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解意洋
作品数:
83
被引量:26
H指数:4
供职机构:
北京工业大学
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发文基金:
国家自然科学基金
北京市自然科学基金
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
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合作作者
徐晨
教育部
潘冠中
北京工业大学
王秋华
北京工业大学
邓军
北京工业大学
陈弘达
北京工业大学
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作者
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解意洋
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徐晨
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2009
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一种基于苯并环丁烯和氧化硅球的微透镜制备方法
本发明公开了一种基于苯并环丁烯和氧化硅球的微透镜制备方法,利用SiO2和BCB来作为微透镜的制备材料不仅可以制备出不同球冠大小微透镜还可以制备出不同弧度的微透镜。该微透镜包括衬底、BCB和SiO2微球,用匀胶机将混有Si...
解意洋
庞伟
潘冠中
徐晨
王秋华
文献传递
一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法
本发明公开了一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法,涉及微纳结构及半导体激光器技术领域,其结构主要包括欧姆接触保护电极、周期交替生长的上分布布拉格反射镜、电流限制氧化孔、氧化限制层;有源区、周期性交替生长的下...
解意洋
傅攀
徐晨
常鹏鹰
包蕾
吴博
裴宪梓
低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器,属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时...
徐晨
解意洋
王宝强
刘英明
阚强
王春霞
文献传递
一种扩锌的电流扩展层的VCSEL耦合阵列结构及工艺
本发明公开了一种扩锌的电流扩展层的VCSEL耦合阵列结构及工艺,属于半导体激光器技术领域。本发明通过刻、溅射、剥离、PECVD、ICP等工艺制备了含Zn/Ti/Au的电流扩展层的VCSEL。它解决了VCSEL同相耦合阵列...
徐晨
袁江缘
解意洋
傅攀
包蕾
常鹏鹰
双环结构微纳生物传感器及其制作方法
一种双环结构的微纳生物传感器,包括:一SOI基片,该SOI基片的顶层为顶层硅;一双环结构,该双环结构形成于SOI基片的顶层硅上;一输入波导和一输出波导,该输入波导和输出波导位于双环结构的两侧,并形成于SOI基片的顶层硅上...
苏保青
王春霞
阚强
李俊华
解意洋
王真真
陈弘达
文献传递
一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法
本发明公开了一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法,该方法包括以下步骤:将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在绝缘衬底上作为催化生长石墨烯的基材;将覆有铜箔的衬底置于三温区热CVD系统中使用梯度温控的方法低温生长石墨...
徐晨
邓军
钱峰松
解意洋
胡良臣
一种共振隧穿铁电隧道结
本发明涉及一种共振隧穿铁电隧道结。一种共振隧穿铁电隧道结,包括依次堆叠的:下电极、第一铁电层、绝缘层、第二铁电层和上电极;其中,所述第一铁电层和所述第二铁电层的厚度不同;所述绝缘层的势垒高度既低于所述第一铁电层的势垒高度...
常鹏鹰
解意洋
一种衰减器
本发明涉及一种衰减器,属于信号传输技术领域,尤其涉及一种采用相位相消的方式实现信号衰减的可变衰减器。该衰减器包括差分输入端RFIN1、差分输入端RFIN2、输入缓冲器1、输入缓冲器2,pHEMT管M1,pHEMT管M2,...
徐晨
安亚宁
潘冠中
解意洋
王秋华
董毅博
文献传递
一种优化光子晶体面发射激光器方法
一种优化光子晶体面发射激光器方法属于半导体光电子技术领域。所述方法在氧化限制型面发射激光器和二维光子晶体横向耦合基础的上将氧化孔径与光子晶体缺陷孔径纵向匹配耦合。通过优化氧化孔径和光子晶体缺陷孔径的关系,制备氧化孔径比光...
徐晨
解意洋
朱彦旭
邓军
毛明明
魏思民
曹田
阚强
王春霞
陈弘达
文献传递
一种非破坏性垂直腔面发射激光器电流限制孔径测定装置
本实用新型公开了一种非破坏性垂直腔面发射激光器电流限制孔径测定装置,该改装置由探针台,直流电源,显微镜,光学衰减片,CCD探测器和计算机组成。本实用新型利用激光器激射前的荧光光斑的形状来测定电流限制孔径的形状大小,可测量...
徐晨
周康
解意洋
赵振波
刘发
沈光地
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