文歧业
- 作品数：14 被引量：14H指数：2
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- 相关领域：一般工业技术电气工程理学金属学及工艺更多>>
- 一种纳米结的制备方法
- 本发明公开了一种制备纳米结的方法，它是通过RF(射频)溅射方法在硅基片上依次镀制两种异质薄膜，然后采用传统慢扩散热处理方法或快速循环热处理方法获得复合成份的纳米结；按照本发明方法可以制备出通过不同的激励源(如：电场、磁场...
- 张怀武石玉刘颖力钟智勇贾利军苏桦杨清慧荆玉兰蒋向东文歧业
- 文献传递
- 半导体太赫兹波光调制器
- 半导体太赫兹波光调制器，涉及光电技术，以及太赫兹波调制和成像技术。本发明包括半导体，其特征在于，在所述半导体的受光面上分散设置有金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒的粒径为1～100nm，相邻颗粒间距1～5nm。本发明的有益效...
- 文天龙张怀武文歧业
- 文献传递
- 一种磁性各向异性可控的纳米颗粒自组装阵列的制备方法
- 一种磁性各向异性可控的纳米颗粒自组装阵列的制备方法，属于纳米颗粒自组装领域。首先通过微细加工工艺在基片上形成阵列凹槽；然后将磁性纳米颗粒溶液滴加在凹槽内，盖上塑料片后，放入培养皿中；将装有基片的培养皿放入外磁场产生装置中...
- 文天龙李远鹏张怀武文歧业廖宇龙钟智勇
- 文献传递
- 非晶Co-Nb-Zr薄膜的纳米晶化及磁性被引量：3
- 2005年
- 采用扫描式差热 (DSC)分析、X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)、梯度样品磁强计 (AGM)和磁力显微镜 (MFM) ,研究磁控溅射制备的Co80 .8Nb14 Zr5.2 磁性薄膜 ,在 4 85℃～ 5 5 0℃间的等温晶化行为以及快速纳米晶化 30s后的薄膜结构和磁性。结果表明 ,非晶薄膜的晶化温度在 4 2 0℃～ 4 5 0℃ ,Avrami指数在 1.17～ 1.39,晶化行为以一维形核长大为主。纳米晶Co Nb Zr薄膜的磁性能受晶粒大小和晶粒对非晶基体形成应力以及磁晶各向异性的共同影响。
- 蒋向东张怀武文歧业石玉
- 关键词：纳米晶化非晶形核晶化行为晶化温度磁性
- 低功率表面贴装磁芯及新型节能片式元器件
- 张怀武徐晓利刘颖力杨青慧文歧业肖镔李良俊
- 该项成果建立了通信领域平面磁芯的功耗理论模型，提出纳米晶种植入法和磁畴阻力掺杂法使表面贴装型磁芯的功耗降低20%左右；发明了复合双性磁电材料制作LTCC型滤波器技术、宽带网络隔离变压器及RJ45组件技术、平面型低漏感变压...
- 关键词：
- 纳米晶化对Co-FeNbZr薄膜结构及阻抗的影响被引量：1
- 2009年
- 用直流磁控溅射法制备非晶Co-FeNbZr软磁膜,再用独特的快速循环纳米晶化技术(RRTA)对其进行纳米晶化。研究了不同的纳米晶化工艺条件下薄膜的微观结构和阻抗性能。结果表明,500℃退火的Co-FeNbZr软磁薄膜晶粒细化到30～40nm,阻抗值从28Ω增加到110Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200～220MHz左右,薄膜的软磁性能极大改善。
- 薛刚蒋向东文歧业唐晓莉
- 关键词：纳米晶化阻抗
- CoNbZr非晶软磁薄膜晶化动力学研究被引量：10
- 2005年
- 采用DSC热分析技术,结合XRD、TEM和AFM实验,对磁控溅射制备的Co85.5Nb8.9Zr5.6非晶合金软磁薄膜进行了变温和等温晶化动力学的研究.研究结果表明:升温晶化时,薄膜的晶化的表观激活能为99.82kJ/mol;局域激活能随晶化度增加;在等温晶化过程中,平均激活能为88.51kJ/mol,Avrami指数1.17～1.39,晶化行为主要是一维表面晶化,晶核长大受扩散控制的过程.
- 蒋向东张怀武文歧业钟智勇杨争唐晓莉
- 关键词：晶化动力学纳米晶软磁薄膜
- 纳米晶化对CoNbZr薄膜结构及阻抗的影响被引量：2
- 2004年
- 采用独特的快速循环纳米晶化技术,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜,进行纳米晶化。研究了在不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和阻抗性能。CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30nm,阻抗值从20Ω增加到100Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200MHz左右,极大改善了薄膜的软磁性能。
- 蒋向东张怀武文歧业张万里唐晓莉
- 关键词：纳米晶化阻抗直流磁控溅射软磁性能
- 一种纳米结的制备方法
- 本发明公开了一种制备纳米结的方法，它是通过RF(射频)溅射方法在硅基片上依次镀制两种异质薄膜，然后采用传统慢扩散热处理方法或快速循环热处理方法获得复合成分的纳米结；按照本发明方法可以制备出通过不同的激励源(如：电场、磁场...
- 张怀武石玉刘颖力钟智勇贾利军苏桦杨清慧荆玉兰蒋向东文歧业
- 文献传递
- 快速退火的保温时间对射频磁控溅射制备的Bi:YIG在太赫兹频段损耗的影响
- 用JGP200磁控溅射仪在射频功率为90W、氩气压强为0.8Pa、氩气流速为5sccm,衬底温度350℃等条件下用16h在单晶高纯高阻本征硅(111)基片上制备了Bi:YIG薄膜,再在AG4100型快速退火炉以较快的升温...
- 李胜张怀武文歧业彭龙凌味未沈健
- 关键词：射频磁控溅射快速退火保温时间傅立叶变换
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