胡天存
- 作品数：77 被引量：121H指数：7
- 供职机构：西安空间无线电技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术金属学及工艺更多>>
- 一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法
- 本发明涉及一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法，该方法将等离子体增强化学气相沉积纳米石墨烯工艺技术应用到了抑制二次电子发射领域，并通过对工艺过程进行改进和优化设计，在金属基片表面实现了厚度可控的纳米石墨烯薄膜生长...
- 谢贵柏崔万照杨晶胡天存
- 一种宽带非接触式圆波导旋转关节及设计方法
- 本发明公开了一种宽带非接触式圆波导旋转关节及设计方法，该宽带非接触式圆波导旋转关节包括：第一圆波导、圆柱面金属凸体阵列、轴承、第二圆波导、屏蔽腔和轴承固定腔；第一圆波导末端设置有金属凸体阵列；第二圆波导末端依次设置有屏蔽...
- 陈翔孙冬全李军李小军崔万照胡天存黄微
- 文献传递
- 微放电效应研究进展被引量：38
- 2011年
- 微放电效应是空间大功率微波部件的特殊效应之一。文章简要介绍了微放电效应的概念,重点阐述了微放电效应在理论分析及数值模拟、多载波微放电、抑制方法和实验测试等4个方面的研究进展,最后指出了微放电未来发展的趋势。
- 张娜崔万照胡天存王新波
- 关键词：微放电
- 一种高微放电阈值的脊波导滤波器及其设计方法
- 一种高微放电阈值的脊波导滤波器及其设计方法，本发明提出的高微放电阈值脊波导滤波器包括盖板、滤波器外壳、矩形波导、脊波导、填充层和TNC接头。所述盖板的内表面必须平整，所述多节脊波导通过矩形波导连接，输入输出两端分别装配T...
- 胡天存崔万照夏亚峰
- 文献传递
- 一种确定网状反射面天线无源互调量的方法
- 本发明涉及一种确定网状反射面天线无源互调量的方法，属于星载微波部件空间特殊效应技术领域。本发明通过建立实际网状反射面天线的等效网孔模型简化计算，将电大尺寸网状反射面天线的时域计算变为可能，同时保证了计算准确度，结合非线性...
- 李韵崔万照王新波李军胡天存王瑞张娜白鹤
- 一种基于等离子体面阵的强电磁脉冲防护装置及方法
- 本发明提供了一种基于等离子体面阵的强电磁脉冲防护装置及方法，强电磁脉冲防护装置包括基板及在基板上阵列排布的气体放电管，气体放电管内设置有正偏置电极和负偏置电极，正偏置电极和负偏置电极连接电源正负极，在正偏置电极和负偏置电...
- 陈泽煜崔万照王瑞张娜白鹤王新波胡天存
- 金属规则表面形貌影响二次电子产额的解析模型被引量：5
- 2015年
- 表面形貌是影响二次电子发射特性的重要因素,但目前仍缺乏刻画这一影响规律的解析模型.本文通过分析发现表面结构的遮挡作用是影响二次电子发射特性的主要因素.基于二次电子以余弦角分布出射的规律,提出了建立表面形貌参数与二次电子产额之间定量关系的方法,并以矩形槽和三角槽为例,建立了电子正入射和斜入射时的一代二次电子产额的解析模型.将推导的解析模型与Monte Carlo模拟结果和实验结果进行了比较,结果表明本文建立的模型能够正确反映规则表面形貌的二次电子产额.本文的模型对于反映常用规则结构影响二次电子出射的规律以及指导通过表面结构调控二次电子发射特性都具有参考价值.
- 张娜曹猛崔万照胡天存王瑞李韵
- 关键词：二次电子发射解析模型
- 一种宽带抗磨损的圆波导旋转关节及设计方法
- 本发明公开了一种宽带抗磨损的圆波导旋转关节及设计方法，该圆波导旋转关节包括：第一圆波导、圆柱面金属凸体阵列、滚珠、轴承、第二圆波导、屏蔽腔和轴承固定腔；第一圆波导末端设置有金属凸体阵列，金属凸体阵列中每个金属凸体上内嵌一...
- 陈翔李军孙冬全崔万照李小军刘翡胡天存
- 文献传递
- 空间大功率微波部件无源互调检测与定位技术被引量：6
- 2015年
- 文章综合论述了国内外空间大功率微波部件无源互调检测与定位技术现状,讨论了影响检测系统性能的主要关键因素。针对PIM信号的瞬态跳变特征,提出PIM信号实时检测方法并进行了实验验证。基于以上工作,文章进一步分析了无源互调检测技术的发展趋势,宽带大功率高灵敏度实时检测成为无源互调检测技术必然的发展方向。最后,针对无源互调定位,分别总结讨论了封闭和开放结构的无源互调定位技术现状及主要实现方法。
- 陈翔崔万照李军王新波胡天存
- 关键词：无源互调
- 磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射被引量：4
- 2018年
- 降低表面的二次电子产额是抑制微波部件二次电子倍增效应和提升功率阈值的有效途径之一,目前主要采用在表面构造陷阱结构和沉积非金属薄膜的方法降低二次电子产额,其缺点是会改变部件的电性能.针对此问题,采用在表面沉积高功函数且化学惰性的金属薄膜来降低二次电子产额.首先,采用磁控溅射方法在铝合金镀银样片表面沉积100 nm铂,测量结果显示沉积铂后样片的二次电子产额最大值由2.40降至1.77,降幅达26%.其次,用相关唯象模型对二次电子发射特性测量数据进行了拟合,获得了在40-1500 eV能量范围内能够准确描述样片二次电子产额特性的Vaughan模型参数,以及在0-50 eV能量范围内能够很好地拟合二次电子能谱曲线的Chung-Everhart模型参数.最后,将获得的实验数据和相关拟合参数用于Ku频段阻抗变换器的二次电子倍增效应功率阈值仿真研究,结果表明通过沉积铂可将部件的功率阈值由7500 W提升至36000 W,证实了所提方法的有效性.研究结果为金属材料二次电子发射特性的研究提供实验数据参考,对抑制大功率微波部件二次电子倍增效应具有参考价值.
- 何鋆俞斌王琪白春江杨晶胡天存谢贵柏崔万照
- 关键词：金属薄膜铂
