陈晓哲 作品数:8 被引量:14 H指数:2 供职机构: 中国科学院微电子研究所 更多>> 发文基金: 国家重点基础研究发展计划 国家自然科学基金 四川省科技计划项目 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
Ka波段低噪声放大器的设计 被引量:6 2004年 利用 p HEMT工艺设计了一个 Ka波段微波单片低噪声放大器电路。电路采用四级放大的结构形式。利用微带电路实现射频输入、输出和级间匹配。采用多目标优化方法对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数和输出 1 d B压缩点等特性进行了研究。设计出一个增益大于 2 0 d B,噪声系数小于 1 .0 d B,1 d B压缩点的输出功率在 1 0 d Bm以上 ,性能优异的 LNA。 韩振宇 张海英 刘洪民 李井龙 陈晓哲关键词:毫米波单片集成电路 KA波段 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 一种带新型功率检测电路的SiGe功率放大器设计 2013年 针对ISO/IEC 18000-6C协议的应用要求,设计了一款应用于手持超高频无线射频识别(UHF RFID)读写器输出端的两级SiGe功率放大器。在设计中采用了一种新型的晶体管面积推算方法,能够根据最大输出功率的要求,较准确的推算出所需要的晶体管发射极面积,对于基于异质结双极晶体管(HBT)工艺的功率放大器设计有一定的参考价值。此外还提出了一种新型的自偏置功率检测电路结构,在保证检测性能的同时减小了芯片面积。实际测试结果显示,在3.3 V的偏压下,功率放大器在1 dB压缩点处的输出功率可以达到24.1 dBm,对应的功率附加效率为26.6%,功率检测电平为2.63 V。整体芯片面积为0.6 mm×0.72 mm。 陈春青 郝明丽 郭瑞 陈晓哲 杨浩关键词:功率放大器 SIGE 自偏置 功率检测 RFID射频收发器可编程配置模块设计 被引量:1 2013年 为满足RFID射频收发器可灵活配置工作模式,并校准芯片工作频率的要求,设计了一种具有新型双缓冲存储结构和实现自适应频率校准(AFC)的可编程配置模块。采用双缓冲存储结构和数据同步方法简化设计,通过引入可变阶距因子改进自适应频率校准算法,使得频率锁定时间有效降低。采用TSMC0.18μm工艺进行后端设计并流片,芯片面积4mm2,供电电压1.8V。测试结果表明,该模块能正确完成芯片配置,AFC频率跟踪时间缩短到135μs以内。 杨海峰 王岩国 王太宏 王超 张海英 陈晓哲关键词:射频收发器 UHF RFID阅读器中恒定调谐增益LC-VCO设计 2014年 设计了一种应用于UHFRFID阅读器的恒定调谐增益LC-VCO。VCO采用互补交叉耦合结构实现较高电源利用效率,偏置电路采用电压调节结构有效抑制电源引入的噪声。提出创新的分布式偏置容抗管阵列,以实现恒定调谐增益。电路采用TSMCO.18μmCMOSRF工艺设计。仿真结果表明,VCO的频率调谐范围为1.61~2.03GHz,在1MHz频偏处,相位噪声为-127dBc/Hz,电源电压1.8V,电路消耗的总电流为3.4mA。电路在保证低相位噪声和低电源噪声灵敏度的同时,工作频带内调谐增益的变化控制在±7%以内。 刘帅 王小松 陈晓哲 樊晓华 杨浩 张海英关键词:超高频射频识别 压控振荡器 一种用于UHF RFID阅读器的无电感巴伦LNA设计 被引量:1 2012年 设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术,具有单端输入差分输出的功能,能够同时实现输出平衡,噪声消除和非线性失真抵消,具有高的线性度。该电路采用TSMC0.18μm工艺设计,芯片面积只有0.02 mm2。电源电压为1.8 V,总电流为8 mA,后仿真结果增益为19.2 dB,噪声因子为2.5 dB,输入1 dB压缩点为-5.2 dBm。 宁方潇 张健 陈晓哲 杨浩 张海英关键词:噪声消除 共源共栅 高线性度 RFID系统中的低通滤波器设计 被引量:5 2013年 介绍了一种用于RFID系统的有源RC低通滤波器。该滤波器是一个6阶巴特沃斯型滤波器,包含三个级联的Tow-Thomas二次节。采用直流失调消除电路,有效地降低了直流失调;使用自动频率校准电路来消除温度、工艺和电压波动等对滤波器截止频率的影响。仿真结果显示,该滤波器电路的截止频率可达1.3 MHz,通带增益6dB,12dB,18dB,24dB可调,调谐精度为5%,线性度IIP3可达到17.6dBm。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,面积为0.6mm2,工作电压为1.8V,消耗电流3mA。 惠欣 陈晓哲 樊晓华 杨浩 张海英关键词:无线射频识别 2.8~4.2GHz MMIC低噪声放大器 被引量:1 2007年 报道了基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的2.8~4.2GHz MMIC低噪声放大器,详细介绍和分析了低噪声放大器的器件基础和设计原理,设计采用源极串联电感负反馈方法使输入阻抗共轭匹配和最小噪声匹配趋于一致,偏置网络采用自偏置栅压、单电源供电,并用ADS软件仿真。电路评估板选用Rogers RO4350B,在2.8~4.2GHz频段内测得增益大于20dB、增益平坦度小于2.5dB、噪声系数小于2.3dB、输入输出驻波比小于2.0。 黄华 陈晓哲 刘亮 陈立强 张健 张海英关键词:低噪声放大器 微波单片集成电路 赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成低噪声放大器的设计与工艺 本论文根据现有的实验条件,对于低噪声HEMT,低噪声放大器的设计进行了研究,提出了适合我们设计要求的HEMT件外延层材料结构。
根据低噪声放大器的设计要求,对于低噪声放大器的主要指标进行了说明,对于设计中需要涉... 陈晓哲关键词:低噪声放大器 射频接收系统 微电子学 固体电子学 文献传递