高兴森
- 作品数：60 被引量：14H指数：3
- 供职机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- 铁电纳米结构中奇异极化拓扑畴的研究新进展被引量：1
- 2020年
- 铁电体中极化拓扑畴(如涡旋畴)有望带来一系列新颖物理现象、新性能和新应用前景(如存储器件应用),从而引起了广泛兴趣.尤其是近年来在铁电纳米结构中发现了一系列有趣的新奇极化拓扑畴态,例如涡旋、中心畴、斯格明子、麦韧(Meron,也有称半子)等,引发了新一轮探索热潮.这些发现为进一步探索其中蕴含的丰富多彩的物理现象创造了条件,也为调控和设计高性能材料和器件提供了新的基元和序构,从而形成拓扑电子学的概念.过去十年,这一领域经历了快速发展,成长为铁电物理领域的前沿热点.本文将回顾近年来在铁电纳米结构中奇异极化拓扑畴的研究新进展,并简要讨论了该领域所存在的问题和潜在发展方向.
- 杨文达陈洪英陈䶮田国高兴森
- 关键词：拓扑缺陷铁电畴
- 一种高储能密度陶瓷电容器电介质及其制备方法
- 本发明涉及一种高储能密度陶瓷电容器电介质及其制备方法，所述高储能密度陶瓷电容器由铁电材料固相烧结制成，所述铁电材料为锌、锡共掺杂铁酸铋‑钛酸钡，其化学组成为xBiFeO<Sub>3</Sub>‑(1‑x)[0.85BaT...
- 曾敏姬帅帅陆旭兵高兴森刘俊明
- 一种制备有序银纳米球阵列的方法
- 本发明实施例提供一种制备有序银纳米球阵列的方法，所述方法包括：制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品；在所述OAB阵列模板样品的表面热蒸镀10nm厚的银膜；将所述OAB阵列模板样品在500℃真空下退火1h，获得有序银纳米球阵...
- 张璋曾志强苏绍强高兴森
- 一种利用离子注入诱导BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜可逆相变的方法
- 本发明提供一种利用离子注入诱导BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜可逆相变的方法，对BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜注入氦离子，使其晶格随氦离子注入量的增加逐渐按菱方相→类四方相→四方相→超四方相的顺序发生转变，...
- 陈德杨陈超李才文邓雄孙菲高兴森
- 铁酸铋纳米结构中极化拓扑畴及其电导状态调控
- 高兴森
- 一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器及其制备方法
- 一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器，包括顶电极、铁酸铋(BFO)纳米岛和底电极，所述BFO纳米岛设于顶电极和底电极之间，且其可在外加直流偏压下由初始之字型畴结构转变为涡旋畴结构；当BFO纳米岛处于涡旋畴结构时，其涡...
- 高兴森杨文达刘俊明田国
- 一种新型铁电涡旋态纳米岛阵列的制备方法
- 一种新型铁电涡旋态纳米岛阵列的制备方法，包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极；S2：采用脉冲激光沉积法在SRO导电层上沉积一层菱方相BFO薄膜；S3：在S...
- 高兴森杨文达田国
- X型六角铁氧体Sr2Co2Fe28O46的单晶样品制备及磁介电性能研究
- 吴枚霞刘仲武高兴森李满荣
- 一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法及装置
- 一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法，包括以下步骤：S1：在偶氮苯液晶薄膜上通过磁控溅射制备具有介于垂直各向异性与水平各向异性之间的临界各向异性的磁性多周期膜；S2：通过微纳加工技术在步骤S1制得的磁性多周期...
- 侯志鹏王亚栋孟家慧陈家文高兴森
- 铁电纳米结构的电畴形貌及微区压电和电导特性
- 本工作主要通过多种方法制备铁电纳米岛及铁电纳米电极结构,并利用压电显微镜和导电显微镜对其微区压电和电导特征进行表征.通过脉冲激光沉积(PLD)和多孔氧化铝模板 (AAO) 模板相结合的方法,可制备出不同大小规格的Pb(Z...
- 高兴森苗青曾敏刘俊明
