您的位置： 专家智库 > >

刘斌

作品数：198 被引量：38H指数：4
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术天文地球更多>>

合作作者

文献类型

  • 152篇专利
  • 23篇会议论文
  • 13篇学位论文
  • 8篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 35篇电子电信
  • 15篇理学
  • 10篇自动化与计算...
  • 6篇天文地球
  • 3篇化学工程
  • 3篇政治法律
  • 3篇文化科学
  • 2篇电气工程
  • 2篇环境科学与工...
  • 1篇经济管理
  • 1篇生物学
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇农业科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 30篇半导体
  • 29篇衬底
  • 23篇纳米
  • 21篇蓝宝
  • 20篇蓝宝石
  • 18篇量子
  • 17篇发光
  • 14篇氮化物
  • 14篇氮化镓
  • 14篇电极
  • 13篇电池
  • 13篇多量子阱
  • 11篇探测器
  • 11篇量子阱结构
  • 11篇金属
  • 11篇半导体材料
  • 10篇金属有机物
  • 10篇刻蚀
  • 9篇晶格
  • 8篇退火

机构

  • 198篇南京大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇中国地质大学
  • 1篇美国西北大学
  • 1篇核工业二九〇...

作者

  • 198篇刘斌
  • 141篇张荣
  • 133篇谢自力
  • 113篇郑有炓
  • 97篇修向前
  • 84篇韩平
  • 76篇施毅
  • 65篇陈鹏
  • 57篇陶涛
  • 56篇陈敦军
  • 48篇赵红
  • 32篇江若琏
  • 29篇顾书林
  • 24篇智婷
  • 23篇朱顺明
  • 22篇胡立群
  • 18篇陆海
  • 18篇周玉刚
  • 15篇李弋
  • 14篇庄喆

传媒

  • 4篇第十一届全国...
  • 3篇小型微型计算...
  • 3篇第十六届全国...
  • 2篇大学化学
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇Journa...
  • 1篇矿床地质
  • 1篇铀矿地质
  • 1篇第十届全国M...
  • 1篇第四届全国信...
  • 1篇1998年中...

年份

  • 4篇2024
  • 12篇2023
  • 16篇2022
  • 7篇2021
  • 15篇2020
  • 15篇2019
  • 14篇2018
  • 9篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 6篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
  • 16篇2010
  • 10篇2009
  • 26篇2008
  • 14篇2007
  • 7篇2006
  • 2篇2005
共 198 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用及具有SiV色心的单晶金刚石
本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅...
陶涛叶煜聪陆鑫宇殷梓萌郑凯文邹幸洁陈凯胡文晓刘斌
文献传递
Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相...
谢自力张荣崔旭高陶志阔修向前刘斌李弋傅德颐张曾宋黎红崔影超韩平施毅郑有炓
关键词：金属有机物化学气相沉积稀磁半导体锰掺杂X射线衍射
文献传递
相山铀矿田热液蚀变及成矿流体特征
相山铀矿田经过五十多年的研究与勘探,已获得众多成果.但在成矿流体与成矿物质方面,仍存在一定的争议,主要观点有:成矿流体及成矿物质均来自深部地幔;成矿流体来自大气降水,成矿物质主要为大气降水演化流体对围岩的淋滤.研究表明，...
刘斌凌洪飞陈卫锋魏文芳
关键词：铀矿田成矿流体地球化学特征热液蚀变
GaN基光电器件的中间结构及制备方法
本发明公开了一种GaN基光电器件的中间结构及制备方法，所述方法包括制备衬底；在所述衬底的一侧沉积介质牺牲层；在所述介质牺牲层的一侧制作光电器件结构；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述介质牺牲层；对光电器件进行剥离和转移。本发明至少...
庄喆李晨雪刘斌陶涛
表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法
本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于...
张荣张国刚刘斌任芳芳谢自力陈鹏郭旭葛海雄修向前赵红陈敦军陆海韩平施毅郑有炓
文献传递
基于长周期间隔循环式射频磁控溅射技术的AlN薄膜制备方法
本发明公开了一种基于长周期间隔循环式射频磁控溅射技术的AlN薄膜制备方法，以AlN陶瓷靶为溅射靶材，在蓝宝石衬底表面进行射频磁控溅射生长AlN薄膜，射频磁控溅射10min后，将电源和进气阀门均关闭，使功率和气体流量降为0...
陈鹏郭庄鹏谢自力陈敦军修向前刘斌赵红张荣郑有炓
p-NiO或p-LiNiO/n-GaN异质结共振隧穿二极管及制备方法
本发明公开了一种p‑NiO或p‑LiNiO/n‑GaN异质结共振隧穿二极管，其结构包括：一衬底层；一生长于衬底层上的GaN层；一生长于GaN层上的n‑GaN层；一生长于n‑GaN层上的n+GaN层；一生长于n+GaN层上...
郭慧王冠邵鹏飞巩贺贺叶建东王科刘斌陈敦军张荣郑有炓
DDR3原理图及PCB设计方法研究
目的 回顾目前主流使用的动态内存DRAM的原理图及PCB设计方法进行研究，总结设计中遇到的经验教训，对DDR3的原理图及PCB设计方法进行预研，给出前瞻性的设计指导。 文中回顾了前几代主流动态内存DRAM的发展历程。对内...
刘斌
关键词：动态内存
一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法
一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，得到GaN基GaN/InGaN量子阱红光LED结构材料，其中量子阱中In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N...
张荣谢自力刘斌李毅苏辉傅德颐修向前华雪梅赵红陈鹏韩平施毅郑有炓
文献传递
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器，由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成，基片结构依次包括：SiO<Sub>2</Sub>‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层；所述InGaN/GaN量...
刘斌陶涛智婷张荣谢自力陈鹏陈敦军韩平施毅郑有炓
文献传递
全选 清除 导出
共20页<12345678910>
聚类工具0