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GaN_(1-x)P_x三元合金的光学与结构特性被引量：1: 2004年; 对采用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)技术生长的GaN1-xPx 三元合金进行了低温光致发光 (PL)和X射线衍射 (XRD)测试分析 .与来自GaN层的带边发射相比 ,P的摩尔分数比为 0 .0 3,0 .11和 0 .15的GaN1-xPx 的光致发光峰分别呈现出了 73meV ,78meV和 10 0meV的红移 ,文中将这种红移归因于GaN1-xPx 合金具有大的带隙能量弯曲系数。X射线衍射结果表明GaN1-xPx 三元合金仍为六方结构晶体 ,且随着P组份比的增加 ,GaN1-xPx合金的 (0 0 0 2 )衍射峰逐渐向小角度方向移动 ,即晶格常量变大 ,同时 ,(0 0 0 2 )衍射峰谱线不断宽化 ,说明由于替位式P原子的不规则分布以及部分间隙P原子的影响造成了GaN1-xPx 样品的晶格畸变。在GaN1-xPx 的光致发光谱及X射线衍射谱中均未观测到相应的有关GaP的峰 ,表明所生长的高P含量的GaN1-xPx 三元合金没有产生明显的相分离。; 陈敦军张开骁沈波邓咏桢濮林张荣施毅郑有炓; 关键词：光学材料三元合金 X射线衍射晶格畸变半导体光电材料

AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究被引量：3: 2004年; 利用Al_AlN_Si(111)MIS结构电容_频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN_Si异质结构中的电荷陷阱态 .揭示了AlN_Si异质结构界面电荷陷阱态以及AlN层中的分立陷阱中心 .结果指出 :AlN层中存在Et-Ev=2 5 5eV的分立陷阱中心 ;AlN_Si界面陷阱态在Si能隙范围内呈连续分布 ,带中央态密度最低 ,Nss为 8× 10 1 1 eV- 1 cm- 2 ,对应的时间常数τ为 8× 10 - 4s ,俘获截面σn 为 1 5 8× 10 - 1 4cm2 ;在AlN界面层存在三种陷阱态。; 周春红郑有炓邓咏桢孔月婵陈鹏席冬娟顾书林沈波张荣江若琏韩平施毅; 关键词：SI(111)AIN 界面电荷金属有机化学气相沉积能隙态密度

GaN_(1-x)P_x薄膜的结构特性研究被引量：5: 2003年; 用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1 -xPx薄膜利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1 -xPx 晶体结构的影响 .研究结果表明 :随着P组分比的增加 ,GaN1 -xPx(0 0 0 2 )衍射峰逐渐向小角度移动 ,即晶格常数变大 ;与非掺杂GaN相比 ,GaN1 -xPx 薄膜的拉曼光谱中出现了 4个新的振动模式 ,将它们分别归因于P族团引起的准局部振动模式、Ga—P键振动引起的间隙模 ,以及来自缺陷引起的无序激活散射 .同时 ,随着P组分比的增加 ,A1 (LO)模式的频率向低频方向移动。; 陈敦军沈波张开骁邓咏桢范杰张荣施毅郑有炓; 关键词：金属有机物化学气相沉积 X射线衍射拉曼光谱

Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究被引量：1: 2004年; 通过 PL 谱和 Raman谱对 MOCVD生长 Si基 Al N的深陷阱中心进行了研究 ,发现三个深能级 Et1 ,Et2 ,Et3,分别在 Ev 上 2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位 (或 Al间隙原子 )能级峰位靠近重合共同引起的 ,Et2 、Et3都是由于衬底 Si原子扩散到 Al N引起的 .在 Si浓度较低时 ,Si主要以取代 Al原子的方式存在 ,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时 ,部分 Si原子以取代 N原子位置的方式存在 ,形成深陷阱中心 Et3.实验还表明 ,即使经高温长时间退火 ,Al N中 Et1 和 Et2; 邓咏桢郑有炓周春红孔月婵陈鹏叶建东顾书林沈波张荣江若琏韩平施毅; 关键词：PL谱

CVD生长Si基Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金层应变的研究被引量：1: 2005年; 用Raman谱和AES能谱分析了用RTP/VLP-CVD方法生长在Si衬底上的SiGeC合金外延薄膜的应变。结果表明:用RTP/VLP-CVD方法生长的SiGeC合金中掺入的C呈间隙原子或替位原子的形式分布,其中大部分为间隙原子,少量为替位C原子,但是替位C原子的存在有效地调节了SiGeC合金层的应变;另外由于采用乙烯做C源,生长温度较高也使SiGeC合金层的应变部分被弛豫。由于C的掺入,Si基上生长SiGeC合金的应变和相同Ge含量的SiGe合金相比较大大减小,临界厚度大大增加,有利于在Si衬底上生长出达到一定厚度的更高质量的族元素合金半导体材料。; 邓咏桢孔月婵江宁郑有炓朱顺民韩平施毅张荣

AlN和SiGeC的应变和深能级研究: 氮化铝(AlN)是直接带隙半导体，禁带宽度为6.2eV，具有电子饱和漂移速度高、抗辐照能力强、热稳定性良好、热导率高、声波速率极高等独特的特性，在紫外光波段光电器件和高频大功率、高温电子器件、表面声波器件等方面倍受青睐。...; 邓咏桢; 关键词：氮化铝压电极化; 文献传递

硅基AlN应力和压电极化研究被引量：1: 2004年; 通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)的方法在Si( 111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化 ,Raman谱观察到两个声子峰位分别在 619.5cm- 1 (A1 (TO) )和 668.5cm- 1 (E2 (high) )。通过光学声子E2 (high)的频移为 13cm- 1 计算得到AlN薄膜上的双轴压应力为 5 .1GPa ,在z轴方向上和在垂直于z轴方向上的应变分别为εzz=6 7× 10 - 3和εxx=-1 1× 10 - 2 ,产生的压电极化电荷PPE=2 .2 6× 10 - 2 c·m- 2 ,这相当于在Si的表面产生浓度为 1.41× 10 1 3c·cm- 2 的电子积累。同时 ,实验还发现在MOCVD生长过程中存在Si原子的扩散 ,在界面处形成了一个过渡层 ,过渡层主要以Si原子取代Al原子的位置并形成Si-N键为主。; 邓咏桢孔月婵郑有炓周春红沈波张荣; 关键词：拉曼谱应力压电极化

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邓咏桢