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辛传祯

作品数:7 被引量:8H指数:1
供职机构:天津理工大学更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇发光
  • 4篇发光器件
  • 3篇单色
  • 3篇单色性
  • 3篇电子结构
  • 3篇子结构
  • 3篇近红外
  • 3篇红外
  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇旋涂
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇红外光
  • 2篇发光效率
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...

机构

  • 7篇天津理工大学
  • 2篇天津师范大学

作者

  • 7篇辛传祯
  • 6篇张晓松
  • 5篇李萍
  • 4篇罗程远
  • 4篇陈义鹏
  • 3篇徐建萍
  • 3篇李开祥
  • 3篇李岚
  • 3篇李岚
  • 2篇李德军
  • 1篇王丽师
  • 1篇葛林

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇光电子.激光

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种无机量子点近红外光致发光器件及制备方法
一种无机量子点近红外光致发光器件,由发光层A、衬底、阳极电极层、发光层B和阴极电极层依次堆叠而成,其中发光层A和发光层B为单层无机量子点薄膜;该发光器件的制备方法是,通过旋涂工艺在透明衬底附有阳极电极层上制备无机量子点薄...
李岚辛传祯张晓松李开祥李萍罗程远陈义鹏
硫族半导体材料电子结构计算及其量子点电致发光器件
硫族半导体材料作为一类重要的半导体材料,具有良好的光电特性,被广泛地应用于显示和照明等领域。本文主要研究了ZnS和PbS两种典型的硫族半导体材料。首先采用第一性原理模拟计算方法,对闪锌矿结构的ZnS、ZnS:Er以及面心...
辛传祯
关键词:电子结构计算量子点电致发光器件
文献传递
ZnS:Er电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量:6
2012年
采用第一性原理平面波赝势方法,分析了ZnS及掺杂Er3+之后的电子结构,进而预测了其光学性质。结果表明,掺杂之后体系的带隙变窄,同时价带与导带之间形成一个新的中间带。随着掺杂Er3+浓度的增加,体系的绝缘性呈下降趋势,吸收光谱则发生红移现象。这一结论与前人报道的实验结果相符。
辛传祯李萍徐建萍张晓松李德军李岚
关键词:电子结构光学性质第一性原理计算
一种无机量子点近红外光致发光器件及制备方法
一种无机量子点近红外光致发光器件,由发光层A、衬底、阳极电极层、发光层B和阴极电极层依次堆叠而成,其中发光层A和发光层B为单层无机量子点薄膜;该发光器件的制备方法是,通过旋涂工艺在透明衬底附有阳极电极层上制备无机量子点薄...
李岚辛传祯张晓松李开祥李萍罗程远陈义鹏
文献传递
一种近红外无机量子点电致发光器件及制备方法
一种近红外无机量子点电致发光器件,由衬底、阳极电极层、发光层和阴极电极层依次堆叠而成,其中发光层为单层无机量子点薄膜,该发光器件的制备方法是,通过旋涂工艺在透明衬底的阳极电极层上,制备单层无机量子点薄膜作为发光层,最后通...
张晓松辛传祯李岚李开祥罗程远李萍陈义鹏
文献传递
Zn_(1-x)Cd_xS三元混晶的电子结构及光学性质计算与实验验证被引量:1
2012年
基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了Zn1-xCdxS三元混晶的电子结构和光学性质。计算结果表明,Cd进入ZnS晶格后,禁带宽度变窄,硫空位(VS)缺陷能级随x值增大逐渐向费米能级移动,在紫外和可见波段的吸收截止波长随着x值增大逐渐红移。采用共沉淀法制备了Zn1-xCdxS三元混晶,XRD图谱表明形成了Zn1-xCdxS合金相,吸收光谱显示了与理论计算相符的能带和吸收截止边的移动规律,荧光光谱显示与VS相关的发射峰随x增大逐渐红移,与计算得到的VS缺陷能级的移动规律相同。
李萍辛传祯徐建萍张晓松李德军李岚
关键词:密度泛函理论电子结构光学性质
PVK空穴传输层对Ndq_3近红外发光二极管性能的影响被引量:1
2013年
以PEDOT∶PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT∶PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均观察到了荧光发射,分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2能级跃迁。与参考器件对比分析认为,PEDOT∶PSS高的导电性降低了器件的串联电阻,增大了器件的工作电流;PVK与PEDOT∶PSS共同降低了空穴的注入势垒,实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外,PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度,也是器件性能提高的原因之一。
陈义鹏辛传祯罗程远王丽师葛林张晓松徐建萍李岚
关键词:空穴注入层空穴传输层
共1页<1>
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