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王向谦

作品数：34 被引量：1H指数：1
供职机构：甘肃省科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金甘肃省科技支撑计划兰州市科技发展计划项目更多>>
相关领域：一般工业技术理学电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 5篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇经济管理
  • 2篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 8篇铁磁
  • 8篇自旋
  • 6篇光刻
  • 5篇铁磁层
  • 5篇反铁磁
  • 4篇溅射
  • 4篇磁性层
  • 3篇多孔
  • 3篇亚胺
  • 3篇异质结
  • 3篇铁磁耦合
  • 3篇自旋电子学
  • 3篇自旋阀
  • 3篇酰亚胺
  • 3篇晶圆
  • 3篇聚酰亚胺
  • 3篇基片
  • 3篇光刻胶
  • 3篇反铁磁耦合
  • 3篇感器

机构

  • 31篇甘肃省科学院
  • 3篇西北师范大学
  • 2篇兰州空间技术...

作者

  • 34篇王向谦
  • 14篇宋玉哲
  • 12篇刘斌
  • 11篇高晓平
  • 10篇韩根亮
  • 7篇卢启海
  • 3篇李建锋
  • 2篇徐武德
  • 2篇王成伟
  • 2篇李燕
  • 2篇王多书
  • 1篇郑礴
  • 1篇刘东妮
  • 1篇赵雲
  • 1篇郑礡
  • 1篇刘家勇
  • 1篇文青瑶

传媒

  • 4篇甘肃科学学报
  • 2篇真空与低温
  • 1篇物理学报
  • 1篇甘肃科技
  • 1篇中国科技成果

年份

  • 9篇2024
  • 11篇2023
  • 6篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体光刻工艺
本发明公开了一种半导体光刻工艺，涉及半导体制造技术领域，该半导体光刻工艺包括以下步骤：步骤一：衬底的准备；步骤二：涂抹光刻胶；步骤三：软烘干处理；步骤四：曝光及显影；步骤五：硬烘干处理。本发明通过机械清洁的方式能够进行微...
刘斌王向谦谢明玲谭稀宋玉哲
一种γ′-Fe<Sub>4</Sub>N磁性多孔膜的制备方法及其应用
本发明公开了一种γ′‑Fe<Sub>4</Sub>N磁性多孔膜的制备方法，包括：步骤1，将硅基片表面进行清洗，干燥，得到预处理后的硅基片；步骤2，将所述与处理后的硅基片进行磁控溅射镀膜，所述磁控溅射镀膜采用Fe靶材，以氮...
卢启海韩根亮宋玉哲王向谦谢明玲
文献传递
一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法
本发明公开了一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法，属于半导体领域。包括如下步骤：在覆盖有功能层的衬底上涂覆SU8系列光刻胶，所述光刻胶完整覆盖整个功能层表面；对涂覆有SU8系列光刻胶的样品进行曝光前烘...
谭稀史鑫强进高晓平卢启海王向谦宋玉哲韩根亮
文献传递
一种用于原子层沉积设备的前驱体输运管路结构
本实用新型公开了一种用于原子层沉积设备的前驱体输运管路结构，包括两路常温输运管路和两路热输运管路，两路常温输运管路分别为第一管路和第二管路，两路热输运管路分别为第三管路和第四管路；四路输运管路并联进入反应腔，其特征在于：...
谢明玲王向谦员朝鑫何开宙强进刘斌李钰瑛张广安
一种低维层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法
本发明提供了一种低维层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：S1：在预处理后的衬底上通过磁控溅射沉积金属钼，得沉积有金属钼薄膜的衬底；S2：将步骤S1所得沉积有金属钼薄膜的衬底在真空管式炉退火系统中硫化...
谢明玲王向谦宋玉哲何开宙员朝鑫谭稀
一种提高人工反铁磁耦合场的大小和热稳定性的结构及其加工方法
本发明公开了一种提高人工反铁磁耦合场的大小和热稳定性的结构及其加工方法，属于信息技术和自旋电子学领域，目的在于提高人工反铁磁的反铁磁耦合场的大小和热稳定性。人工反铁磁的结构由下向上分别为：基底/缓冲层/种子层/下磁性层/...
何开宙王向谦员朝鑫谢明玲强进
一种匀胶晶圆对准装置
本实用新型公开了一种匀胶晶圆对准装置，所述对准装置包括矩形板状的第一载台，第一载台的前端设有半圆形的豁口，半圆形的豁口贯穿第一载台顶面和底面，半圆形豁口形成第一导向槽，第一导向槽的内壁用于咬颌连接匀胶机大转动吸盘外部；第...
员朝鑫谢明玲强进王向谦刘斌何开宙
一种改善柔性人工反铁磁薄膜应力的结构及其制备方法
本发明公开了一种改善柔性人工反铁磁薄膜应力的结构及其制备方法，涉及自旋电子与柔性集成技术领域。柔性人工反铁磁的结构由下向上分别为：聚酰亚胺柔性基底、楔形缓冲层、种子层、下磁性层、非磁性层、上磁性层和保护层。聚酰亚胺柔性基...
何开宙王向谦谢明玲员朝鑫强进高晓平
一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法
本发明公开了一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法，电路包括电源芯片保护子电路和衬底电位生成子电路；本发明的CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路不要求工艺具有特殊器件，在标准CMOS工艺下即可实现，且电路结构...
高晓平谢明玲王向谦员朝鑫韩根亮
文献传递
CoFe/NiFe复合自由层对自旋阀磁电阻变化率的影响
2024年
研究CoFe/NiFe复合自由层对自旋阀磁电阻变化率的影响。在实验中通过固定溅射功率、时间和气流,调节靶基距(TSD)得到不同厚度及均匀性的复合自由层CoFe/NiFe薄膜,进而达到优化自旋阀结构提高其磁电阻率的目的。实验结果表明:在TSD分别为8.382 cm、8.890 cm时,制备的CoFe和NiFe单层膜性能最优,电阻标准偏差分别为1.33%、0.98%。通过磁性能综合测试平台对优化后的CoFe/NiFe复合自由层的自旋阀结构进行了测试,磁电阻变化率(MR)较优化前提高了约0.84%。该研究可为高性能自旋阀结构的制备提供参考。
刘斌王向谦李钰瑛卢启海谢明玲
关键词：自旋阀
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