余晨辉
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- Ni<,2>MnGa的大磁诱致应变的研究
- 余晨辉唐宁陈京兰沈宇平杨伏明吴光恒詹文山王中郑玉峰赵连成萧文德陈小喜庞金鹏祁守仁
- 关键词：铁磁性形状记忆合金大应变单晶
- Ni<,2>MnGa的大磁诱致应变的研究
- 余晨辉唐宁陈京兰沈宇平杨伏明吴光恒詹文山王中郑玉峰赵连成萧文德陈小喜庞金鹏祁守仁
- 关键词：铁磁性形状记忆合金磁场大应变单晶
- 文献传递网络资源链接
- Heusler合金Ni_(52)Mn_(24)Ga_(24)单晶生长和相变特性被引量：3
- 2000年
- Heusler合金Ni2 MnGa是具有马氏体相变、形状记忆效应的铁磁性金属间化合物 ,可产生很大的磁感生应变 ,是目前国际上热门的新型磁性功能材料。成分稍微偏离正分的Ni5 2 Mn2 4Ga2 4仍然具有高温相的L2 1结构 ,但马氏体相变温度在室温附近 ,显示出潜在的应用前景。用磁悬浮冷坩埚CZ单晶生长设备生长了Ni5 2 Mn2 4Ga2 4单晶。实验表明 [1 0 0 ]方向是材料的择优方向 ,交流磁化率测到马氏体相变温度为 2 93K ,反马氏体相变温度为 30 0K ,居里温度大于 370K ,高质量的单晶在发生马氏体相变时观察到变体的择优取向。变体呈斑马条纹状沿 [1 0 0 ]方向排列。这使样品相变时沿 [1 0 0 ]方向收缩 ,反马氏体相变时沿 [1 0 0 ]方向伸长 ,宏观应变达到 2 % ,对应于形状记忆效应 ,且为双程可重复。若在相变时附加 0 .6T的磁场 ,可使应变提高一倍而达到 4% ,为晶格畸变的 6 0 %。固定温度在马氏体相变附近 ,磁场引起的可回复应变达到 5× 1 0 -3 。超过传统大磁致伸缩材料一倍以上 ,这种特性只有在单晶中才能观察到。为此 ,Heusler合金NiMnGa很有可能成为新型的磁驱动功能材料。本工作还观察到晶体生长中的分凝现象 :随晶体的生长 ,Ni和Ga的成分高于原始配料成分 ,并逐渐降低 ,而Mn成分低于原始配料并逐渐升高。
- 陈京兰王文洪余晨辉唐宁吴光恒
- 关键词：相变HEUSLER合金
- Tb_2Fe_(17)和Tb_2(Fe,Si)_(17)磁性单晶的生长和相图
- 2000年
- R2 Fe17(R为稀土 )是一大类稀土金属间化合物 ,具有硬磁特性。本工作生长了Tb2 Fe17和以Si部分替代Fe的Tb2 Fe17-xSix(x =1 ,2 ,3)的单晶 ,并研究了单晶的磁性和该化合物的相图。实验发现 ,该材料单晶生长的择优方向为其基本结构 ,六方Th2 Ni17的c轴方向 ,有Si替代和无Si替代均能同成分生长。这一结果与最新版本所载的Tb Fe二元相图中Tb2 Fe17为强烈的包晶反应是不一致的。为此做了Tb2 Fe17成分附近各种成分的差热分析。证明了这一化合物的同成分熔化性质 ,确定了其熔点和附近的一个共晶点 ,修正了以往的相图。物性研究发现 ,当Si替代Fe达到x =3时 ,化合物结构出现基本的Th2 Ni17和另一种三角结构Th2 Zn17的混合。化合物的居里温度随Si含量增加而上升。Si的替代产生了低温下c轴方向的矫顽力 ,认为是Si取代Fe位引起的能垒变化对磁畴的钉扎所致。在无Si替代的单晶样品中 ,难磁化的c轴样品出现一级磁化过程 (FOMP) ,其起始磁场为 2 .5T ,比以往报道的 3.5T降低很多 ,表明较高的完整性和较低的缺陷密度降低了磁畴的钉扎势垒。
- 陈京兰孟丽琴王文洪余晨辉吴光恒
- 关键词：相图
