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殷学松

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇电阻率
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇缓冲层
  • 2篇AU
  • 2篇ITO薄膜
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇电子材料
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇时间控制
  • 1篇溅射法
  • 1篇磁控溅射法

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇殷学松
  • 3篇邓龙江
  • 2篇唐武
  • 1篇翁小龙
  • 1篇陈良
  • 1篇唐武

传媒

  • 1篇2009全国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2009
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
缓冲层对Au膜电阻率的影响
采用磁控溅射方法,在Al2O3基体上沉积纯Au膜和具有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜。利用四点探针法测试退火前后纯Au膜及有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜表面电阻率的变化。结果表明,对于纯Au膜来说,在沉...
唐武殷学松邓龙江
关键词：缓冲层电阻率
文献传递
缓冲层对Au膜电阻率的影响
采用磁控溅射方法,在Al2O3基体上沉积纯Au膜和具有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜。利用四点探针法测试退火前后纯Au膜及有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜表面电阻率的变化。结果表明,对于纯Au膜来说,在沉...
唐武殷学松邓龙江
关键词：缓冲层电阻率磁控溅射法
文献传递
ITO薄膜红外低发射率机理研究
本文采用直流磁控溅射的方法，在柔性PET基片上制备不同工艺条件下的Indium Tin Oxide(ITO)薄膜材料样品。利用X射线衍射，台阶仪，紫外-可见-近红外分光光度计，傅立叶红外光谱仪，霍尔效应测试仪等设备对IT...
殷学松
关键词：ITO薄膜直流磁控溅射电学性质
文献传递
柔性PET基底ITO薄膜磁控溅射制备方法
柔性PET基底ITO薄膜磁控溅射制备方法，涉及电子材料技术。本发明包括以下步骤：(1)衬底预处理：去除衬底表面的污垢；(2)溅射前的准备：将清洗好的衬底置于真空环境中；(3)预溅射：在氩气环境下进行预溅射；(4)溅射镀膜...
唐武殷学松翁小龙邓龙江陈良
文献传递
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