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郑玉宏

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 5篇分子束外延生...
  • 3篇导体
  • 3篇稀磁半导体
  • 3篇半导体
  • 3篇磁性
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇CR掺杂
  • 2篇掺杂
  • 2篇磁性质
  • 1篇闪锌矿结构
  • 1篇室温铁磁性
  • 1篇平均场
  • 1篇自组织量子点
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇半金属
  • 1篇FE

机构

  • 5篇中国科学院
  • 3篇中国科学技术...

作者

  • 5篇郑玉宏
  • 3篇王玮竹
  • 3篇毕京锋
  • 3篇赵建华
  • 3篇邓加军
  • 1篇李树深
  • 1篇鲁军
  • 1篇夏建白

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 4篇2007
  • 1篇2006
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
Fe/GaAs异质结构的分子束外延生长及磁性研究
＜正＞集成电子电荷和自旋自由度进行信息处理和存储能够开发出高速低功耗的新型半导体器件,在半导体中产生和注入自旋极化载流子是实现这一目标的首要问题。然而目前与现有半导体器件兼容的Ⅲ-Ⅴ稀磁性半导体材料的居里温度远低于室温,...
鲁军邓加军郑玉宏王玮竹赵建华
关键词：分子束外延生长
文献传递
Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质研究
利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量证明了InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度高于400 K.
郑玉宏赵建华毕京锋王玮竹邓加军夏建白
关键词：稀磁半导体分子束外延INAS自组织量子点
文献传递
过渡族金属掺杂稀磁半导体平均场理论研究和分子束外延生长
本文将成功解释了(Ga,Mn)As等稀磁半导体材料中磁性来源的平均场理论推广到Fe2+掺杂和Co2+掺杂的稀磁半导体中，预言了它们相对于Mn2+掺杂的稀磁半导体会有更高的居里温度。通过优化生长参数，利用低温分子束外延(M...
郑玉宏
闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性
2007年
利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.
毕京锋赵建华邓加军郑玉宏王玮竹李树深
关键词：半金属室温铁磁性分子束外延
Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质
2007年
利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.
郑玉宏赵建华毕京锋王玮竹邓加军夏建白
关键词：稀磁半导体铁磁性分子束外延
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