王洛欣 作品数:16 被引量:2 H指数:1 供职机构: 天津理工大学 更多>> 发文基金: 河北省自然科学基金 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
ZnO薄膜的正交实验设计及其分析 被引量:2 2013年 采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,考虑影响晶体质量的4个因素,应用正交实验法进行了工艺优化;利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当陈化温度50℃、预处理温度200℃、退火温度650℃和Zn2+浓度0.35 mol/L时,ZnO薄膜的C轴择优取向度最高. 王洛欣 代红丽关键词:ZNO薄膜 正交法 晶体结构 一种任意波形光脉冲发生器 一种任意波形光脉冲发生器,由单波长激光器、偏振控制器、幅度调制器、可调调谐带通滤波器、微波延时线、20:80耦合器、微波耦合器、微波源和掺铒光纤放大器组成,由微波源产生的微波经过耦合器分成两路,经过可调谐微波延时线后,利... 潘洪刚 宋殿友 薛玉明 张爱玲 王洛欣文献传递 基于二维材料光电器件的再生锁模光纤激光器 基于二维材料光电器件的再生锁模光纤激光器,由掺铒光纤放大器(1)、偏振控制器(2)、电光调制器(3)、光纤环形器(4)、二维材料光电器件(5)、窄带微波滤波器(6)、窄带微波放大器(7)、微波移相器(8)、可调光纤延时线... 潘洪刚 张爱玲 宋红云 王洛欣 姚远 张悦文献传递 具有纵向源极场板的绝缘体上硅器件新结构 2017年 采用软件仿真一系列横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Laterally double-diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)结构,为缓解绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)器件的击穿电压VB和漂移区的比导通电阻Ron.sp之间的矛盾关系,提出了一种具有纵向源极场板的双槽SOI新结构。该结构首先采用槽栅结构,以降低比导通电阻Ron.sp;其次,在漂移区内引入SiO_2介质槽,以提高击穿电压VB;最后,在SiO_2介质槽中引入纵向源极场板,进行了电场重塑。通过仿真实验,获得器件表面电场、纵向电场曲线及器件击穿时的电势线和导通时的电流线等。结果表明,新结构的VB较传统LDMOS器件提高了121%,Ron.sp降低了9%,器件优值FOM值达到15.2 MW·cm^(-2)。 代红丽 赵红东 王洛欣 石艳梅 李明吉关键词:绝缘体上硅 击穿电压 比导通电阻 批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法 本发明批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法,涉及半导体器件的测试,步骤是:第一步,建立批量半导体器件参数测试的坐标;第二步,建立二维参数显示空间;第三步,建立三维参数显示空间;第四步,显示批量半导体器件参数测试中重... 赵红东 张魁 孙梅 杨磊 李志勇 王洛欣一种主被动锁模光纤激光器 一种主被动锁模光纤激光器,属于光纤通信和光电子技术领域,由掺铒光纤放大器、偏振控制器、信号发生器、电光调制器、可调滤波器、可调光纤延时线、20:80光纤耦合器组成;电光调制器由氧化硅衬底、单模光纤、二维黑磷纳米薄片、IT... 潘洪刚 张爱玲 张楷亮 王洛欣文献传递 一种暗脉冲光纤激光器 一种暗脉冲光纤激光器,由半导体光放大器、光环形器、带通滤波器、单模光纤、50:50耦合器、20:80耦合器、光隔离器、偏振控制器组成并通过光纤连接构成两个闭合回路,该激光器通过反馈的激光对谐振腔内的激光产生交叉增益调制和... 潘洪刚 薛玉明 张爱玲 王洛欣 宋殿友文献传递 一种任意波形光脉冲发生器 一种任意波形光脉冲发生器,由单波长激光器、偏振控制器、幅度调制器、可调调谐带通滤波器、微波延时线、20:80耦合器、微波耦合器、微波源和掺铒光纤放大器组成,由微波源产生的微波经过耦合器分成两路,经过可调谐微波延时线后,利... 潘洪刚 宋殿友 薛玉明 张爱玲 王洛欣基于二维材料光电器件的再生锁模光纤激光器 基于二维材料光电器件的再生锁模光纤激光器,由掺铒光纤放大器(1)、偏振控制器(2)、电光调制器(3)、光纤环形器(4)、二维材料光电器件(5)、窄带微波滤波器(6)、窄带微波放大器(7)、微波移相器(8)、可调光纤延时线... 潘洪刚 张爱玲 宋红云 王洛欣 姚远 张悦一种脉宽可调谐暗脉冲激光器 一种脉宽可调谐暗脉冲激光器,由单频激光器、偏振控制器Ⅰ、强度调制器、高频信号源、光环形器、半导体光放大器或非线性光波导、偏振控制器Ⅱ、光隔离器、20:80耦合器和带通滤波器串联并组成闭合回路构成激光器的谐振腔,20:80... 潘洪刚 薛玉明 王洛欣 宋殿友文献传递