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潘光虎

作品数:5 被引量:19H指数:2
供职机构:北京大学信息科学技术学院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 3篇氧化锌
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米线
  • 2篇一维纳米
  • 2篇一维纳米结构
  • 2篇气相
  • 2篇掺杂
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇多壁碳纳米管
  • 1篇输运
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇纳米管
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇ZNO纳米

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇潘光虎
  • 4篇张琦锋
  • 4篇吴锦雷
  • 3篇孙晖
  • 3篇张俊艳
  • 2篇刘惟敏
  • 2篇薛增泉
  • 1篇周晓龙
  • 1篇柴扬
  • 1篇申自勇
  • 1篇李萍剑

传媒

  • 2篇物理化学学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇全国薄膜技术...

年份

  • 4篇2006
  • 1篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
多壁碳纳米管的掺氮改性及场效应管特性研究被引量:7
2005年
以二茂铁为前驱体,提供催化剂与部分碳源,三聚氰提供氮源与另外一部分碳源,在硅基底上制备出了碳纳米管阵列.碳纳米管为多壁结构,单根碳纳米管的平均直径为50nm.碳纳米管的X射线光电子谱(XPS)在398.4eV处出现特征峰,表明为氮掺杂的碳纳米管.用其制备的场效应管在室温大气环境下稳定地表现为n型场效应特性,并且具有非常低的关闭状态电流(off-statecurrent)以及良好的负门电压对漏极电流的抑制作用,单位源漏偏压下漏极电流为100pA量级.实验中采用了源/漏电极不对称的绝缘层结构,使得门电压对源漏两极的电场调制也不对称,从而实现了对漏电极的门电压调制.
周晓龙柴扬李萍剑潘光虎孙晖申自勇张琦锋吴锦雷
关键词:碳纳米管掺杂输运
氧化锌纳米线的制备及As掺杂的研究
ZnO作为一种宽禁带(Eg=3.37eV)半导体材料具有独特的电学和光学特性,成为近来研究的热点之一。由于其优良的光学特性,被认为是未来纳米激光器的最佳材料;由于其表面吸附作用,ZnO材料在气敏元件等方面也具有重要的应用...
潘光虎
关键词:氧化锌纳米线电学特性光学特性
文献传递
一维纳米结构氧化锌材料的气相沉积制备及生长特性研究
ZnO是一种可用于室温或更高温度下的紫外发光材料,纳米结构的ZnO(如单晶薄膜、纳米粒子膜、纳米线和纳米带等)则更是在紫外激光发射领域显示了独到的优势,被认为是有望构造短波长半导体激光器的理想材料。本文对一维ZnO 纳米...
张琦锋孙晖潘光虎张俊艳刘惟敏薛增泉吴锦雷
关键词:氧化锌纳米线
文献传递
砷掺杂的ZnO纳米线的发光特性被引量:10
2006年
在GaAs基底上制备了高质量的直径为10-100 nm、长度约几个微米的As掺杂ZnO纳米线.扫描电镜、EDX分析及透射电镜分析显示,ZnO纳米线具有较好的晶态结构.对As掺杂前后的ZnO纳米线进行光学特性测量,结果表明,ZnO纳米线在385 nm处有较强的紫外发光峰,在505 nm左右有较弱的蓝绿发光峰:As掺杂较大地改变了ZnO纳米线的发光性质,使本征发光峰移到393 nm处,蓝绿发光强度有了很大程度的提高.
潘光虎张琦锋张俊艳吴锦雷
关键词:氧化锌纳米线掺杂发光特性
一维纳米结构氧化锌材料的气相沉积制备及生长特性研究被引量:2
2006年
ZnO是一种可用于室温或更高温度下的紫外发光材料,纳米结构的ZnO(如单晶薄膜、纳米粒子膜、纳米线和纳米带等)则更是在紫外激光发射领域显示了独到的优势,被认为是有望构造短波长半导体激光器的理想材料.本文对一维ZnO纳米结构(纳米线、纳米管和纳米带)的真空物理气相沉积制备技术及生长机理进行了初步探讨.
张琦锋孙晖潘光虎张俊艳刘惟敏薛增泉吴锦雷
关键词:氧化锌纳米线
共1页<1>
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