叶天水
- 作品数：17 被引量：11H指数：2
- 供职机构：华侨大学信息科学与工程学院电气工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学兵器科学与技术自然科学总论更多>>
- 非晶硒化镉激光探测器的瞬态响应特性
- 1994年
- 本文报道淀积条件对非晶态硒化镉（ａ－Ｃｄｓｅ）光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响。
- 曾锦川郭亨群叶天水
- 关键词：瞬态响应激光探测器
- 非晶态硒化镉超快激光探测器被引量：2
- 1990年
- 本文报道用真空热蒸发法淀积非晶态硒化镉薄膜,结果表明 a-CdSe 光电导探测器对 PS 级的超短光脉冲具有良好的瞬态响应。
- 叶天水郭亨群曾锦川
- 关键词：激光探测器
- 非晶态硒化镉薄膜时间分辨光致发光研究
- 1993年
- 用时间分辨激激光光谱学方法研究非晶态硒化镉薄膜光致发光,分析光生载流子的热释和复合机制.
- 郭亨群叶天水
- 关键词：硒化镉光致发光
- 硒化镉薄膜微区分析
- 1993年
- 本文用电子探针对硒化镉薄膜进行微区分析,对薄膜的成分和厚度进行同时测定,并分析了制备条件对薄膜参数的影响。
- 郭亨群叶天水曾锦川
- 关键词：半导体微区分析硒化镉
- a－CdSe超快光电探测器特性研究
- 1994年
- 本文报道淀积条件对非晶态硒化镉（ａ－ＣｄＳｅ）薄膜微区结构的影响，并对利用ａ－ＣｄＳｅ为光敏介质的超快光电探测器的特性进行了比较深入的测试研究。
- 曾锦川郭亨群叶天水陈两坤王加贤刘泰山
- 关键词：光电探测器硒化镉
- 超短光脉冲作用下非晶硅的瞬态光电导
- 1991年
- 本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的瞬态响应实验结果的比较说明,a-Si的瞬态响应稳定性好。
- 郭亨群叶天水曾锦川
- 关键词：非晶硅
- 非晶态硒化镉薄膜瞬态光电特性
- 1991年
- 本文报道用真空热蒸发法淀积的非晶态硒化镉薄膜作光敏介质制备超快光电导探测器。用对撞脉冲锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲序列对探测器的响应时间进行检测,结果表明a-CdSe薄膜对皮秒(10^(-12)秒)级的超短光脉冲作用具有良好的瞬态响应光电特性,探讨a-CdSe薄膜快速弛豫过程的内在机理。
- 叶天水郭享群曾锦川
- 关键词：非晶态半导体光电特性
- 10A通讯直流稳压电源
- 1995年
- 本文介绍了１０Ａ、１３．８Ｖ直流稳压电源的电路设计方案，并给出了实测的技术数据。
- 陈培民叶天水
- 关键词：稳压电源直流稳压电源
- 如何选择与探测器匹配的前置放大器被引量：1
- 1994年
- 从噪声理论入手，给出热释电探测器－结型场效应管系统低频最佳匹配时，ＪＦＥＴ输入电阻的选择原则，介绍为获得系统最佳匹配而采用的仿真反馈技术．
- 郭震宁叶天水
- 关键词：探测器前置放大器
- 非晶态硒化镉薄膜的时间分辨光电导和光致发光研究被引量：1
- 1994年
- 硒化镉薄膜在光敏电阻、太阳能电池、薄膜晶体管和微波放大器等方面有着广泛的应用,受到人们的重视.非晶态硒化镉(α-CdSe)材料的无序网络结构只具有短程有序性.缺乏长程有序性,其能带结构不同于晶态硒化镉,所以α-CdSe薄膜具有独特的电学和光学性质,成为一种新型光电功能材料,在快速光电探测器和快速光电子开关等方面有广阔的应用前景.
- 郭亨群叶天水
- 关键词：硒化镉光致发光
