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胡春峰
作品数:
19
被引量:8
H指数:1
供职机构:
中国科学院金属研究所
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发文基金:
中国科学院“百人计划”
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相关领域:
一般工业技术
化学工程
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合作作者
周延春
中国科学院金属研究所
包亦望
中国科学院金属研究所
李美栓
中国科学院金属研究所
万德田
中国科学院金属研究所
林志军
中国科学院金属研究所
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作者
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胡春峰
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周延春
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包亦望
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何灵峰
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李方志
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王京阳
2篇
林志军
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万德田
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李美栓
传媒
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2011
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2010
4篇
2009
6篇
2008
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2007
1篇
2005
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19
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一种原位反应热压合成Nb<Sub>4</Sub>AlC<Sub>3</Sub>块体陶瓷
本发明涉及一种原位反应热压合成Nb<Sub>4</Sub>AlC<Sub>3</Sub>块体陶瓷及其制备方法。所述Nb<Sub>4</Sub>AlC<Sub>3</Sub>块体陶瓷属六方晶系,空间群为P6<Sub>3</...
周延春
胡春峰
李方志
包亦望
文献传递
一种Ta<Sub>2</Sub>AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法
本发明涉及一种原位反应热压制备Ta<Sub>2</Sub>AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法。所述Ta<Sub>2</Sub>AlC纳米层状陶瓷属六方晶系,空间群为P6<Sub>3</Sub>/mmc,单胞晶格常数a为3...
周延春
胡春峰
包亦望
文献传递
一种纳米层状Ta<Sub>2</Sub>AlC陶瓷粉体及其制备方法
本发明涉及单相纳米层状陶瓷粉体及制备方法,具体为一种原位反应制备纳米层状Ta<Sub>2</Sub>AlC陶瓷粉体及其制备方法。所述纳米层状Ta<Sub>2</Sub>AlC陶瓷属六方晶系,空间群为P6<Sub>3</S...
周延春
胡春峰
包亦望
文献传递
一种原位反应热压合成TaC-SiC陶瓷复合材料
本发明涉及陶瓷基复合材料及合成方法,具体为一种原位反应热压合成TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法,以解决TaC的抗氧化性能不理想,在氧化气氛中很容易形成疏松的表面氧化层等问题。TaC和SiC两种成分相被原位生成,Si...
周延春
胡春峰
何灵峰
包亦望
文献传递
一种原位反应热压合成TaC-TaSi<Sub>2</Sub>陶瓷复合材料及其制备方法
本发明涉及陶瓷基复合材料及制备方法,具体为一种原位反应热压合成TaC-TaSi<Sub>2</Sub>陶瓷复合材料及其制备方法。TaC和TaSi<Sub>2</Sub>两种成分相被原位生成,按体积百分含量计,0<TaSi...
周延春
胡春峰
包亦望
文献传递
一种原位反应热压合成TiB<Sub>2</Sub>-NbC-SiC高温陶瓷复合材料及其制备方法
本发明涉及陶瓷基复合材料及制备方法,具体为一种原位反应热压制备TiB<Sub>2</Sub>-NbC-SiC高温陶瓷复合材料的方法。三种成分相被原位生成,其中Nb固溶到TiB<Sub>2</Sub>中生成Ti(Nb)B<...
周延春
胡春峰
包亦望
文献传递
一种原位反应热压合成Nb<Sub>4</Sub>AlC<Sub>3</Sub>块体陶瓷及其制备方法
本发明涉及一种原位反应热压合成Nb<Sub>4</Sub>AlC<Sub>3</Sub>块体陶瓷及其制备方法。所述Nb<Sub>4</Sub>AlC<Sub>3</Sub>块体陶瓷属六方晶系,空间群为P6<Sub>3</...
周延春
胡春峰
李方志
包亦望
文献传递
一种氧化铝增强钛硅铝碳基陶瓷复合材料及其制备方法
本发明涉及陶瓷基复合材料及制备方法,具体为一种热压制备氧化铝增强钛硅铝碳基(Ti<Sub>3</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>Al<Sub>x</Sub>C<Sub>2</Sub>/Al<Sub>2</Sub>...
周延春
胡春峰
万德田
包亦望
文献传递
一种原位反应热压合成V<Sub>2</Sub>AlC块体陶瓷及其制备方法
本发明涉及单相块体陶瓷及制备方法,具体为一种原位反应热压合成V<Sub>2</Sub>AlC块体陶瓷及其制备方法。本发明V<Sub>2</Sub>AlC块体陶瓷由单相V<Sub>2</Sub>AlC组成,通过原位反应热压...
周延春
胡春峰
包亦望
文献传递
一种原位热压/固液相反应制备钽铝碳陶瓷的方法
本发明涉及可加工层状陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位热压/固-液相反应制备钽铝碳(Ta<Sub>4</Sub>AlC<Sub>3</Sub>,Ta<Sub>2</Sub>AlC及两相复合)陶瓷块体材料的方法,其特征在于...
周延春
林志军
李美栓
王京阳
胡春峰
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