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黄仕华

作品数:7 被引量:28H指数:3
供职机构:昆明理工大学理学院更多>>
相关领域:电子电信理学动力工程及工程热物理机械工程更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 3篇碲镉汞
  • 3篇半导体
  • 2篇散射
  • 2篇半导体材料
  • 1篇地面散射
  • 1篇杨氏模量
  • 1篇液相外延
  • 1篇液相外延生长
  • 1篇月平均
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子寿命
  • 1篇日平均
  • 1篇入射
  • 1篇入射光
  • 1篇散射辐射
  • 1篇散射模型
  • 1篇少数载流子
  • 1篇少数载流子寿...
  • 1篇探测器
  • 1篇总辐射

机构

  • 7篇昆明理工大学
  • 5篇昆明物理研究...

作者

  • 7篇黄仕华
  • 3篇贾友见
  • 2篇陈永安
  • 2篇夏成杰
  • 1篇龚玉兰
  • 1篇莫玉东
  • 1篇雷春红
  • 1篇蔡毅
  • 1篇王秀花
  • 1篇陈建才
  • 1篇黄守江
  • 1篇聂林如
  • 1篇何景福
  • 1篇张鹏翔
  • 1篇孟清兰
  • 1篇钱晓凡

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 2篇昆明理工大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 5篇2001
  • 2篇2000
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
用拉曼散射分析碲镉汞中的缺陷被引量:1
2001年
本文分析了碲镉汞 (HgCdTe或MCT)中Te沉淀相、Hg空位的拉曼散射峰 ,以及碲镉汞表面完整性与它的二级拉曼散射峰的关系。MCT中的Te沉淀相的拉曼峰位于 12 5和 145cm-1处 ,此峰与标准的Te三角晶系的拉曼峰相比 ,往高能方向移动了 2cm-1,这表明Te沉淀相受到了压应力的作用。MCT中位于 10 8cm-1处微弱的拉曼峰来源于Hg空位 ,此峰只在p型和包含有反型层的MCT中出现 ,在n型的MCT中几乎不出现。MCT的拉曼二极散射峰对其表面完整性非常敏感 ,表面完整性好的拉曼峰很明显 ,而表面完整性较差的峰则不太明显 ,此峰的 2LO (T)模的强度测量对晶体制备过程中的表面分析也可提供有用的信息。
黄仕华夏成杰黄守江张鹏翔
关键词:碲镉汞拉曼散射半导体化合物
杨氏模量实验测量结果的不确定度评定被引量:5
2001年
介绍了测量不确定度的基本概念,以及结合大学物理实验教学作适当简化后的不确定度的计算方法,最后分析了杨氏弹性模量测定实验测量结果的不确定度.
黄仕华陈永安王秀花龚玉兰贾友见
关键词:测量不确定度扩展不确定度
计算水平地面散射辐射量的模型被引量:14
2000年
水平地面月平均日太阳散射辐射量或日平均时散射辐射量是太阳能研究和利用中最基本、最重要的参数之一 .本文综述两类常用的计算上述散射辐射量的模型 ,并报道了相关研究状况 .
贾友见聂林如黄仕华
Hg_(1-x)Cd_xTe的共振拉曼散射被引量:1
2001年
当入射光的光子能量接近Hg1 -xCdxTe的E0 +Δ0 时 ,发现了Hg1 -xCdxTe的共振拉曼散射 ,观察到了“禁戒”共振增强拉曼散射 ,同时也观察到了二级共振拉曼散射 .分析了非共振条件下能在样品的 (10 0 )面观察到微弱的“禁戒”TO2 模以及在共振条件下“禁戒”TO2 模大大增强的原因 .通过分析 ,发现由双LO声子引起的二级共振拉曼散射主要由带内的Fr hlich相互作用造成的 .
黄仕华莫玉东
关键词:HG1-XCDXTE红外探测器入射光
碲镉汞的液相外延生长被引量:6
2001年
设计了一种使用良好的石墨舟 ,建立了一套能进行开管液相外延的系统 ,并利用此系统在 Cd Zn Te衬底上和在富 Te的生长条件下生长了不同 x值的 Hg Cd Te外延薄膜 .通过对外延生长工艺的控制 ,外延薄膜的表面形貌有很大的改善 ,残留母液大为减少 ,外延薄膜的组分比较均匀 ,其电学性能得到较大改善 ,Hg Cd Te外延薄膜与Cd Zn Te衬底之间的互扩散非常少 ,外延膜的晶体结构也较完整 .
黄仕华何景福陈建才雷春红
关键词:碲镉汞液相外延生长半导体材料
用椭圆偏振测量法分析碲镉汞的组分及其均匀性被引量:1
2001年
简略介绍了椭偏仪的测量原理和测量装置。分析了Hg1-xCdxTe(MCT)的组分与椭偏仪的参数Δ和 ψ之间的关系 ,结果发现碲镉汞的组分x主要与椭偏仪的参数 ψ有关 ,而且x与 ψ的经验关系为 ψ =14.84 - 10 .2 2x。最后用椭圆偏振测量的方法分析了碲镉汞的横向和纵向组分均匀性。该方法具有非破坏性、有效、快捷的特点。
黄仕华蔡毅钱晓凡陈永安
关键词:碲镉汞半导体材料
用微波反射法测HgCdTe中少数载流子寿命
2000年
介绍了用微波反射法测量HgCdTe中的少数载流子寿命 ,分析了其测量原理 ,并与接触式的光电导衰减法进行了对比。
黄仕华夏成杰贾友见孟清兰
关键词:载流子寿命HGCDTE
共1页<1>
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