李娜
- 作品数：5 被引量：30H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN外延材料中持续光电导的光淬灭被引量：4
- 2005年
- 研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭 .实验发现 ,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN ;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化 ,后者却明显减小 ;稍后再次加淬灭光 ,前者的持续光电导仍无变化 ,而后者却明显增加 .作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关 ,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程 ;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱 (杂质能级 )和空穴陷阱共同作用的结果 ,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位 .
- 李娜赵德刚刘宗顺朱建军张书明杨辉
- 关键词：GAN持续光电导
- 氮化镓基光电器件的模拟分析
- 由于其禁带宽度覆盖了从可见光到紫外部分,及其优良的热稳定性和化学稳定性,GaN基材料在光电子和微电子领域有重要的应用价值.而模拟对于器件的设计和制作具有指导意义,该文对GaN基紫外探测器和基于InGaN的太阳能电池的性能...
- 李娜
- 关键词：GAN紫外探测器太阳能电池
- AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟
- 提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.通过在异质结界面插入a掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结构,模拟结果与文献...
- 李娜杨辉
- 关键词：ALGAN/GAN异质结器件极化效应
- 文献传递
- AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟被引量：7
- 2004年
- 提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法. 在传统器件模拟软件中, 通过在异质结界面插入d 掺杂层, 利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应. 模拟了 Ga面生长和 N面生长的AlGaN/ GaN单异质结, 结果显示只有前者在异质结界面有载流子限制效应, 而后者没 有; Ga面生长的AlGaN/GaN异质结界面处自由电子面密度随Al组分以及AlGaN的厚度增加而增加. 以上模拟结果与其他报道中的实验以及计算结果一致, 说明该方法可有效地将极化效应引入GaN基异质结器件的模拟中.
- 李娜赵德刚杨辉
- 关键词：半导体材料极化效应禁带宽度
- GaN基肖特基结构紫外探测器被引量：18
- 2004年
- 在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法生长GaN外延层结构 ,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器 .测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线 .该紫外探测器在 5V偏压时暗电流为 0 4 2nA ,在 10V偏压时暗电流为 38 5nA .在零偏压下 ,该紫外探测器在2 5 0nm～ 36 5nm的波长范围内有较高的响应度 ,峰值响应度在 36 3nm波长处达到 0 12A/W ,在 36 5nm波长左右有陡峭的截止边 ;当波长超过紫外探测器的截止波长 (36 5nm左右 ) ,探测器的响应度减小了三个数量级以上 .该紫外探测器的响应时间小于 2 μs.
- 王俊赵德刚刘宗顺伍墨金瑞琴李娜段俐宏张书明朱建军杨辉
- 关键词：GAN肖特基结构紫外探测器响应度
