刘维佳
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 中远红外非线性光学晶体AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2研究进展
- AgGaS2晶体,是Ⅰ-Ⅲ-VI2三元化合物半导体,空间群I4 2d,常温下呈黄色,熔点996℃,禁带宽度2.76eV;AgGaSe2是与AgGaS2同系列的黄铜矿类晶体,常温下呈深灰色,熔点860℃,禁带宽度1.83e...
- 赵北君朱世富何知宇陈宝军赵玲樊龙黄巍刘维佳
- 中远红外非线性光学晶体AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2研究进展
- 赵北君朱世富何知宇陈宝军赵玲樊龙黄巍刘维佳
- 中远红外非线性光学晶体AgGaS_2、AgGaSe_2和AgGa_(1-x)In_xSe_2研究进展
- <正>AgGaS2晶体,是Ⅰ-Ⅲ-VI2三元化合物半导体,空间群I4 2d,常温下呈黄色,熔点996℃,禁带宽度2.76eV;AgGaSe2是与AgGaS2同系列的黄铜矿类晶体,常温下呈深灰色,熔点860℃,禁带宽度1....
- 赵北君朱世富何知宇陈宝军赵玲樊龙黄巍刘维佳
- 文献传递
- CdGeAs_2晶体退火与红外光学均匀性分析被引量：2
- 2012年
- 采用AIM-8800红外显微镜观察了CdGeAs2晶体的面扫描红外透过图像,分别在2.3～4μm、4～8μm和8～18μm三个波段对退火前后的CdGeAs2晶片红外透过率和面扫描红外透过图像进行了对比分析,研究了晶体的红外均匀性。结果表明,CdGeAs2晶体在多晶粉末包裹下经450℃退火150 h后,其红外透过率和红外透过均匀性都得到较大程度的改善,其中在2.3～4μm和4～8μm波段的改善效果尤为显著;分析了影响晶体红外透过率和均匀性的主要因素,探讨了改善晶体均匀性的可能途径。研究结果对于快速评判CdGeAs2晶片质量具有重要的实用价值。
- 唐婧婧赵北君朱世富何知宇陈宝军黄巍刘维佳张聪
- 关键词：退火红外透过率光学均匀性
