H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- MOCVD生长GaN和GaN∶Mg薄膜的对比研究被引量：2
- 2004年
- 对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN :Mg薄膜进行X射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现 :两种样品均处于张力作用之下 ,但是GaN∶Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度 ,致使薄膜质量变差 ;其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大 ,所以当Mg替代Ga以后会引发压力应力 ,从而使薄膜张力减小 ,最后通过计算说明对于GaN :Mg样品而言 ,除了载流子以外 ,薄膜质量同样也会对A1(LO)
- 冯倩王峰祥郝跃
- 关键词：氮化镓薄膜扫描电子显微镜拉曼散射MOCVD
- AlGaN紫外光电导探测器的研究被引量：3
- 2004年
- 在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了未掺杂的Al_(0.15)Ga_(0.05)N外延层,并以此为材料制作了光电导探测器,实验发现探测器具有显著的紫外光响应。分析了探测器持续光电导效应(PPC)的产生机理。
- 王峰祥郝跃
- 关键词：ALGAN光电导探测器紫外光PPC
- GaN:Si薄膜的结构和应力特性研究被引量：3
- 2005年
- 对掺杂浓度为1017～1019cm-3的GaN:Si样品进行高精度X射线衍射和拉曼散射光谱的研究发现:随着Si掺杂浓度的增加,GaN晶粒尺寸逐渐减小,引发更多的螺位错和混合位错致使摇摆曲线的半高宽有所增加,同时薄膜中的剩余应力也逐渐减小。当掺杂浓度高于2.74×1018cm-3时,薄膜从压力状态转变为张力状态。
- 冯倩郝跃王峰祥
- 关键词：氮化镓硅X射线衍射拉曼散射
- 基于蓝宝石衬底的高性能AlGaN/GaN二维电子气材料与HEMT器件被引量：1
- 2004年
- 利用低压 MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了高性能的 Al Ga N/Ga N二维电子气 (2 DEG)材料 ,室温和 77K温度下的电子迁移率分别为 94 6和 2 5 78cm2 /(V· s) ,室温和 77K温度下 2 DEG面密度分别为 1.3× 10 1 3和 1.2 7×10 1 3cm- 2 .并利用 Al Ga N/Ga N二维电子气材料制造出了高性能的 HEMT器件 ,栅长为 1μm,源漏间距为 4 μm,最大电流密度为 4 85 m A/mm(VG=1V) ,最大非本征跨导为 170 m S/mm(VG=0 V) ,截止频率和最高振荡频率分别为6 .7和 2 4
- 张进城郝跃王冲王峰祥
- 关键词：MOCVDALGAN/GAN二维电子气HEMT
- Mg掺杂对AlGaN薄膜特性的影响被引量：5
- 2004年
- 利用高精度x射线衍射和拉曼散射光谱 ,对MOCVD生长的不同Mg掺杂量的AlGaN薄膜的c轴晶格常数、摇摆曲线和拉曼频移进行测量发现 :当Mg掺杂剂量较小时 ,E2 模式向低频方向漂移表明张力应力有所增加 ,但是摇摆曲线和A1 (LO)模式半高宽减小表明薄膜质量有所提高 ;随着Mg掺杂剂量的增加 ,E2 模式反向漂移表明此时薄膜中存在压力应力 ,同时薄膜质量有所下降 .最后根据拉曼频移和应力改变进行拟合得出相应的线性表达式为Δσ=- 0 2 98+0 5 6 2·ΔE .
- 冯倩王峰祥郝跃
- 关键词：拉曼频移GAN薄膜拉曼散射光谱摇摆曲线晶格常数
