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气相色谱法测定薄膜中氢含量被引量：1: 1993年; 本文介绍用气相色谱法测定氮化硅膜,非晶硅膜,氮化硼膜中的总氢含量及不同温度下氢的热释放率。该方法灵敏度高,简便准确可靠,样品量少,并且不需作特殊处理,可进行定量测定。; 吕惠云陈克铭; 关键词：氮化硅膜非晶硅膜气相色谱

联合不同学科专家解决我国的肿瘤预防问题: 1998年; 恶性肿瘤对人类健康的危害程度日趋严重,给患者个人、家庭和社会在精神上、肉体上和经济上都造成极其沉重的负担。即使像美国那样的发达国家也感到承受不了日益增长的医疗保险费用。从尼克松的“战胜癌症倡议”到后来的“降低癌症死亡50％”的计划均未取得预期的效果。肿瘤发病率仍在逐年增长,肿瘤死亡亦未见下降,尤其是肺癌死亡的增长抵消和超过了近几十年中其它肿瘤死亡的下降。严峻的事实促使美国科学家和政府开始重视恶性肿瘤的预防工作。80年代美国科学家在政府支持下进行了3个旨在预防吸烟者发生肺癌的大规模长期人群干预试验,被试者近10万人,历时近10年。结果却出乎意料:在芬兰进行的试验表明服用其营养素组患肺癌的人数反而比对照组增加了18％。其它两个在美国本土进行的类似实验也因情况不妙而提前结束。美国政府为这3个试验已经花费近1亿美元。; 吴旻周宜开陈克铭黎高翔; 关键词：肿瘤癌症预防

掩膜层生长导致n-GaAs表面化学组分的变化对微波器件性能的影响: 1983年; 利用AES和ESCA能谱仪和离子剥离相结合的方法,研究了不同温度下在n型GaAs上淀积SiO_2掩膜层的n-GaAs(100)表面化学组分的变化对形成肖特基结和欧姆接触的影响.在这基础上提出,通常淀积SiO_2过程是以淀积SiO_2为主,并伴随着GaAs本体氧化和As-O 键中的As挥发和氧转移到Ga上来形成附加的Ga_2O_3的两个物理过程所组成.解释了400℃淀积SiO_2掩膜层的3mm混频器各项性能优于700℃淀积SiO_2掩膜层的4mm混频器,而后者性能不够理想的原因是由于金属/n-GaAs界面处仍有β-Ga_2O_3而引起较多的界面缺陷所致.在An-Ge-Ni/GaAs界面处很薄的 β-Ga_2O_3对 An-Ce-Ni欧姆接触性能影响不大.但长期存放后在Au-Ge-Ni表面上形成的Ga_2O_3对欧姆接触就有影响.; 陈克铭王森陈维德方浦明; 关键词：N-GAAS 混频器微波器件淀积肖特基结化学组分

光生物传感技术与癌症易感性的检出: 1998年; 要有效预防癌症就要检测出肿瘤生物标记物的量及其变化量．因此，关键是要发展一种能检测出肿瘤易感个体的新方法———光生物传感技术．由此可作出细胞癌变的易感个体的预警，并给出针对性的预防措施，使癌症的发病率大大下降．; 陈克铭李国花马红芝; 关键词：易感性肿瘤检测生物标记物

进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究被引量：1: 1994年; 本文提出了关系到ＩＳＦＥＴ不稳定性的三个原因：（一）Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜表面或其缓冲溶液中。停留的羟基团是非常活泼，容易增加或失掉电子．这是氢离子敏ＦＥＴ传感器长期不稳定性的原因．（二）氢离子敏ＦＥＴ传感器的稳定性，随着ＩＳＦＥＴ的制作过程中沉淀条件而变化，这也是ＩＳＦＥＴ不稳定性的另一原因．（三）缓冲溶液的ｐＨ随着测量过程和时间而变化，这也助长了氢离子敏ＦＥＴ传感器的不稳定性，但不是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ本身的不稳定性原因．我。们利用了再调整和控制羟氨基团比率的技术来提高ＩＳＦＥＴ的稳定性．这种改进稳定特性的技术在实践中是有效的．; 陈克铭李国花陈朗星朱燕; 关键词：场效应晶体管稳定性氢离子

LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响被引量：2: 1991年; 本文利用共振核反应定量地确定了LPCVD氮化硅敏感膜中,氢原子浓度及其分布.我们不仅证实了在825℃温度下,淀积的氮化硅敏感膜内存在氢原子,而且敏感膜表面所存在氢原子浓度为8—16×10^(21)cm^(-3),它高于敏感膜体内,其体内的氢原子浓度为2-3×10^(21)cm^(-3),而且敏感膜表面氢原子浓度大小与膜表面的制备条件密切相关,同时我们还利用傅利叶交换红外透射吸收光谱,确定了LPCVD氨化硅敏感膜中存在Si-O(1106cm^(-1))N-H(1200cm^(-1)),Si-H(2258cm^(-1))和N-H(3349cm^(-1))的化学键配位结构.敏感膜表面氧的存在严重地影响ISFET的能斯特响应和线性范围,而敏感膜表面的Si-H,N-H和N-Si 的化学键结构存在,有利于改善pH-ISFET 的灵敏度和线性范围.; 陈克铭李国花吕惠云陈朗星; 关键词：氮化硅膜 LPCVD 氢含量敏感特性

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陈克铭