2025年1月27日
星期一
|
欢迎来到叙永县图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
王文坚
作品数:
8
被引量:0
H指数:0
供职机构:
合肥工业大学
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
更多>>
相关领域:
理学
一般工业技术
自动化与计算机技术
更多>>
合作作者
吴春艳
合肥工业大学电子科学与应用物理...
于永强
合肥工业大学
罗林保
合肥工业大学
王莉
合肥工业大学
吴义良
合肥工业大学电子科学与应用物理...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
6篇
专利
1篇
期刊文章
1篇
学位论文
领域
1篇
自动化与计算...
1篇
一般工业技术
1篇
理学
主题
5篇
准一维
3篇
一维纳米
3篇
一维纳米结构
3篇
准一维纳米结...
3篇
纳米
2篇
电池
2篇
电流
2篇
电学
2篇
电子束
2篇
短路
2篇
短路电流
2篇
性能表征
2篇
太阳能电池
2篇
铜化合物
2篇
紫外光刻
2篇
铟锡氧化物
2篇
硫属
2篇
纳米太阳能电...
2篇
金属薄膜电极
2篇
绝缘衬底
机构
8篇
合肥工业大学
作者
8篇
王文坚
7篇
吴春艳
6篇
王莉
6篇
罗林保
6篇
于永强
5篇
吴义良
4篇
毛盾
3篇
张梓晗
3篇
周国方
2篇
吕鹏
2篇
许俊
2篇
揭建胜
传媒
1篇
发光学报
年份
1篇
2016
4篇
2015
2篇
2013
1篇
2012
共
8
条 记 录,以下是 1-8
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
K-Cu-S三元体系准一维纳米结构的生长及其电学性能表征
金属硫化物纳米材料因具有优异的光电特性而成为太阳能能量转换、光电器件、催化等前沿领域的研究热点。对Cu-S体系成功掺杂,有效改变了Cu-S体系晶体结构和光学性能,有助于拓展硫化物纳米材料在纳米光电子学研究中的新应用。K-...
王文坚
关键词:
电学性能
光电特性
文献传递
基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法
本发明公开了基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法,首先通过一次紫外光刻的方法在CuS准一维纳米结构上制备一对金属薄膜电极,这对金属薄膜电极通过所述CuS准一维纳米结构连通,与其呈欧姆接触;然后通过二次紫外光...
吴春艳
张梓晗
吕鹏
吴义良
王文坚
于永强
王莉
罗林保
揭建胜
文献传递
n型In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层的成膜方法及其应用
针对现有技术制备In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层时的不足,本发明提供一种新的n型In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层的成膜方法和应用。本发明的成膜方法,由制备In<Su...
吴春艳
王文坚
毛盾
罗林保
王莉
于永强
许俊
文献传递
p型CuInS_2花状微球的液相可控合成及其电学性能表征
2013年
以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,在乙二醇(EG)中进行溶剂热反应,成功合成了四方晶系CuInS2花状微球。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)以及紫外-可见吸收光谱等表征其形貌、结构及成分,并构建了基于其的底栅型场效应器件(Back-gate FET)。实验结果表明:p型CuInS2微球所需合成温度为200℃,禁带宽度为1.62eV,电导率约为2S·cm-1。CuInS2微球有望用于低耗、高效CuInS2基光伏器件的制备。
吴义良
周国方
王文坚
张梓晗
吴春艳
关键词:
微球
场效应器件
光伏器件
基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法
本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。首先将硫属亚铜化合物准一维纳米结构均匀分散在绝缘衬底上,通过一次紫外曝光光刻和电子束蒸发,在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的一端蒸镀上金属Cu电极,然后通...
吴春艳
吴义良
周国方
王文坚
毛盾
于永强
罗林保
王莉
文献传递
基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法
本发明公开了基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法,首先通过一次紫外光刻的方法在CuS准一维纳米结构上制备一对金属薄膜电极,这对金属薄膜电极通过所述CuS准一维纳米结构连通,与其呈欧姆接触;然后通过二次紫外光...
吴春艳
张梓晗
吕鹏
吴义良
王文坚
于永强
王莉
罗林保
揭建胜
文献传递
n型In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层的成膜方法及其应用
针对现有技术制备In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层时的不足,本发明提供一种新的n型In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层的成膜方法和应用。本发明的成膜方法,由制备In<Su...
吴春艳
王文坚
毛盾
罗林保
王莉
于永强
许俊
文献传递
基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法
本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。首先将硫属亚铜化合物准一维纳米结构均匀分散在绝缘衬底上,通过一次紫外曝光光刻和电子束蒸发,在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的一端蒸镀上金属Cu电极,然后通...
吴春艳
吴义良
周国方
王文坚
毛盾
于永强
罗林保
王莉
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张