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刘世建

作品数:6 被引量:18H指数:2
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇面阵
  • 4篇焦平面
  • 4篇焦平面阵列
  • 4篇红外
  • 4篇红外焦平面
  • 4篇红外焦平面阵...
  • 3篇致冷
  • 3篇射频磁控
  • 3篇射频磁控溅射
  • 3篇溅射
  • 3篇非致冷
  • 3篇非致冷红外焦...
  • 3篇非致冷红外焦...
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇电阻
  • 2篇射频磁控溅射...
  • 2篇热电堆
  • 2篇热敏电阻
  • 2篇热释电

机构

  • 6篇华中科技大学
  • 1篇香港科技大学

作者

  • 6篇刘世建
  • 5篇曾祥斌
  • 5篇徐重阳
  • 1篇饶瑞
  • 1篇史济群
  • 1篇赵伯芳
  • 1篇王长安

传媒

  • 2篇压电与声光
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇信息记录材料

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 3篇2001
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
介电式非致冷红外焦平面阵列的基础研究
研究了射频磁控溅射法制备BST薄膜的动力模型,根据等离子体动力学推导出了离子的运动方程,从而指出了前驱体(靶材)的被溅射情况.在控制了靶的变形和SrO的挥发等问题的基础上,制备出了符合化学计量比,且其均匀性和致密度较好,...
刘世建
关键词:红外焦平面阵列射频磁控溅射法BST薄膜各向异性腐蚀
文献传递
非致冷红外焦平面阵列用探测材料被引量:1
2003年
非致冷红外焦平面阵列以其高密度、高性能和低成本 ,成为当前红外热成像技术的研究重点。探测材料是非致冷红外焦平面阵列的基础。重点介绍了目前比较成功的三类非致冷红外焦平面阵列———热电堆型、热电阻型和热释电型 。
刘世建徐重阳曾祥斌
关键词:非致冷红外焦平面阵列热电堆热敏电阻热释电
多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术被引量:1
2001年
采用 N2 O和 NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明 ,该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度 ,提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪分析表明在 p- Si/ Si O2界面有氮原子富积 ,说明生成了强的 Si-
曾祥斌Johnny K O Sin徐重阳饶瑞刘世建
关键词:多晶硅薄膜薄膜晶体管表面钝化
非致冷红外焦平面阵列用探测材料被引量:10
2002年
非致冷红外焦平面阵列以其高密度、高性能和低成本,成为当前红外热成像技术的研究重点;而探测材料是非致冷红外焦平面阵列的基础。本文重点介绍了目前比较成功的三类非致冷红外焦平面阵列——热电堆型、热敏电阻型和热释电型,在开发过程中所采用的各种探测材料。
刘世建徐重阳曾祥斌
关键词:非致冷红外焦平面阵列热电堆热敏电阻热释电红外探测器
射频磁控溅射法制备(Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3铁电薄膜被引量:3
2001年
采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3( BST)铁电薄膜。研究了BST铁电薄膜的制备工艺 ,分析了 BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌。测试了其介电特性 ,测得的相对介电常数 -温度曲线表明制备的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3铁电薄膜的居里温度在室温附近 ,约 3 0°C处。
刘世建徐重阳曾祥斌赵伯芳王长安史济群
关键词:射频磁控溅射法BST铁电薄膜红外焦平面阵列
(Ba_(0.67)Sr_(0.33))TiO_3陶瓷靶的制备和微观结构分析被引量:2
2001年
探讨了射频磁控溅射用(Ba_(0.67)Sr_(0.33))TiO_3陶瓷靶的烧结工艺,并用电子探针和X射线粉晶衍射法对其成分和微观结构进行了分析。结果表明,900~1 000℃烧结出的(Ba_(0.67)Sr_(0.33))TiO_3陶瓷靶在组织结构及成分均匀性、致密度和强度方面都符合射频磁控溅射的实际要求。
刘世建徐重阳曾祥斌
关键词:射频磁控溅射微观结构
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