田景全
- 作品数：60 被引量：248H指数：8
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- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术核科学技术更多>>
- 磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率(英文)被引量：3
- 2009年
- 氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料,通常采用化学气相沉积方法制备。但是这种制备方法存在缺欠。采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜。研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响。发现沉积速率随着射频功率的增加而增加;随着氧气含量的增加,先减小后增大;当溅射压强在0.4～0.8Pa之间变化时,沉积速率变化很小,当溅射压强超过0.8Pa时沉积速率迅速下降。讨论了不同生长条件下造成氧化硅薄膜生长速率变化的原因。
- 姜德龙王新向嵘王国政田景全
- 关键词：氧化硅磁控溅射
- 基于低强度X射线影像仪的图像退化和复原方法
- 图像的退化是引起X射线影像仪图像质量下降的主要原因,通过对图像复原,可以改善图像质量,提高系统的清晰度.本文分析了影像仪图像退化的原因,重点介绍了影像仪的点扩展函数的获取方法,并以台阶铝板的X射线图像为例,说明了其复原过...
- 但唐仁田景全姜得龙
- 关键词：图像退化图像恢复点扩展函数
- 文献传递
- 低强度X射线影像仪图像的退化和复原
- 图像的退化是引起X射线影像仪图像质量下降的主要原因,通过对图像复原,可以改善图像质量,提高系统的清晰度。这里分析了影像仪图像退化的原因,重点介绍了影像仪的点扩展函数的获取方法,并以台阶铝板的X射线图像为例,说明了其复原过...
- 但唐仁田景全李野姜得龙卢耀华
- 关键词：图像退化图像恢复点扩展函数反滤波
- 文献传递
- 紫外透过对MCP增益特性测量影响的研究
- 张柏福田景全富丽晨
- 关键词：光电器件紫外辐射微通道板
- 新型变密度卤化物/MCP反射式X射线敏感薄膜的研究被引量：4
- 2002年
- 在MCP输入端通道内壁制作了反射式X射线敏感膜层 ,提高了MCP对能量 35～ 5 0keVX射线的探测能力。实验结果表明 :变密度结构的CsI/MCP中膜层结构较密实时 ,其输出响应可提高 5～ 6倍 ,较无膜MCP提高 1～ 2个数量级 ,和CsBr、KBr相比较 ,以CsI的响应特性为最佳 ;膜层材料、结构、工艺和X射线能量等是影响探测能力的主要因素。
- 田景全姜德龙孙秀平富丽晨但唐仁李野卢耀华端木庆铎
- 关键词：MCP卤化物微通道板
- 硅诱导坑形成及深孔列阵电化学微加工工艺方案的探讨被引量：2
- 2005年
- 本文采用P型单晶硅片,在三极电解槽中,进行了电化学深刻蚀的探索性实验。对湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究,同时,采用SEM对实验样品进行了形貌分析,并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析。通过理论和实验研究,发现即使硅片晶向不准,仍能刻蚀出方孔列阵。其结果对进一步开展这方面的研究工作具有指导意义,在进一步深入开展研究电化学体硅微加工技术时,可有望成为实现硅深孔列阵加工的新技术。
- 高延军王国政端木庆铎田景全
- 关键词：电化学刻蚀各向异性
- 改善微通道板工作稳定性的新方法
- 富丽晨张柏福田景全
- 关键词：稳定性光电倍增管光电器件光电子发射微通道板
- 基于BCG-MCP的四代微光像增强技术被引量：18
- 2003年
- 介绍了Ⅲ代微光像管中的防离子反馈膜技术 ,阐述了美国Litton公司基于BCG MCP的Ⅳ代像管的近期发展及应用概况 ,给出了实际应用中的对比情况 ,指出了BCG MCP。
- 姜德龙吴奎王国政李野富丽晨端木庆铎田景全
- 关键词：离子反馈
- 氧化硅薄膜的制备和性质研究被引量：2
- 2010年
- 在室温条件下,采用反应磁控溅射方法,在硅衬底上制备氧化硅薄膜。研究了制备过程中不同氧气含量时氧化硅薄膜的生长速率、薄膜中的O/Si原子比例、表面粗糙度、薄膜的介电性能。发现薄膜的生长速率和介电常数随溅射时氧气含量的增加先增大后减小;薄膜中的O/Si原子比例随氧气含量的增加先增大,后来变化不明显,且很难达到或超过理想比例(2∶1);薄膜的粗糙度随氧气含量的增加先减小,后来基本保持不变。
- 王新向嵘李野王国政姜德龙端木庆铎田景全
- 关键词：磁控溅射氧化硅生长速率介电常数
- 低强度X射线影像仪图像的退化和复原
- 图像的退化是引起X射线影像仪图像质量下降的主要原因.通过对图像复原,可以改善图像质量,提高系统的清晰度.这里分析了影像仪图像退化的原因,重点介绍了影像仪的点扩展函数的获取方法,并以台阶铝板的X射线图像为列,说明了其复原过...
- 但唐仁田景全李野姜得龙卢耀华
- 关键词：图像退化图像恢复点扩展函数
- 文献传递
