吴汲安
- 作品数：19 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学生物学医药卫生更多>>
- 氢对硅中4d过渡杂质的钝化被引量：1
- 1994年
- 本文研究了氢原子与Ｓｉ中４ｄ过渡杂质（Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ）引入深中心的相互作用，得到了Ｓｉ中这些深中心被钝化的难易程度．从钝化角度支持了Ｓｉ：Ｐｄ与Ｓｉ：Ｒｈ中有关能级属于同一中心、不同荷电态的判断，同时提出了Ｓｉ：Ｍｏ中Ｅ（０．５３）和Ｈ（０．１６）两个能级属于同一中心、不同荷电态的证据，通过氢对已知同一中心、不同荷电态两个能级的相互作用，对氢的钝化机理作了初步探讨．
- 周洁王永康孙景兰卢励吾吴汲安
- 关键词：硅氢钝化
- 硅中Mo-B络合物的电荷分布
- 1989年
- 我们对硅中Mo-B络合物的电子态作了SW-Xα自洽计算.通过体系电荷分布分析,结合前文Pd-B络合物的结果,对已被广为接受的描写间隙位过渡金属杂质和替代位IIIA族受主杂质络合物的离子模型的正确性提出了怀疑.
- 吴汲安周洁张大仁
- 关键词：硅深能级络合物电子结构电荷
- Si(112)高密勒指数面的理论研究
- 1993年
- 本文用Si_(39)H_(32)、Si_(35)H_(30)、Si_(91)H_(64)和Si_(58)H_(46)原子集团模型模拟Si(112)高密勒指数面,探讨了模拟Si(112)表面模型的选取,计算了诸原子集团中的电荷分布。发现,Si(112)表面元胞所处的环境对表面元胞中电荷分布性质有根本影响,大规模原子集团模型Si_(91)H_(64)较好地模拟了Si(112)表面的性质。不同的模型下都得到一个共同的电子结构特性,即表面原子在悬键方向存在电荷的趋向集居,且这种性质对台面原子尤为明显。这个结果说明,表面电荷的趋向集居是由表面原子的结构特点决定的。
- 张瑞勤吴汲安邢益荣
- 关键词：硅电荷分布
- 含杂六角密积结构原子簇Al_(12)M的电子结构被引量：1
- 1991年
- 本文用多重散射波(X_α-SW)法对含3d族过渡金属杂质的六角密积(hcp)结构原子簇Al_2M(M为Cr,Mn,Fe,Co和Ni)的电子结构作自洽计算。结果表明,杂质的存在对体系的费密能级附近的电子态有重要的影响。体系的一些重要性质,如电离势并非随杂质原子序的变化作单调变化。
- 吴汲安戴明倪国权周汝枋
- 关键词：原子簇电子结构AL原子
- 水分子在Si（100）面上吸附位的确定
- 1995年
- 本文用Ｓｉ６６Ｈ５０原子集团模拟Ｓｉ（１００）表面，采用ＣＮＤＯ分子轨道理论方法计算了Ｈ２Ｏ在其上吸附的势能面．确定出Ｈ２Ｏ在Ｓｉ（１００）表面的最佳吸附位为洞位．在桥位Ⅰ、桥位Ⅱ和顶位上吸附时势能依次升高．
- 张瑞勤楚天舒戴国才吴汲安邢益荣
- 关键词：水分子半导体
- 氧合血红蛋白Fe-O_2键合态 ab initio 研究
- 1991年
- 本文报道用自旋非限制Hartree-Fock方法(spin unrestricted Hartree-Fock method简写UHF)对氧合血红蛋白的Fe-O_2键合态进行ab initio研究。结果表明Fe^(Ⅱ)、Oc和Or的Mulliken布居值分别为24.18、8.19和7.64。这说明氧合血红蛋白的Fe-O_2键合态不发生电子转移。研究模型所得到的频率与实验频率基本一致。研究结果不支持Weiss提出的Fe^(3+)O_2^-模型,为解释血红蛋白传输氧的作用机理提供了新的理论依据。
- 谭载友吴汲安
- 关键词：氧合血红蛋白
- H原子吸附对Si（113）表面的影响
- 1995年
- 本文采用半经验分子轨道理论方法ＡＭＩ研究用Ｓｉ１６Ｈ２１模拟的Ｓｉ（１１３）高指数表面及其吸附Ｈ原子的体系，得到生成热和表面原子上受力随吸附的变化．从生成热分析得知，Ｓｉ（１１３）表面上形成Ｓｉ─Ｈ２吸附比Ｓｉ─Ｈ容易，且为放热吸附；受力分析指出了表面原子再构发生的趋向，而吸附则引起趋向改变．
- 张瑞勤吴汲安邢益荣
- 关键词：氢原子半导体
- 科苑中的一棵常青树——记固体物理学家黄昆教授
- 1986年
- 1985年盛夏的一天,中国科学院学部委员、半导体研究所名誉所长黄昆教授收到第三世界科学院院长、国际理论物理中心主任萨拉姆教授发来的一封电报,电文如下:“黄昆教授,我荣幸地通知您,在7月7日举行的全体大会上,您已被选为第三世界科学院院士,谨致良好的祝愿。”
- 王炳燊吴汲安
- 关键词：名誉所长中国科学院学部
- 硅中Pd-B络合物性质的理论研究
- 1989年
- 本文报道硅中间隙位Pd和替位B络合物的Xα-SW自洽计算电子结构的结果.通过与硅中替位B的电子结构以及硅中间隙Pd的电子结构比较,我们发现间隙位Pd原子和替位B原子不形成杂质对能级,通常用来描写间隙位3d过渡金属和IIIA族浅受主杂质对的理论模型──离子模型,不适于处理硅中Pd-B络合物体系.
- 吴汲安周洁张大仁
- 关键词：硅深能级络合物电子结构
- Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究
- 1992年
- 利用低能电子衍射(LEED)研究了离子轰击加退火处理的和淀积外延的两种Si(113)表面的原子结构。发现对于经750—800℃退火后的两种Si(113)表面,当其温度高于600℃时存在1×1非再构表面相。随着样品温度缓慢地冷却至室温,Si(113)-1×1表面经过3×1(约600—400℃)最后转变为3×2再构。当退火温度为600℃时,则只出现3×1再构,室温下的3×2和3×1表面都是很稳定的。讨论了表面杂质对Si(113)表面原子结构的影响。在衬底温度为580℃的Si(113)表面上进行淀积生长,当外延层厚度约为20个原子单层时,未经退火处理的表面仍显示为清晰的3×1结构。从而证明,利用Si(113)作为衬底进行外延,可获得很完整的表面。
- 邢益荣吴汲安张敬平刘赤子王昌衡
- 关键词：硅电子衍射原子结构低能
