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王敬蕊

作品数:9 被引量:10H指数:2
供职机构:浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇理学

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 2篇电特性
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇直流磁控
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电氧化...
  • 2篇透明导电氧化...
  • 2篇纳米棒
  • 2篇金属有机物
  • 2篇溅射压强
  • 2篇光电
  • 2篇光电特性
  • 2篇P型
  • 2篇ZNO:GA
  • 2篇GAN纳米棒
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 2篇磁控溅射

机构

  • 9篇浙江大学

作者

  • 9篇王敬蕊
  • 8篇叶志镇
  • 6篇赵炳辉
  • 5篇何海平
  • 5篇朱丽萍
  • 4篇胡少华
  • 4篇马全宝
  • 3篇姜静
  • 1篇杨叶锋
  • 1篇马全保
  • 1篇高国华
  • 1篇卢洋藩
  • 1篇杨志祥
  • 1篇简中祥
  • 1篇唐海平
  • 1篇王维维

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇第十届固体薄...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇Journa...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 5篇2006
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响被引量:1
2007年
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.
马全宝朱丽萍叶志镇何海平王敬蕊胡少华赵炳辉
关键词:ZNO:GA透明导电氧化物薄膜光电特性
GaN纳米棒的制备及机理研究被引量:6
2009年
本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒。测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构。通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS机制的控制,而是多种生长方式共同作用的结果。在反应的初期,GaN纳米棒的生长遵从VLS机制;但是随着GaN纳米棒轴向和径向的生长,GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被"挤"出顶部,在较大的气流流速下被吹落至衬底上,失去催化剂诱导作用的纳米棒随后自行外延生长;而吹落至衬底上的Ni催化剂纳米球成为第二次生长有利的形核位置,且再次生长出粗短的纳米棒。因此不同生长机制得到的GaN纳米棒交织在一起,形成了最终的GaN纳米结构。
王敬蕊叶志镇杨志祥马全宝姜静胡少华何海平
关键词:GAN纳米棒
Ga-N共掺方法生长p型ZnMgO薄膜及其特性研究
本文采用直流反应磁控溅射技术,,利用Ga-N共掺方法,在N2O+O2气氛下、玻璃衬底上制备了ZnMgO薄膜。通过不断优化N2O/O2流量比值和衬底温度,制得了p型ZnMgO薄膜。Hall实验,X射线衍射(XRD),场发射...
胡少华叶志镇高国华简中祥王敬蕊马全保卢洋藩赵炳辉
关键词:磁控溅射衬底温度
文献传递
溅射压强对直流磁控溅射ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响
本文通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.SE...
马全宝朱丽萍叶志镇何海平王敬蕊赵炳辉
关键词:透明导电氧化物薄膜磁控溅射光电特性
文献传递
GaN纳米棒的制备及机理研究
纳米GaN通常采用催化剂法在蓝宝石或者硅衬底上获得,其生长机理遵从vapor-liquid-solid(VLS)机制.本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针...
王敬蕊叶志镇马全宝姜静胡少华何海平
关键词:NI催化剂GAN纳米棒
文献传递
AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展被引量:1
2006年
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。
王敬蕊叶志镇赵炳辉朱丽萍唐海平
关键词:ALN应力位错
氧化锌微米棒的微观生长过程被引量:2
2009年
利用物理热蒸发方法在光滑的(111)硅衬底上生长氧化锌微米棒,生长温度为700℃。在硅衬底的不同区域由于生长环境不同,生成物的形貌也不相同。利用扫描电镜图可以很直观地推测出一个完整的氧化锌微米棒生长过程。透射电镜图片显示了纳米棒与微米棒之间完美的外延关系。
王维维朱丽萍叶志镇王敬蕊杨叶锋何海平赵炳辉
关键词:自组装
磷掺杂源温度对p型ZnO薄膜制备及性能的影响
利用带有特殊热蒸发器的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)装置,以二乙基锌(DEZn)为锌源,高纯 O2和P2O5 粉作为氧源和磷源,制备了p型ZnO 薄膜。衬底温度固定在420℃,通过改变磷掺杂源的热蒸发温度控制ZnO...
姜静朱丽萍王敬蕊叶志镇赵炳辉
关键词:金属有机物化学气相沉积衬底温度氧化锌薄膜
文献传递
ZnO基纳米结构MOCVD法可控生长及微结构与机理分析
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,是制备半导体发光器和半导体激光器的理想材料。ZnO纳米材料具有丰富的结构形态、广阔的应用前景和科学研究价值。实现...
王敬蕊
关键词:氧化锌纳米材料金属有机物化学气相沉积微结构氧化物半导体
共1页<1>
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