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饶建平

作品数:10 被引量:76H指数:5
供职机构:南昌大学更多>>
发文基金:江西省自然科学基金国家高技术研究发展计划电子信息产业发展基金更多>>
相关领域:电子电信理学兵器科学与技术更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 3篇第一性原理
  • 3篇量子
  • 2篇电子结构
  • 2篇涨落
  • 2篇隧道效应
  • 2篇子结构
  • 2篇相互作用
  • 2篇量子涨落
  • 2篇介观LC电路
  • 2篇光学
  • 2篇光学材料
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁泄漏
  • 1篇电路
  • 1篇电路参数
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇压缩态

机构

  • 6篇南昌大学
  • 5篇江西师范大学
  • 1篇晶能光电(江...

作者

  • 10篇饶建平
  • 4篇江风益
  • 3篇嵇英华
  • 3篇雷敏生
  • 2篇熊志华
  • 1篇乐淑萍
  • 1篇汤英文
  • 1篇王古平
  • 1篇聂义友
  • 1篇万齐欣
  • 1篇欧阳楚英
  • 1篇戴江南
  • 1篇周印华

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇光学学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇江西师范大学...
  • 1篇南昌航空工业...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 2篇2000
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电路参数随时间变化的介观LC电路的波函数和压缩效应被引量:3
2000年
本文通过正则变换 ,采用路径积分的方法 ,得出了电路参数随时间变化的介观LC电路的严格波函数 ,研究了含时相干态下电路中电荷和电流的压缩效应。
嵇英华饶建平聂义友
关键词:路径积分波函数介观LC电路
光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率被引量:14
2009年
以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反。刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起。20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%。
周印华汤英文饶建平江风益
关键词:光学材料出光效率SI衬底
介观电路的量子特性与隧道效应
该文首先研究了无耗散的介观LC电路的量子效应,结果表明:在电路参数随时间变化的介观LC电路中,电荷和电流量涨落之间存在着压缩效应,其量子涨落与电路参数的变化有关,系统将由相干态演化成压缩态,在无耗散介观耦合电路中,由于耦...
饶建平
关键词:介观电路量子涨落压缩态隧道效应
文献传递
金属Nb及其空位与H的相互作用的第一性原理研究
随着社会和人类文明的进步,全世界的能源消耗迅猛增长,传统的石油、煤炭等化石能源不仅面临日趋枯竭的局面,而且利用化石能源所带的温室效应、环境恶化等日渐突出。因此,积极寻找清洁的可再生能源已经成为全人类的共识,也是摆在全世界...
饶建平
关键词:第一性原理相互作用空位氢脆
文献传递
介观LC电路中的量子隧道效应被引量:25
2002年
考虑到电子在纳米电容器中的运动是一个单电子隧穿过程 ,因而将电容器作为一个隧道结 ,应用隧道模型的稳态法 ,研究了介观LC电路中的电流 电压特性 .结果表明 :由于库仑力的作用 ,介观LC电路中存在着阈值电压 .当外加电压小于阈值电压时 ,隧穿电流为零 ,显示出库仑阻塞现象 ;当外加电压远大于阈值电压时 ,隧穿电流与电压成正比 .
嵇英华饶建平雷敏生
关键词:介观LC电路库仑阻塞量子隧道效应电容器量子涨落
某野战维修车方舱设计
方舱起源于美国,最初应用于美军,均配有载车,具有较高的机动性能,根据不同需求,在其内部进行相应的结构设计,安装相关设备,具备特定的功能。广泛应用于美军机动指挥系统、通信、医疗、后勤保障等,是美军机动部队的重要装备之一。我...
饶建平
关键词:方舱电磁泄漏
文献传递
Ag掺杂ZnO的第一性原理计算被引量:10
2007年
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究.研究表明,掺Ag导致晶格膨胀;在ZnO晶格中,杂质Ag最可能以替代Zn位出现,此时将形成一个深受主能级.文中的计算结果与其他研究者的实验结果相吻合.
万齐欣熊志华饶建平戴江南乐淑萍王古平江风益
关键词:ZNOAG第一性原理电子结构
第一性原理计算研究金属Nb和间隙氢原子的相互作用被引量:5
2012年
应用第一性原理计算方法,研究了H在金属Nb体心立方晶格中的间隙占位情况,并讨论了占位能和间隙大小的关系.分析了H在间隙位和Nb金属晶格的相互作用,并讨论了相互作用对电子结构的影响.结果表明:除了间隙大小直接影响溶解能的大小之外,H的1s电子和Nb的3d电子有比较强的成键作用,也是导致H在Nb晶格中溶解能较低的一个重要原因.估算了500℃下H在Nb晶格中的扩散系数大约为7.8×10^(-9)m^2/s,和实验结果基本符合.
饶建平欧阳楚英雷敏生江风益
关键词:从头算
CdS掺Mg和Ni电子结构和光学性质的密度泛函理论研究被引量:17
2007年
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对闪锌矿结构CdS和CdS∶M(M=Mg,Ni)几何结构、能带结构、电子态密度和光学性质进行了系统的研究。几何结构研究对掺杂后体系晶格常量进行了优化计算,结果表明Mg和Ni原子掺入CdS后晶格常量均减小,晶格发生局部畸变。进一步研究了掺杂对体系电子结构的影响,能带结构和电子态密度分析表明由于Ni 3d电子的引入使CdS∶Ni成为半金属铁磁半导体,而Mg 3s电子的引入CdS∶Mg带隙变宽。另外,体系掺杂后,吸收系数分析表明掺杂导致吸收峰在可见光波长区域变化显著,且掺Ni导致吸收峰进一步向长波方向移动。
熊志华饶建平江风益
关键词:光学材料电子结构光学性质密度泛函理论
激发相干态下介观二阶并联电路的量子效应
2000年
通过引入复正则变量 ,给出了RLC并联电路的量子化方案 .作为应用 ,研究了激发相干态下电压和电流的量子效应 .结果表明 ,观测量的量子涨落不仅取决于电路所处的量子态 ,而且取决于电路参数 ,阻尼对量子涨落的影响在欠阻尼和过阻尼情形下是正好相反的 .
饶建平嵇英华雷敏生
关键词:激发相干态量子效应
共1页<1>
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