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赵倩

作品数：63 被引量：5H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇专利
  • 7篇学位论文
  • 4篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 22篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇医药卫生
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 37篇损耗
  • 37篇关断
  • 37篇关断损耗
  • 36篇导通
  • 35篇导通压降
  • 26篇槽栅
  • 22篇半导体
  • 21篇栅电荷
  • 18篇功率器件
  • 18篇半导体功率器...
  • 14篇晶体管
  • 14篇IGBT器件
  • 13篇双极型
  • 13篇双极型晶体管
  • 13篇沟槽
  • 11篇绝缘栅
  • 11篇绝缘栅双极型...
  • 10篇漂移区
  • 9篇载流子
  • 8篇禁带

机构

  • 63篇电子科技大学

作者

  • 63篇赵倩
  • 49篇张波
  • 49篇李泽宏
  • 49篇张金平
  • 44篇刘竞秀
  • 27篇任敏
  • 8篇王康
  • 5篇高巍
  • 4篇赵阳
  • 2篇张庶
  • 2篇杨洋
  • 2篇李恩竹

传媒

  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇第十一次全国...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 6篇2021
  • 15篇2020
  • 9篇2019
  • 23篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 63 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法
一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。通过减小传统双向沟槽栅电荷存储型IGBT结构中发射区沿基区顶层延伸的深度，并引入分裂沟槽栅结构，所述分裂沟槽栅结构包括栅电极及其周侧栅介质层和位于...
张金平赵倩赵阳刘竞秀李泽宏张波
一种具有内置JFET结构的IGBT器件
一种具有内置JFET结构的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供的IGBT器件结构通过在传统槽栅型IGBT的体区引入JEFT区，JFET区等效为可变电阻，在器件正向导通时存储空穴，正向阻断时为空穴提供快速泄...
李泽宏彭鑫赵倩杨洋张金平高巍任敏张波
文献传递
直接扩频信号的检测与估计
直接扩频序列调制是用速率很高的伪噪声码序列与信息码序列模二相加后(波形相乘)得带复合码序列，用复合码序列去控制载波相位，从而获得直接扩频序列信号的。直接扩频通信具有低截获概率、抗干扰能力强以及易于实现码分多址等优点，在抗...
赵倩
关键词：信号检测信号估计抗干扰通信
文献传递
生物膜对多孔羟基磷灰石陶瓷支架成骨效能影响的动物实验
代彦君赵倩陈争晖牟雁东
基于混合演化规则下的零行列式策略演化研究
2021年
在重复囚徒困境中,零行列式策略是一种能够单方面控制博弈双方收益关系的策略,其中剥削策略总是能够获得一个不小于对手的收益。该文基于复制−期望的混合演化规则,研究了合作策略、背叛策略和零行列式策略在方格网络上的演化动力学。通过蒙特卡洛仿真,发现在混合演化规则下,剥削策略能够有效地促进方格网络上合作行为的涌现。通过对演化过程的微观分析,发现“合作−剥削联盟”的存在帮助了合作策略抵制背叛策略的入侵,并且剥削系数对合作策略在方格网络上的扩散有着非单调的作用。
赵倩毛雅俊
关键词：复杂系统演化博弈论
一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法
一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过合理引入分裂沟槽栅结构和浮空P型体区，在不影响IGBT器件阈值电压和开通的情况下，减小了密勒电容，改善了密勒效应带来的不利影响；降低了整体栅...
张金平田丰境赵倩刘竞秀李泽宏任敏张波
文献传递
一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法
一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT，属于半导体功率器件技术领域。通过加宽传统沟槽栅结构并采用侧墙栅电极结构形成位于基区下方的台面(mesa)结构以及引入屏蔽沟槽结构，本发明在实现了器件对称的正/反向导通与关断特性的同时增大...
张金平赵倩王康刘竞秀李泽宏张波
一种RC-IGBT器件及其制备方法
本发明公开一种RC‑IGBT器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统RC‑IGBT器件中采用禁带宽度不同的半导体材料形成集电极短路区，集电极短路区材料的禁带宽度大于与之相接触的半导体材料的禁带宽度，从而...
张金平邹华罗君轶赵倩刘竞秀李泽宏张波
文献传递
一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法
一种沟槽栅电荷存储型IGBT，属于半导体功率器件技术领域。通过加宽传统沟槽栅结构并采用侧墙栅电极结构形成位于基区下方的台面(mesa)结构，以及引入屏蔽电荷存储层电场的屏蔽沟槽结构，增大了载流子注入增强效应，改善了正向导...
张金平赵倩王康刘竞秀李泽宏张波
文献传递
一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过改进传统电荷存储型IGBT器件的电荷存储层，远离漂移区的电荷存储层所用半导体材料相比靠近漂移区的电荷存储层半导体材料的禁带宽度更大，使得不同...
张金平赵倩王康刘竞秀李泽宏张波
文献传递
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