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任婷婷

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 5篇硫化
  • 5篇硫化钼
  • 4篇电池
  • 4篇载流子
  • 4篇太阳能电池
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 4篇衬底
  • 3篇激光
  • 3篇SUB
  • 3篇掺杂
  • 2篇导体
  • 2篇电流
  • 2篇电压
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇短路
  • 2篇短路电流
  • 2篇氧化铝薄膜
  • 2篇异质结

机构

  • 15篇华中科技大学

作者

  • 15篇任婷婷
  • 13篇曾祥斌
  • 12篇王文照
  • 12篇周广通
  • 12篇吴少雄

年份

  • 6篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2010
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池及其制造方法
本发明公开了一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池，其采用PVA/PVP光透膜层作为电池的窗口层，由于PVA/PVP光透膜层能够隔离空气，从而增加了硫化钼薄膜异质结太阳能电池的稳定性；并且其在P型单晶硅衬底与硫化钼薄膜层之间设置...
曾祥斌周广通王文照胡一说靳雯吴少雄曾洋任婷婷郭振宇
文献传递
激光诱导合成二硫化钼薄膜的研究
二硫化钼(MoS)作为一种过渡金属硫化物因其在电学、光学、力学等方面的优异性能而成为后硅时代的热点材料,不同于石墨烯材料的零带隙,MoS在由多层变为单层时,其能带从间接带隙变为带隙为1.8e V的直接带隙,加之优异的光电...
任婷婷
关键词：二硫化钼第一性原理掺杂场效应晶体管
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硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用
本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中...
曾祥斌郭振宇王文照胡一说吴少雄周广通曾洋任婷婷靳雯鲁基昌曾薏蓉肖永红
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一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法
本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二...
曾祥斌任婷婷胡一说王文照吴少雄周广通曾洋郭振宇靳雯王士博
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一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用
本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接...
曾祥斌王文照郭振宇吴少雄曾洋胡一说周广通靳雯任婷婷
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基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法
本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化...
曾祥斌曾洋吴少雄王文照胡一说周广通任婷婷郭振宇靳雯
硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用
本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中...
曾祥斌郭振宇王文照胡一说吴少雄周广通曾洋任婷婷靳雯鲁基昌曾薏蓉肖永红
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过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料领域。包括绝缘衬底、电极A、电极B、n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜；所述电极A和电极B分别位于绝缘衬底两端；n型过渡金属硫...
曾祥斌靳雯周广通胡一说任婷婷吴少雄王文照郭振宇曾洋肖永红
器件制备方法、二维材料器件与MoS<Sub>2</Sub>场效应晶体管
本发明提供了一种基于激光直写的器件制备方法、二维材料器件与MoS<Sub>2</Sub>场效应晶体管，所述的方法，包括：在绝缘衬底结构的中间区域涂覆未掺杂前驱体溶液；对所述中间区域进行激光直写，以在所述中间区域形成有源层...
曾祥斌肖永红胡一说任婷婷靳雯曾洋王士博郭振宇曾薏蓉鲁基昌
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一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法
本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二...
曾祥斌任婷婷胡一说王文照吴少雄周广通曾洋郭振宇靳雯王士博
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