您的位置： 专家智库 > >

李春龙

作品数：131 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 129篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 11篇自动化与计算...
  • 6篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 38篇半导体
  • 29篇半导体器件
  • 28篇刻蚀
  • 23篇衬底
  • 21篇光刻
  • 16篇掩模
  • 16篇粗糙度
  • 15篇线条
  • 15篇沟道
  • 15篇存储器
  • 13篇叠层
  • 13篇晶圆
  • 12篇介质层
  • 12篇集成度
  • 11篇铁电存储器
  • 11篇光刻胶
  • 10篇掩膜
  • 10篇铁电
  • 9篇栅极
  • 9篇离子注入

机构

  • 131篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇长江存储科技...

作者

  • 131篇李春龙
  • 48篇李俊峰
  • 42篇闫江
  • 33篇赵超
  • 32篇霍宗亮
  • 24篇唐波
  • 24篇唐兆云
  • 23篇许静
  • 21篇王红丽
  • 21篇杨萌萌
  • 19篇洪培真
  • 18篇叶甜春
  • 17篇陈邦明
  • 16篇孟令款
  • 15篇贺晓彬
  • 14篇靳磊
  • 11篇朱慧珑
  • 10篇罗军
  • 8篇王桂磊
  • 6篇赵治国

传媒

  • 2篇微纳电子技术

年份

  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 5篇2021
  • 8篇2020
  • 14篇2019
  • 12篇2018
  • 6篇2017
  • 26篇2016
  • 13篇2015
  • 21篇2014
  • 2篇2013
  • 17篇2012
共 131 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种平衡晶圆间热预算的方法
本发明公开了一种平衡晶圆间热预算的方法，在执行第一组中任意一次管炉工艺的过程中，控制多批晶圆按照第一批晶圆至第M批晶圆的排列顺序依次进入相应反应炉，及控制多批晶圆按照第M批晶圆至第一批晶圆的排列顺序依次离开相应反应炉；在...
李春龙霍宗亮叶甜春
文献传递
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成有绝缘隔离层；在所述绝缘隔离层中形成有绝缘隔离层沟槽；在所述绝缘隔离层沟槽中形成有有源区层；在所述有源区层中和其上形成半导体器件结构；其特征在于，所述有源区层的载...
王桂磊李春龙赵超李俊峰
文献传递
半导体制造方法
一种半导体制造方法，在批量离子注入工艺中，在虚设晶圆上形成与欲进行离子注入的晶圆上相同的光刻胶图案，这样，虚设晶圆与欲进行离子注入的晶圆的光刻胶传输比(PR transmission ratio)相同，因此同一批次中的各...
李春龙李俊峰
文献传递
燃料电池的MEMS制造方法
本发明提供了一种燃料电池的MEMS制造方法，包括：步骤A，提供衬底；步骤B，在所述衬底上同时形成阳极和阴极，以构成燃料电池的极板；步骤C，将所述燃料电池的极板与质子交换薄膜层叠，压合组装形成燃料电池。依照本发明的燃料电池...
李春龙赵超
三维存储器及其制作方法
本发明公开了一种三维存储器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底形成有堆叠结构；在所述堆叠结构上形成沟道孔，所述沟道孔露出所述半导体衬底；在所述沟道孔内形成沟道孔结构，所述沟道孔结构具有第一沟道...
赵治国霍宗亮李春龙
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，叠层间为隔离沟槽；从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；填充开口及隔离沟槽，以分别形成...
徐烨锋闫江陈邦明唐兆云唐波许静李春龙
一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法
本申请提供了一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法，其中，铁电存储器将沟道结构、源极和漏极设置于高于第一区域和第二区域的鳍部中，使得沟道结构的第一方向两侧可以分别设置第一控制结构和第二控制结构，本申请实施例提供的...
霍宗亮闫亮李春龙邹兴奇洪培真张瑜靳磊
文献传递
一种3D NAND存储器及其制备方法
本发明提供一种3D NAND存储器及其制备方法，涉及半导体存储器技术领域，不但可以提高3D NAND存储器的存储密度，还可以用常规工艺即可使沟道层集成在垂直的沟道孔中。一种3D NAND存储器，包括：衬底；设置于所述衬底...
殷华湘侯朝昭李春龙
文献传递
后栅工艺中器件隔离方法
本发明公开了一种后栅工艺中器件隔离方法，包括：在栅极沟槽中以及层间介质层上形成栅极堆叠层;在对应于栅极沟槽处的栅极堆叠层上方形成掩模图案;以掩模图案为掩模，刻蚀栅极堆叠层直至暴露层间介质层的上表面，形成栅极堆叠结构;在层...
李春龙闫江李俊峰赵超
文献传递
平坦化处理方法
本申请公开了一种平坦化处理方法。一示例方法可以包括：对材料层进行第一溅射，在进行第一溅射时，以第一掩蔽层遮蔽材料层中溅射的负载条件相对较低的区域；去除第一掩蔽层；以及对材料层进行第二溅射，以使材料层平坦。
朱慧珑罗军李春龙邓坚赵超
文献传递
全选 清除 导出
共14页<12345678910>
聚类工具0