徐阳
- 作品数：40 被引量：37H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：国防基础科研计划重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 干法刻蚀条件对Mo侧壁角度的影响被引量：3
- 2016年
- 该文介绍了F基气体电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀系统对金属Mo薄膜侧壁角度的影响。通过调节ICP干法刻蚀设备的射频功率、ICP离子源功率、腔体气压、SF6及Ar的气体流量等工艺参数,实现了30.3°～51.6°的侧壁倾角,为薄膜体声波谐振器（FBAR）研制工艺提供了有益指导。
- 田本朗徐阳曹家强杜波马晋毅米佳冷俊林
- 关键词：干法刻蚀MO
- 一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器
- 本申请涉及一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器，属于薄膜体声波滤波器设计技术领域；所述谐振器包括第一衬底和压电叠层结构，所述第一衬底的顶部设置有第一空腔；所述压电叠层结构位于所述第一衬底上，所述压电叠层结构...
- 刘娅马晋毅张祖伟孙科杨靖张必壮唐小龙徐阳吕峻豪
- 声体波微波延迟线用AlN薄膜制备研究
- 2016年
- 采用中频磁控溅射法在z轴石英基片上制备了(002)择优取向的AlN薄膜。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的择优取向和表面形貌。结果表明,溅射功率、氮气流量、氩等离子清洗对AlN薄膜的择优取向有显著影响。将该方法制备的AlN薄膜应用于声体波微波延迟线,研制出频率为4.2~4.4GHz的声体波微波延迟线,其延迟时间为361ns,插入损耗为-57.3^-60.4dB,3次渡越抑制为28.6dB,直通信号抑制为52.7dB。
- 徐阳张永川周勇朱昌安田本朗金成飞赵明蔡宏江
- 关键词：压电薄膜中频磁控溅射声体波延迟线
- S波段低插损FBAR陷波器的研制被引量：3
- 2021年
- 该文介绍了一种单端口、端口阻抗50Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器,其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2399~2412 MHz,陷波抑制达35 dBc;通带频率分别为1800~2300 MHz和2500~2800 MHz,通带插损仅1 dB;3 dBc开口宽度为69 MHz。FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm。结果表明,陷波器实测与仿真结果两者相吻合。
- 蒋平英蒋世义何西良陈金琳彭霄徐阳刘娅
- 关键词：陷波器芯片
- 一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构
- 本专利涉及一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括功能晶圆和玻璃晶圆，所述功能晶圆与所述玻璃晶圆通过阳极键合连接；所述功能晶圆包括硅衬底，所述硅衬底上开设有空腔，在...
- 刘娅马晋毅张祖伟杨冬徐阳杨靖许若娴许东辉
- 低温下磁控溅射AlN薄膜择优取向研究被引量：2
- 2013年
- 研究了衬底温度从-20～20℃下射频磁控溅射AlN薄膜的择优取向程度。利用X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射电子显微镜(FESEM)对AlN薄膜的晶体结构、粗糙度及表面和断面形貌进行了分析。研究结果表明,当衬底温度低于0℃时,AlN薄膜中的(100)衍射峰消失,AlN薄膜以(002)面择优取向生长。当衬底温度降低时,AlN薄膜的晶粒大小和表面粗糙度减小。AlN薄膜在0℃下沉积具有最佳的择优取向程度和较低的表面粗糙度。
- 杨杰马晋毅杜波徐阳石玉
- 关键词：ALN薄膜衬底温度形貌
- 钽酸锂晶体滤波器的离子束刻蚀技术研究被引量：8
- 2014年
- 以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。
- 张永川彭胜春徐阳
- 关键词：晶体滤波器钽酸锂离子束刻蚀高频宽带
- 一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法
- 本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板，在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片；在功能芯片的两肩处形成有向上凸起...
- 刘娅马晋毅徐阳田本朗梁柳洪龙飞蒋平英张必壮谭发曾
- 文献传递
- C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证被引量：2
- 2023年
- 介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。
- 蒋世义蒋平英马晋毅马晋毅陈彦光徐阳刘娅
- 关键词：宽带
- LiNbO3单晶薄膜体声波谐振器的研制
- 2019年
- 该文介绍了一种采用智能截割(Smart CutTM)技术制备的单晶铌酸锂(LiNbO3)薄膜体声波谐振器。采用COMSOL有限元仿真软件从材料和结构两方面对LiNbO3薄膜体声波谐振器进行优化设计,以实现高机电耦合系数,并通过Smart CutTM工艺方法制备了高性能Z切-LiNbO3单晶薄膜作为谐振器的压电层,最终得到LiNbO3薄膜体声波谐振器的谐振频率为3847.5MHz,反谐振频率为3986.25MHz,插入损耗为1.81dB,谐振器有效机电耦合系数达到8.3%。
- 彭霄田本朗毛世平杜波蒋欣徐阳马晋毅蒋平英
- 关键词：机电耦合薄膜体声波谐振器
