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丰梅霞

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇英寸
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓单晶
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇半绝缘
  • 1篇半绝缘砷化镓
  • 1篇半绝缘砷化镓...
  • 1篇VB

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇牛沈军
  • 1篇兰天平
  • 1篇王建利
  • 1篇丰梅霞
  • 1篇常玉璟

传媒

  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2004
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排序方式：
3英寸VB半绝缘砷化镓单晶的研制
本文简要介绍了在自制的VB单晶炉上研制3英寸半绝缘砷化镓单晶情况.使用石英-PNB晶体生长系统,通过我们的工艺研究,生长出了半绝缘性能及热稳定性好的非掺半绝缘砷化镓单晶,而且位错密度至少要比LEC工艺低一个量级.
兰天平王建利丰梅霞常玉璟牛沈军
关键词：位错密度砷化镓单晶晶体生长
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