2024年8月30日
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蔡小五
作品数:
19
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供职机构:
辽宁大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
高哲
辽宁大学
魏俊秀
辽宁大学
闫明
辽宁大学
梁超
辽宁大学
吕川
辽宁大学
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机构
19篇
辽宁大学
作者
19篇
梁超
19篇
闫明
19篇
蔡小五
19篇
魏俊秀
19篇
高哲
18篇
吕川
14篇
刘兴辉
4篇
郭红梅
年份
1篇
2019
1篇
2018
6篇
2017
1篇
2016
5篇
2015
1篇
2014
4篇
2013
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PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件
本发明涉及一种PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件。采用的技术方案是:P型衬底上设N阱,在N阱上设有第一N+注入区和第一P+注入区,第一P+注入区临近N阱和P型衬底的交界处,第一N+注入区和第一P+注入区接阳...
蔡小五
梁超
魏俊秀
吕川
闫明
高哲
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用于集成电路的静电放电电源钳制电路及其控制方法
本发明公开了用于集成电路的静电放电电源钳制电路及其控制方法,采用NMOS晶体管、BigFET晶体管、电阻与反相器相结合的设计电路,使用NMOS晶体管代替传统的电阻和电容,使用BigFET晶体管释放静电放电(ESD)电流,...
蔡小五
吕川
高哲
魏俊秀
梁超
闫明
刘兴辉
文献传递
集成电路高压兼容静电放电的电源钳制电路
本发明公开了集成电路高压兼容静电放电的电源钳制电路,采用PMOS晶体管、NMOS晶体管、电阻与二极管相结合的设计电路,在能够有效的释放静电放电(ESD)电流的同时,避免了使用比较大的电阻和电容而带来的浪费芯片面积的问题。...
蔡小五
高哲
吕川
魏俊秀
闫明
梁超
刘兴辉
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PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件
本发明涉及一种PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件。采用的技术方案是:P型衬底上设N阱,在N阱上设有第一N+注入区和第一P+注入区,第一P+注入区临近N阱和P型衬底的交界处,第一N+注入区和第一P+注入区接阳...
蔡小五
梁超
魏俊秀
吕川
闫明
高哲
文献传递
分数阶全局滑模互联网拥塞控制方法
本发明涉及一种分数阶全局滑模互联网拥塞控制方法。属于互联网拥塞控制领域。为更好地解决互联网中存在的拥塞问题,该方法利用全局滑模的强鲁棒性和分数阶良好的记忆性来共同提高拥塞控制效果。在网络拥塞控制模型中引入了参数摄动项,代...
闫明
魏俊秀
梁超
高哲
蔡小五
文献传递
采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp
本发明涉及一种采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp。采用的技术方案是:包括RC触发的检测电路,R1和C构成ESD监测电路,放在VDD和VSS之间,反相器Ⅰ放在RC监测电路之后,输入端和Fil...
蔡小五
高哲
闫明
梁超
魏俊秀
吕川
文献传递
一种用于ESD保护的低压触发SCR器件
本发明公开了一种用于ESD保护的低压触发SCR器件。本发明创造采用第一PMOS和第二PMOS分别进行衬底触发和栅触发,从而降低SCR器件的触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间,第一PMOS和第二P...
蔡小五
魏俊秀
梁超
闫明
吕川
刘兴辉
高哲
郭红梅
文献传递
一种NMOS低压触发的双向SCR结构
一种NMOS低压触发的双向SCR结构,包括有P型衬底,其结构为:在P型衬底上形成PWell阱、NWell阱,其中PWell阱设在中间位置,PWell阱两侧形成NWell阱;一侧的NWell阱里形成第一N+注入区和第一P+...
蔡小五
魏俊秀
高哲
梁超
刘兴辉
翟丽蓉
吕川
闫明
文献传递
一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件
一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件,包括有P型衬底,其结构为:在P型衬底上设有NWell阱和PWell阱,PWell阱设置在中间,NWell阱设在PWell阱两侧;中间的PWell阱里形成有第三P+注入区;一侧的...
蔡小五
魏俊秀
高哲
梁超
刘兴辉
翟丽蓉
吕川
闫明
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采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp
本发明涉及一种采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp。采用的技术方案是:包括RC触发的检测电路,R1和C构成ESD监测电路,放在VDD和VSS之间,反相器Ⅰ放在RC监测电路之后,输入端和Fil...
蔡小五
高哲
闫明
梁超
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