石兵
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜光电导性能研究被引量：1
- 2013年
- 采用射频磁控溅射的方法制备了微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜,对样品的光电导性能进行了研究。结果表明,不同的硼掺杂量下,氢化非晶硅薄膜透过率随掺杂量的增加而变大,透过率曲线截止边红移;吸收系数随着硼掺杂量的增加而增大;薄膜的折射率随着波长的增加而下降,同一波长下随着掺杂量的增加而增大,在500nm波长处折射率达到4.2以上,最大到4.6;薄膜的交流电阻率在微量硼掺杂下随着硼掺杂量的增加先减小后增大。
- 王陆一蒋向东石兵
- 关键词：硼掺杂射频磁控溅射氢化非晶硅折射率
- 轻掺杂氢化非晶硅的制备与光电性能研究
- 2014年
- 采用等离子体化学气相沉积(PECVD)法,以高纯度硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,在ITO玻璃衬底上制备出硼轻掺杂浓度的氢化非晶硅(a-Si∶H)半导体薄膜。测量了样品的光暗电导率、折射率、消光系数、禁带宽度随掺杂浓度的变化。结果表明:随着硼掺杂浓度的增加,薄膜的暗电导率先减小后增大。消光系数、禁带宽度等都随着掺杂浓度的增加而变化。在不同工艺条件下,改变硼掺杂浓度,确定了最佳掺杂比(光暗电导率之比最大),制备出适合器件级轻掺杂氢化非晶硅薄膜光敏层。
- 石兵蒋向东王继岷邓宗权程自亮
- 关键词：PECVD氢化非晶硅硼掺杂电导率折射率
- 射频磁控溅射法制备液晶光阀光导层的研究
- 2012年
- 采用射频磁控溅射的方法制备了用于液晶光阀光导层的氢化非晶硅薄膜,研究了工艺参数对氢化非晶硅薄膜透过率及光电导性能的影响。结果表明,薄膜的沉积速率随着溅射功率和衬底温度的升高呈先增加后减小的趋势,在衬底温度为300℃,溅射功率为300W左右沉积速率达到最大,在溅射2h后沉积速率随着溅射时间的增加而下降;薄膜的光吸收系数随衬底温度的升高而增大,随溅射功率的增加而减小;交流电导率随衬底温度和溅射功率的升高而下降;薄膜在可见光范围内透过率随着H分压的增大而增大,且吸收边发生蓝移。
- 王陆一蒋向东李建国石兵
- 关键词：射频磁控溅射氢化非晶硅
- 射频磁控溅射法制备硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜的研究
- 2012年
- 研究了工艺参数对硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜形成及光电导性能的影响。采用射频磁控溅射的方法制备了硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜,结果表明,衬底温度和溅射功率对薄膜的沉积速率、掺杂量、光吸收系数、电导率等有着很大的影响,在温度300℃,溅射功率300 W时沉积速率达到最大。通过实验得到的规律可以通过调整工艺参数来得到性能优良的硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜。
- 王陆一蒋向东石兵
- 关键词：氢化非晶硅
