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蔡剑

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：经济管理电子电信文化科学社会学更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇经济管理
  • 4篇电子电信
  • 1篇社会学
  • 1篇文化科学

主题

  • 11篇晶体管
  • 6篇氧化锌薄膜
  • 6篇薄膜晶体
  • 6篇薄膜晶体管
  • 5篇沟道
  • 5篇半导体
  • 4篇电路
  • 3篇电阻
  • 3篇掩膜
  • 3篇掩膜版
  • 3篇自对准
  • 3篇微电子
  • 3篇介质层
  • 3篇绩效
  • 2篇低电阻
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇栅结构
  • 2篇社会网
  • 2篇社会网络

机构

  • 18篇北京大学

作者

  • 18篇蔡剑
  • 13篇王亮亮
  • 13篇王漪
  • 13篇韩德栋
  • 13篇康晋锋
  • 13篇张盛东
  • 10篇王薇
  • 9篇任奕成
  • 2篇孙雷
  • 2篇刘力锋
  • 1篇张索明
  • 1篇刘盖
  • 1篇田宇
  • 1篇马建忠
  • 1篇张翼
  • 1篇黄福青
  • 1篇单东方
  • 1篇钱振
  • 1篇韩松
  • 1篇王龙彦

传媒

  • 1篇中国新通信

年份

  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 9篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
上市公司绩效排行:所有制、规模和行业因素分析
提高中国上市公司的绩效管理水平,必须先识别其核心的影响因素。社会主义市场经济的阶段性和中国资本市场的环境,决定了中国上市公司的绩效管理模式有其特殊性。本文利用中国上市公司1994-2008年的公开财务数据和股价收益数据来...
钱振沈艳韩松蔡剑
关键词：企业绩效上市公司资本市场
文献传递
一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的方法仅需要3块掩膜版，利用三次光刻制备出氧化锌薄膜晶体管；采用自对准方法将沟道区外的栅介质层和栅电极的这两层光刻胶一起剥离，然后对暴露出的沟道区两端的半导体层...
王漪蔡剑王薇韩德栋王亮亮任奕成张盛东刘晓彦康晋锋
一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的制备方法采用底栅结构，首先生长光刻刻蚀出栅电极，然后连续生长栅介质层及有源区层，再光刻刻蚀出有源区，以栅电极为掩膜，配合源电极和漏电极的掩膜版，背部曝光即可实...
王漪王亮亮韩德栋蔡剑王薇耿友峰任奕成张盛东刘晓彦康晋锋
文献传递
一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明在顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备过程中，将沟道区、栅介质层和栅电极层一起剥离，工艺步骤简单，且沟道层、栅绝缘介质层和栅电极层这三层是在真空条...
韩德栋蔡剑王薇王亮亮王漪张盛东任奕成刘晓彦康晋锋
一种像素驱动电路及其驱动方法
本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括：第一晶体管至第四晶体管、存储电容、有机发光二级管OLED、旁路电路、数据线、第N-1扫描线和第N扫描线。本发明采用存储电容的第二端接第一晶体管的源极，以...
韩德栋蔡剑王龙彦刘盖王亮亮马建忠丛瑛瑛张翼田宇张索明单东方黄福青王漪张盛东刘晓彦康晋锋
同异步双栅TFT-OLED像素驱动电路及其驱动方法
本发明公开了一种同异步双栅TFT-OLED像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、存储电容和发光二极管；其中，第一晶体管为同步双栅薄膜晶体管，第二晶体管为异步双栅薄膜晶体管。本发明的像...
王漪王亮亮韩德栋蔡剑王薇耿友峰张盛东刘晓彦康晋锋
文献传递
基于时间价值的社会网络服务绩效原理
随着互联网的发展和普及，以社会网络为基础的新服务模式快速兴起，在电子商务、社会管理等方面扮演着重要角色。如何评估和管理社会网络服务的绩效成为理论界与实务界的重要课题。通过分析社会网络服务时间价值的基本原理，提出非货币化的...
HAN Song韩松CAI Jian蔡剑
关键词：互联网行业绩效管理
氧化锌基半导体薄膜晶体管的工艺研究
自20世纪以来，伴随着电视广播技术的普及和电子信息产业的飞速发展，电子显示技术在人类社会中获得了广泛的应用。薄膜晶体管(TFT)在这个过程中扮演着关键性的角色。在液晶显示技术领域中氢化非晶硅薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体...
蔡剑
关键词：薄膜晶体管
一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。本发明采用射频磁控溅射方法形成两层AlZnO薄膜材料作为有源区，且该两层AlZnO薄膜的氧离子含量不同。本发明氧化物半导体薄膜晶体管...
韩德栋王漪蔡剑王亮亮任奕成张盛东孙雷刘晓彦康晋锋
文献传递
一种3D氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种3D氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法。本发明的薄膜晶体管采用下层有源区、下层栅介质、栅电极的连续生长，以及上层栅介质、上层有源区的连续生长，能够极大减少有源层与栅介质的界面缺陷态，因而能极大地提高薄膜晶...
王漪蔡剑韩德栋王亮亮任奕成张盛东孙雷刘晓彦康晋锋
文献传递
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