陈志君
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
- 2006年
- 提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全。透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛。研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键。
- 陈志君张峰王永进金波陈静张正选王曦
- 关键词：注氧隔离
- 紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法
- 本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应...
- 林志浪张峰王永进曹共柏陈志君
- 文献传递
- 紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法
- 本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应...
- 林志浪张峰王永进曹共柏陈志君
- 文献传递
- 氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响
- 2006年
- 研究了氧化对外延在SOI衬底上的Si Ge薄膜的残余应变弛豫过程的影响.通过对Si Ge薄膜采用不同工艺的氧化,从而了解不同氧化条件对SOI基Si Ge薄膜的应变弛豫过程的影响.氧化将会促使Si Ge薄膜中的Ge原子扩散到SOI材料的顶层硅中.而Si Ge薄膜的残余应变弛豫过程将会与Ge原子的扩散过程同时进行.通过对Si Ge薄膜和SOI顶层硅中位错分布的分析发现在氧化过程中,Si Ge薄膜和SOI衬底之间存在一个应力传递的过程.
- 金波王曦陈静张峰程新利陈志君
- 关键词：SIGESOI应变弛豫
- 掺Er-Al_2O_3薄膜发光特性的研究被引量：3
- 2004年
- 通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×1015cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h。低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升。973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰。光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低。1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反。说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系。
- 肖海波张峰张昌盛程新利王永进陈志君林志浪张福民邹世昌
- 关键词：离子束辅助沉积AL2O3薄膜PL谱发光特性
- 离子注入法制备掺Er-Al<,2>O<,3>薄膜的研究
- 通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO<,2>上沉积Al<,2>O<,3>薄膜,在能量120keV剂量5×10<'15>cm<'-2>下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,...
- 肖海波张昌盛林志浪陈志君张峰邹世昌
- 关键词：EDWA光致发光
- 文献传递
- SGOI材料的SIMOX制备技术研究
- SGOI(SiGe-oninsulator，SGOI)材料同时具备SiGe材料和SOI材料的双重特点，因而成为应变硅技术应用的新型衬底材料。利用SGOI材料作为衬底生长的应变硅材料，由于载流子迁移率的提高，可以实现现有线...
- 陈志君
- 关键词：应变硅衬底材料应变硅技术微电子学固体电子学集成电路
- 文献传递
- 离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光
- 2004年
- 利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中。通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T>150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率。
- 张昌盛肖海波王永进陈志君程新利张峰
- 关键词：ER富硅氧化硅光致发光
