刘家瑞
- 作品数：52 被引量：26H指数：3
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- 相关领域：理学核科学技术电子电信金属学及工艺更多>>
- IPM势下的轻离子能量歧离值Γ_(th)(Z_(2v))
- 1990年
- 本文用IPM离子-原子作用系统势,直接计算了轻离子(如~1H,~4He)在部分气体、固体中的能量歧离值Γ_(th)(Z_2,v),肯定了Γ_(th)(Z_2,v)随元素的原子序数Z_2和离子能量E_p的变化关系。在入射质子能量E_p=340keV和992keV时,与近期的Y.Kido实验值,Lindhard-Scharff和W.K.Chu的理论值作了对比,发现本文的计算结果与实验值在2.5—4％偏差内相符合,优于其它理论方法。
- 马忠权刘家瑞
- 离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成
- 1989年
- 本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10^(14)到8.1×10^(16)Ar/cm^2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结构为体心正交结构.硅化物是分层生长的,厚度与注入剂量的平方根成线性关系,这说明界面反应是扩散控制的.与近贵金属/硅体系和难熔金属/硅体系相比较可以看出,稀土金属Ce/Si体系的相变过程与难熔金属/硅体系的相似;而混合的动力学行为与近贵金属/硅体系的相似.本文还讨论了化学驱动力和辐射增强扩散对混合的贡献.
- 杨熙宏毛思宁陈坚刘家瑞杨锋许天冰
- 关键词：离子束混合稀土金属硅化物SE
- Ar^+离子与原子碰撞中真空紫外辐射
- 1991年
- 对Ar^+离子与He,Ne,Xe原子碰撞中的真空紫外辐射进行绝对测量,观察到入射离子的电离激发过程和靶原子电离激发过程,并以Fano和Lichten的电子提升分子轨道模型和非绝热分子轨道相关图对此进行定性解释。
- 潘广炎雷子明杨锋卢小林刘参文刘家瑞孙湘
- 关键词：离子原子碰撞
- Ar^(2+)与Li,Na原子碰撞中单电子俘获过程的实验研究
- 1989年
- 对Ar^(2+)与Li,Na碰撞过程中由于单电子俘获而产生的Arll谱线进行了绝对测量,给出各谱线的发射截面数据。入射离子能量为40—300keV。从发射截面对势能亏损的依赖关系,发现对应中等△E(>0)值的过程具有较大的截面。并且还发现与观察到的光谱线相应的激发态属于一个电子组态中高J量子数的态。
- 雷子明杨锋于德洪刘家瑞潘广炎孙湘
- 关键词：ARLINA
- 用C离子的弹性反冲法测固体中氢分布被引量：2
- 1990年
- 文章介绍了用1.7MV小串列加速器提供的4—7MeV多电荷C离子,采用弹性反冲法(ERD)分析了α-Si:H中氢元素的深度分布。计算表明,近表面处的深度分辨率为15-30nm,可探测深度100—700nm。探讨了入射能量和散射几何条件的优化问题。比较了几种分析方法的测量结果。
- 刘家瑞朱沛然封爱国李大万
- 关键词：加速器氢
- 离子束诱导的金属-硅界面的原子混合
- 1989年
- 一、引言离子束与固体的相互作用可分为以下几种过程:注入、辐照损伤、溅射和原子混合。离子束混合是指具有能量的离子注入到两种元素的界面区附近,诱导两种元素的相互交混。从七十年代末开始兴起以来,离子束混合的理论与实验研究日益受到重视。从应用的角度讲,它已成为制备过饱和固溶体。
- 李玉璞毛思宁陈坚刘家瑞
- 关键词：离子束混合衬底温度溅射法界面区合金薄膜平衡相图
- 在直流电场作用下α-LiIO_3单晶的沟道行为
- 1986年
- a-LiIO3晶体是一种离子导体,加上c向静电场后,已观察到一系列的异常现象,如中子衍射增强,光衍射增强。因此,引起人们极大注意。在c向静电场作用下,a-LilO3单晶的沟道效应研究也有报道,但没有观察到沟道行为的变化。本工作用MeV能量的质子束,较精密地测定了a-LiIO3单晶<0001>轴沟道参数角度半宽度（?）1/2和产额极小值xmin。在c向静电场作用下,已观察到<0001>轴沟道行为的变化,并进行了定量计算和物理解释。
- 章其初刘家瑞
- 关键词：沟道直流电场原子数单晶晶形
- He离子注入不锈钢中的温度影响被引量：2
- 1990年
- 用增强质子背散射、SEM、TEM和显微硬度测量等手段,研究了He离子注入316L型不锈钢中的行为,离子束能量和剂量区域分别为30—170keV和10^(14)-3×10^(17)He^+/cm^2,靶温和后退火的温度区域为77—673K。研究了温度对He捕获、He泡结构、He泡的生长和合并等特性的影响。测量了注氦层显微硬度的变化。
- 李玉璞王佩璇张国光马如璋刘家瑞朱沛然杨峰邱长青
- 关键词：不锈钢HE捕获离子温度
- 300keV Xe^(2+)离子束诱导的金属/硅界面反应
- 1990年
- 采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe^(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。
- 毛思宁杨熙宏陈坚刘家瑞高文玉朱沛然
- 关键词：离子束
- Ne^+、Ar^+注入铜靶所产生的溅射原子角分布与离子入射角的关系
- 1992年
- 在100keV入射能量下.分别测量了Ne^-、Ar^+在铜靶上所产生的溅射原子角分布与离子入射角度的关系 实验结果表明在40°和70°斜入射条件下,Ar^+所产生的溅射原子角分布的溅射优先方向分别位于表面法线的两侧,溅射原子角分布关于表面法线明显不对称;而Ne^+所对应的溅射优先方向都位于表面法线方向,且溅射原子角分布关于表面法线是对称的、用TRIM程序计算了Ne^+和Ar^+在铜靶中的能损和投影射程,并依据所计算的结果用级联碰撞理论分析了实验结果,比较了Ne^+和Ar^+各自溅射机制上的不同.
- 李岱青官宝安万亚刘家瑞徐天冰
- 关键词：溅射铜
