王昌平
- 作品数：8 被引量：3H指数：2
- 供职机构：复旦大学物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用被引量：2
- 1991年
- 以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm^2的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍.
- 郑国祥周寿通邬建根王昌平屈逢源丁志发
- 关键词：硅金属
- 二次阶波半导体杂质浓度分布测试仪
- 王昌平
- 许多半导体器件及电路是制造在外延层上的。因此，测定外延层杂质浓度，浓度分布是否符合设计要求，对研制新器件及电路以及提高器件成品率都是必须精确进行的。测试杂质浓度分布是本课题研制的测试仪的独特功能。该仪器的测试范围为：Ｎ（...
- 关键词：
- 关键词：测量仪器外延层半导体
- 离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器被引量：3
- 1990年
- 采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探测器。
- 郑国祥邬建根王昌平朱景兵屈逢源周寿通
- 关键词：光电探测器离子注入热退火
- 衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响
- 1992年
- 用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。
- 吕宏强王杰沈军刘咏王迅王昌平王建宝李晨沈孝良
- 关键词：衬底温度
- 多功能火灾探测报警器
- 王昌平
- 对于火灾发生的四种预兆：烟雾、高温、可燃气休和红外辐射，该报警器测到任一项即能报警。仪器响应快，灵敏度高：仪器探测到３００ｐｐｍ含量的可燃性气体或烟雾，１毫瓦／厘米红外辐射时，设定的高温：在十秒钟内即能发出报警信号。仪...
- 关键词：
- 关键词：防火系统火灾监测报警系统自动报警系统
- DSF-1型单频锁相放大器
- 王昌平
- 该放大器是专门为激光类测量实验和各种单色仪类测量实验而研制的，是检测微弱信号的有力工具。其主要技术规格为：最高灵敏度１μＶ满度；测量范围１μＶ～１００ｍＶ；噪声≤０．１微伏；同步脉冲输出幅值，有效值≥１伏。该仪器具有测量...
- 关键词：
- 关键词：放大器锁相放大器
- 光致发光法检测用于转移电子器件的GaAs材料
- 1989年
- 转移电子器件是一种常用的微波固体功率源,制备转移电子器件常用的材料是n-GaAs单晶,目前国内对n-GaAs单晶质量的在线检测主要测量它的电学参数.但是在器件生产中发现,即使用电学参数相同的材料制备器件,仍会出现成品率高低浮动.已有人用光致发光法研究GaAs材料性质.本文报道用光致发光法在线检测转移电子器件材料质量.测量结果表明,电学参数测量符合要求时,制备转移电子器件成品率较低的n-GaAs外延片中存在较高浓度的施主杂质与Ga空位的络合物.
- 侯庄苏九令王昌平屈逢源
- 关键词：GAAS单晶
- RXB-Ⅱ型高精度半导体杂质浓度分布测试仪
- 王昌平
- 该测试仪使用悬汞探针，带有标准刻度的显微镜，能直读式的测量杂质浓度随深度的分布情况，还能进行自动扫描测量、扩展读数精度，而且具有自动击穿保护装置。该仪器具有快速、精确、非破坏性等特点，测试范围广：１×１０的１３次方～１×...
- 关键词：
- 关键词：自动测量仪显微镜半导体材料
