简红彬
- 作品数：6 被引量：28H指数：3
- 供职机构：河北大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 纳米晶粒多晶Si薄膜的低压化学气相沉积被引量：7
- 2006年
- 利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,以充Ar的S iH4作为反应气体源,在覆盖有热生长S iO2层的p-(100)S i衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多晶S i膜(nc-poly-S i)。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼谱等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸与密度分布等结构特征。结果表明,nc-poly-S i膜中S i晶粒的尺寸大小和密度分布强烈依赖于衬底温度、S iH4浓度与反应气压等工艺参数。典型实验条件下生长的S i纳米晶粒形状为半球状,晶粒尺寸约为40nm,密度分布约为4.0×1010cm-2和膜层厚度约为200nm。膜层的沉积机理分析指出,衬底表面上S i原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着nc-poly-S i膜的生长。
- 彭英才马蕾康建波范志东简红彬
- 关键词：LPCVD纳米晶粒
- aSi1xCxH薄膜的热壁LPCVD制备与结构特性研究
- 本工作采用低压化学气相沉积（LPCVD）技术，在Si(100)衬底上成功地制备出了具有近化学计量的氢化非晶碳化硅（a-Si1-xCx:H）薄膜。研究了衬底温度、反应压强、沉积时间以及甲烷(CH4)与硅烷(SiH4)气体流...
- 简红彬
- 关键词：结构特性
- 文献传递
- 提高Si量子点发光强度的途径被引量：1
- 2006年
- 探讨了提高Si量子点发光强度的可能途径。这些方法主要包括:采用高密度和小尺寸的有序Si量子点、光学微腔结构、表面钝化处理技术和稀土发光中心掺杂。
- 康建波彭英才简红彬马蕾张雷
- 关键词：发光强度光致发光电致发光
- 多晶硅薄膜制备技术的研究进展被引量：9
- 2005年
- 多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.
- 马蕾简红彬康建波彭英才
- 关键词：低压化学气相淀积金属诱导晶化
- a-Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub>：H薄膜的热壁LPCVD制备与结构特性研究
- 本工作采用低压化学气相沉积（LPCVD）技术,在Si（100）衬底上成功地制备出了具有近化学计量的氢化非晶碳化硅(a-Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub>:H)薄膜。研究了衬底温度、反应压强、沉积时...
- 简红彬
- 关键词：LPCVD
- SiC薄膜的化学汽相沉积及其研究进展被引量：12
- 2006年
- 介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法———化学汽相沉积(CVD)法制备SiC薄膜的近年研究进展,并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简要评述。
- 简红彬康建波于威马蕾彭英才
- 关键词：SIC薄膜化学汽相沉积物理性质
