张剑铭
- 作品数：23 被引量：49H指数：4
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划北京市教委资助项目北京市人才强教计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 高效高亮全反射发光二极管及制作方法
- 高效高亮全反射发光二极管及其制作方法属于半导体光电子技术领域。依次包含图形电极(517)，第一导电型欧姆接触层(304)，第一导电型电流扩展层(305)，第一导电型下限制层(306)，非掺杂的有源区(307)，第二导电型...
- 邹德恕张剑铭沈光地
- 文献传递
- MEMS技术在非制冷红外探测器中的应用被引量：3
- 2004年
- 随着微探测器的广泛应用,M E M S 技术因其微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等特点,被越来越多地应用于微探测器的制造工艺中,为该领域的研究提供了新途径。本文简要介绍了 MEMS 技术的工艺及其主要特点,并对 MEMS 技术在非制冷红外探测器研制方面的应用作了比较详细的阐述。
- 阳启明张剑铭杨道虹徐晨沈光地
- 关键词：非制冷红外探测器MEMS技术
- 表面粗化提高红光LED的光提取效率被引量：7
- 2008年
- 介绍了通过出光表面粗糙化来减少全反射的方法,实验中使用化学湿法腐蚀的技术获得预计的粗糙形貌,结果给出不同参数下的光强和光辐射功率比较,器件的外量子效率得到了约29%的提高。从理论和测试结果两方面阐述了表面粗糙化对提高红光LED外量子效率的机理。
- 刘思南邹德恕张剑铭顾晓玲沈光地
- 关键词：表面粗化磷化镓湿法腐蚀
- 用于发光管的抗静电保护电路
- 用于发光管的抗静电保护电路，属于半导体光电子技术领域，它是将一组串联对接二极管与发光管并接在电路中，串联对接二极管可以为负极互连，也可以正极互连；当串联对接二极管的负极互连时，正极分别连接发光管两极，而当串联对接二极管的...
- 邹德恕沈光地张剑铭郭霞王新潮董立闽
- 文献传递
- 大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究被引量：10
- 2008年
- 定性分析了GaN基LED的电流扩展效应,发现电流密度和电流横向扩展的有效长度对电流均匀扩展有很大影响.基于此,对GaN基大功率LED提出了优化的电极结构,以减缓电流拥挤效应,降低器件串联电阻.通过用红外热像仪测量器件表面的温度分布,发现具有优化的环形插指电极结构的GaN基大功率LED表面温度分布比较均匀,证明芯片接触处电流扩展均匀,局部电流密度降低,减小了焦耳热的产生,增强了器件的可靠性.
- 沈光地张剑铭邹德恕徐晨顾晓玲
- 关键词：氮化镓发光二极管电流扩展
- 高抗静电高效发光二极管及制作方法
- 高抗静电高效发光二极管及制作方法，属于半导体光电子技术领域。它包含利用一导电型半导体材料制作的基板及发光二极管芯片，基板上制作有集成的双向稳压二极管，发光二极管芯片主要包含在一透明蓝宝石衬底及在此衬底上的GaN结构层和整...
- 沈光地邹德恕郭霞王新潮徐遵图韩军张剑铭
- 文献传递
- GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响
- 2006年
- GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 mA时,正向电压减小了6%,总辐射功率也略有提高,工作50小时后,总辐射功率相差8%,验证了环状N电极结构有利于器件电流扩展,减少器件串联电阻,减少了焦耳热的产生,提高了LED电光特性和可靠性。
- 孙重清邹德恕顾晓玲张剑铭董立闽宋颖娉郭霞高国沈光地
- 关键词：光电子学固态照明电流扩展
- GaN基蓝光大功率发光二极管的研制被引量：3
- 2006年
- 采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm)。其光学参数：总辐射功率143．19mW,光通量8．861m,发光效率7．291m/W,峰值波长462nm,半峰全宽24nm；其电学参数：正向电压3．47V、正向电流350mA。对相关工艺进行了简要讨论。
- 邹德恕顾晓玲孙重清张剑铭董立闽郭霞宋颖娉沈光地丁成隆王新潮
- 关键词：大功率发光二极管自对准倒装
- 高光提取效率的倒装GaN基LED的研究
- 2009年
- 为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,使得倒装的GaN基LED台阶侧壁及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置都保留有SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜.研究结果表明,生长两对SiO_2/SiN_x介质膜高反镜后,器件的光输出功率平均增加了10.2%.这说明SiO_2/SiN_x多层介质膜形成的高反镜有效的提高了倒装GaN基LED的光输出功率,把从LED台阶侧壁以及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置出射光子反射回LED内部,经过一次或者多次反射后,从其他的出光面出射.
- 达小丽沈光地徐晨邹德恕朱彦旭张剑铭
- 关键词：等离子体增强
- 激光在MEMS键合技术中的应用被引量：3
- 2004年
- 键合技术已经广泛地应用于微电子机械系统(MEMS)领域,但传统的键合技术由于其缺点,限制了其应用范围,而激光以其独特的优势在键合技术中得到了人们的重视。文章介绍了激光在键合技术中的应用及其原理,以及今后发展的方向。
- 杨道虹董典红徐晨张剑铭阳启明沈光地
- 关键词：微电子机械系统硅直接键合激光
