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王晶晶

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:东北大学理学院材料物理与化学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇生长速率
  • 1篇外延法
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延法
  • 1篇CAC
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度
  • 1篇错配度

机构

  • 1篇东北大学

作者

  • 1篇孙本哲
  • 1篇张炳森
  • 1篇李茂林
  • 1篇王晶晶
  • 1篇祁阳

传媒

  • 1篇金属学报

年份

  • 1篇2009
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)薄膜的分子束外延法制备及结晶性
2009年
在BiO-(Sr+Ca)O-CuO相图上的Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)(Bi-2212)相附近选择不同成分,用分子束外延法制备成薄膜,利用XRD,EDS,SEM和AFM研究了成分、衬底温度和臭氧分压对Bi-2212相薄膜成相的影响,分析了生长速率和错配度对Bi-2212相薄膜质量的影响。结果表明,Bi-2212相薄膜单相生成的成分范围(原子分数)分别为Bi 26.3%—32.4%, (Sr+Ca)37.4%—46.5%,Cu 24.8%—32.6%;当衬底温度为720℃且臭氧分压为1.3×10^(-3)Pa时,在MgO(100)衬底上生长出质量较高的c轴外延Bi-2212相薄膜;通过调整生长速率、更换衬底和插入不同厚度的Bi_2Sr_2CuO_(6+δ)过渡层的方法,可以改善Bi-2212相薄膜的结晶质量、表面形貌和导电特性。
张炳森李茂林王晶晶孙本哲祁阳
关键词:分子束外延衬底温度生长速率错配度
共1页<1>
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