您的位置： 专家智库 > >

曾庆平

作品数：25 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 11篇半导体
  • 9篇应变硅
  • 8篇氧化层
  • 8篇栅氧化
  • 8篇栅氧化层
  • 8篇半导体技术
  • 5篇锗硅
  • 5篇小尺寸
  • 5篇沟道
  • 4篇淀积
  • 4篇图形化
  • 4篇漏极
  • 4篇晶体管
  • 3篇氮化硅
  • 3篇应力
  • 3篇源极
  • 3篇源区
  • 3篇重掺杂
  • 3篇LDMOS器...
  • 3篇MOS晶体管

机构

  • 25篇电子科技大学

作者

  • 25篇曾庆平
  • 18篇王向展
  • 15篇刘斌
  • 13篇甘程
  • 11篇于奇
  • 9篇罗谦
  • 5篇王微
  • 4篇秦桂霞
  • 4篇严慧
  • 3篇郑良晨
  • 3篇王凯
  • 2篇张易
  • 2篇黄建国
  • 2篇刘洋
  • 2篇黄思霓
  • 2篇赵迪
  • 2篇郑良辰
  • 1篇宁宁

传媒

  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2017
  • 6篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 7篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
共 25 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法
一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)层在硅(Si)中引入应变形成应变硅(S...
王向展王微曾庆平罗谦郑良辰刘斌甘程
文献传递
应力集中应变MOSFET可缩小性与工艺研究
应变硅具有载流子迁移率高,能带结构可调,与传统工艺兼容,对器件性能提升明显等特点而备受关注。通过缩短器件特征尺寸以提升器件性能已变得越来越困难,将应变技术小尺寸化以提升小尺寸器件性能,进一步延续摩尔定律具有重要意义。但在...
曾庆平
关键词：应力集中应变硅
文献传递
一种T型栅结构的MOS晶体管
一种具有“T”字型栅结构MOS晶体管（T_gate MOS），属于半导体器件领域。它的特征是在普通MOSFET的沟道区域形成凹槽，使栅极形状为“T”型结构。该结构较普通MOS器件提高了版图利用率、增大了有效沟道宽度，同时...
王向展甘程曾庆平刘斌王凯黄思霓于奇
文献传递
一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法
一种具有高锗(Ge)组分的应变锗硅(SiGe)层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及应变锗硅(SiGe)层的制备。所述方法包括以下步骤：准备硅(Si)衬底；采用传统生长应变Si层的方法在Si衬底上长一层具有少量应变并...
王向展王微秦桂霞曾庆平
文献传递
一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法
本发明提供了一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法，属于半导体技术领域。技术方案为：带槽型结构的应变NLDMOS器件，包括半导体衬底、沟道掺杂区、漂移区、源重掺杂区、漏重掺杂区、栅氧、场氧、栅，还包括设置在漂移...
王向展邹淅黄建国赵迪张易曾庆平于奇刘洋
具有槽型结构与硅化物电极的MOSFET器件及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有具有硅化物电极的MOSFET器件由于硅化物电极向沟道区引入的应力不可控导致器件性能指标不稳定的问题，提供了一种具有槽型结构与硅化物电极的MOSFET器件及其制作方法，其技术方案可概括...
罗谦曾庆平刘斌邹淅于奇
文献传递
一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法
一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法，涉及半导体材料中应变增强晶体管结构及制作方法，特别是DRAM存储单元的结构及制作方法。本发明提供的DRAM存储单元包含有开关MOS晶体管9和单元电容10，其特征在于在单元电容...
王向展于奇宁宁秦桂霞曾庆平
文献传递
引入了局部应力的LDMOS器件
本发明涉及LDMOS器件。本发明公开了一种利用应力提高器件性能，并降低其不良影响的引入了局部应力的LDMOS器件。本发明的技术方案是，引入了局部应力的LDMOS器件，包括体衬底，在衬底上形成相互邻接的阱区和漂移区，在阱区...
王向展郑良晨曾庆平于奇
文献传递
一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法
一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)薄膜在硅(Si)中引入应变形成应变硅(...
王向展王微曾庆平罗谦郑良辰刘斌甘程
具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变NMOSFET，包括源极、...
罗谦刘斌曾庆平严慧甘程王向展
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0