刘鹏强
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：云南大学光电信息材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Si表面生长Ge量子点的研究进展
- 本文从两方面即材料本身的性质和生长过程中外界环境对Ge量子点生长的影响进行分析，回顾了近年来多种改善量子点尺寸、密度和均匀性的方法。为我们以后生长有序的Ge量子点提供了依据。
- 刘鹏强王茺杨宇
- 关键词：锗量子点掺杂改性退火温度
- Si表面生长Ge量子点的研究进展
- 本文从两方面即材料本身的性质和生长过程中外界环境对Ge量子点生长的影响进行分析,回顾了近年来多种改善量子点尺寸、密度和均匀性的方法。为我们以后生长有序的Ge量子点提供了依据。
- 刘鹏强王茺杨宇
- 关键词：掺杂SIO2温度退火
- 文献传递
- C诱导层温度对Ge/Si量子点溅射生长的影响
- 2014年
- 采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用AFM和Raman光谱对样品的表面形貌和结构进行了表征。实验结果表明,当C层的温度从600℃升高到700℃时,Ge量子点的密度逐渐降低,且结晶性变差;此时,量子点中的Si组分升高。当C层的生长温度从700℃升高到800℃过程中,Ge量子点的密度逐渐增大,结晶性也有所改善;此时,量子点中的Si含量降低。
- 刘鹏强王茺周曦杨杰杨宇
- 关键词：离子束溅射GE量子点扩散
- C诱导层在Ge量子点溅射生长过程中的影响研究
- 利用FJL560Ⅲ型超高真空磁控与离子束联合溅射设备的离子束溅射室内制备Ge/Si量子点样品，以自组装Stranski-Krastanov(S-K)生长模式的热力学及动力学理论为基础，利用原子力显微镜(AFM)技术和Ra...
- 刘鹏强
- 关键词：离子束溅射锗量子点
