李名复
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
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- 瞬态C-V方法对Al_xGa_(1-x)As中DX中心的研究
- 1990年
- 本文指出DX中心电容测量中边区的重要性,提出一种新的瞬态C-V方法,可以用来测量DX中心浓度、导带电子浓度和边区的空间电荷分布及导带电子浓度随温度的变化关系,并由此导出测量DX中心热电离能的方法。另外,还对DX中心正∪和负∪两种模型的理论分析和实验结果进行了比较,得出不同模型所应满足的附加条件。
- 贾英波李名复周洁高季林孔梅影
- 关键词：ALGAASDX中心C-V测量
- B^+、P^+离子注入p-Si中产生的缺陷及其退火特性的DLTS研究
- 1991年
- 用电容及电流DLTS方法测量了B^+、P^+离子注入掺硼p-Si中引进的空穴缺陷能级及其退火行为.在两种离子注入样品中都测到的空穴陷阱有七个,除了常见的辐照缺陷V.O.C受主H_4(0.35)、V.O.B复合团H_5(0.29)及V_2^+双空位单受主H_(72)(0.21)外,还测到其它四个能级H_0(0.56)、H_3(0.47)、H_6(0.25)、H_(73)(0.15).此外,在注B^+样品中还测到H_1(0.57)、H_2(0.53),在注P^+样品中有三个能级H_2~＇(0.61)H_(71)~＇(0.20)、H_8~＇(0.11),其中H_8~＇浓度很小.在600℃退火后,缺陷浓度均在10^(13)cm-^(-3)以下或者完全消失.与已有的工作比较,本文所测得的各种缺陷有较高的退火温度.
- 孙璟兰李名复陈建新
- 关键词：离子注入P-SIDLTS退火
- Ａｌ＃-[ｘ]Ｇａ＃-[１－ｘ]Ａｓ中DX中心的研究进展
- 李名复周洁单伟
- 关键词：砷化镓半导体物理弛豫晶格场
